8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 单 FET,MOSFET

结果 : 1,698
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Central Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorGoford SemiconductorGood-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesMicro Commercial CoMicrochip TechnologyNexperia USA Inc.NXP USA Inc.
系列
-*AlphaMOSAlphaSGT2™AlphaSGT™DeepGATE™, STripFET™DeepGATE™, STripFET™ H6DeepGATE™, STripFET™ VIFETKY™HEXFET®LITTLE FOOT®OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产最后售卖在售
FET 类型
-N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
8 V12 V14 V15 V16 V16.5 V20 V25 V28 V30 V36 V38 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
86mA(Tj)200mA(Ta)250mA(Ta)250mA(Tc)260mA(Tj)270mA(Ta)300mA(Ta)300mA(Tc)500mA(Ta)500mA(Tc)630mA(Tc)700mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.5V,4.5V1.8V,10V1.8V,4.5V1.95V,4.5V2V,5V2.5V,10V2.5V,4.5V2.7V,10V2.7V,4.5V2.8V,10V2.8V,4.5V4V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.7 毫欧 @ 20A,4.5V2 毫欧 @ 15A,10V2.4 毫欧 @ 15A,10V2.4 毫欧 @ 18A,10V2.45 毫欧 @ 27A,4.5V2.5 毫欧 @ 20A,10V2.6 毫欧 @ 15A,10V2.7 毫欧 @ 15A,4.5V2.7 毫欧 @ 20A,10V2.7 毫欧 @ 25A,10V2.7 毫欧 @ 25A,4.5V2.75 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
400mV @ 250µA(最小)450mV @ 250µA(最小)600mV @ 1mA(典型值)600mV @ 250µA(最小)600mV @ 500µA(最小)700mV @ 1mA(典型值)700mV @ 250µA700mV @ 250µA(最小)800mV @ 250µA800mV @ 250µA(最小)800mV @ 850µA850mV @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
3 nC @ 5 V3.2 nC @ 10 V3.5 nC @ 4.5 V3.5 nC @ 5 V4 nC @ 10 V4.1 nC @ 4.5 V4.2 nC @ 4.5 V4.3 nC @ 10 V4.3 nC @ 4.5 V4.4 nC @ 4.5 V4.5 nC @ 4.5 V4.6 nC @ 5 V
Vgs(最大值)
+2V,-15V±8V±9V±10V±12V+16V,-20V16V±16V±18V+20V,-12V+20V,-16V+20V,-25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
45 pF @ 25 V65 pF @ 25 V94 pF @ 25 V150 pF @ 25 V156 pF @ 25 V182 pF @ 10 V185 pF @ 25 V205 pF @ 15 V208 pF @ 50 V210 pF @ 10 V225 pF @ 25 V235 pF @ 15 V
FET 功能
-肖特基二极管(体)肖特基二极管(隔离式)
功率耗散(最大值)
650mW(Ta)680mW(Ta)730mW(Ta)740mW(Ta)750mW(Ta)770mW(Ta)780mW(Ta)790mW(Ta)791mW(Ta)800mW(Ta)810mW(Ta)820mW(Ta)
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 125°C-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C(TA)-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 155°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TA)-55°C ~ 175°C(TJ)-50°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)150°C150°C(TJ)175°C(TJ)-
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
供应商器件封装
8-SO8-SOIC8-SOP8-SOP-JPG-DSO-8PG-DSO-8-6PG-DSO-8-902
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
1,698结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 1,698
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-SOIC
SI4435FDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC
Vishay Siliconix
14,093
现货
1 : ¥3.82000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.02804
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)30 V12.6A(Tc)4.5V,10V19 毫欧 @ 9A,10V2.2V @ 250µA42 nC @ 10 V±20V1500 pF @ 15 V-4.8W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-SOIC8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
35,874
现货
1 : ¥3.98000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.33226
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)30 V11A(Ta)4.5V,10V17 毫欧 @ 11A,10V2.3V @ 250µA34 nC @ 10 V±25V1180 pF @ 15 V-3.1W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-SOIC8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
17,639
现货
1 : ¥4.76000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.58988
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V20A(Ta)4.5V,10V5.8 毫欧 @ 20A,10V2.2V @ 250µA22.5 nC @ 10 V±20V951 pF @ 15 V-3.1W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-SOIC8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
193,732
现货
1 : ¥4.96000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.67139
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)40 V10A(Ta)4.5V,10V10 毫欧 @ 10A,10V3V @ 250µA37 nC @ 10 V±20V1950 pF @ 20 V-1.7W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-SOIC8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8 SO
DMT6016LSS-13
MOSFET N-CH 60V 9.2A 8SO
Diodes Incorporated
45,895
现货
145,000
工厂
1 : ¥5.01000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.68771
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V9.2A(Ta)4.5V,10V18 毫欧 @ 10A,10V2.5V @ 250µA17 nC @ 10 V±20V864 pF @ 30 V-1.5W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-SO8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
FDS8884
MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC
onsemi
14,003
现货
1 : ¥4.96000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.87214
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V8.5A(Ta)4.5V,10V23 毫欧 @ 8.5A,10V2.5V @ 250µA13 nC @ 10 V±20V635 pF @ 15 V-2.5W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-SOIC8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8 SO
DMG4407SSS-13
MOSFET P-CH 30V 9.9A 8SO
Diodes Incorporated
7,721
现货
15,000
工厂
1 : ¥5.20000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.74889
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)30 V9.9A(Ta)6V,10V11 毫欧 @ 12A,20V3V @ 250µA20.5 nC @ 10 V±25V2246 pF @ 15 V-1.45W(Ta)-50°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-SO8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
FDS9435A
MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC
onsemi
11,290
现货
1 : ¥5.45000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.07340
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)30 V5.3A(Ta)4.5V,10V50 毫欧 @ 5.3A,10V3V @ 250µA14 nC @ 10 V±25V528 pF @ 15 V-2.5W(Ta)-55°C ~ 175°C(TJ)--表面贴装型8-SOIC8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
24,246
现货
1 : ¥5.53000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.10617
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计P 通道MOSFET(金属氧化物)30 V12A(Ta)6V,20V11 毫欧 @ 12A,20V3V @ 250µA39 nC @ 10 V±25V2600 pF @ 15 V-3.1W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-SOIC8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
FDS4435BZ
MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
onsemi
22,921
现货
1 : ¥5.58000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.13148
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)30 V8.8A(Ta)4.5V,10V20 毫欧 @ 8.8A,10V3V @ 250µA40 nC @ 10 V±25V1845 pF @ 15 V-2.5W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-SOIC8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
31,249
现货
1 : ¥5.69000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.16465
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计N 通道MOSFET(金属氧化物)40 V14A(Ta)4.5V,10V11.5 毫欧 @ 14A,10V3V @ 250µA22 nC @ 10 V±20V1920 pF @ 20 V-3.1W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-SOIC8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
IRF8714TRPBF
MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Infineon Technologies
23,952
现货
1 : ¥5.69000
剪切带(CT)
4,000 : ¥2.15530
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V14A(Ta)4.5V,10V8.7 毫欧 @ 14A,10V2.35V @ 25µA12 nC @ 4.5 V±20V1020 pF @ 15 V-2.5W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-SO8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
IRF8736TRPBF
MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
Infineon Technologies
15,952
现货
1 : ¥5.77000
剪切带(CT)
4,000 : ¥2.20561
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V18A(Ta)4.5V,10V4.8 毫欧 @ 18A,10V2.35V @ 50µA26 nC @ 4.5 V±20V2315 pF @ 15 V-2.5W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-SO8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
SI4435DDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SO
Vishay Siliconix
25,844
现货
1 : ¥5.85000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.22315
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)30 V11.4A(Tc)4.5V,10V24 毫欧 @ 9.1A,10V3V @ 250µA50 nC @ 10 V±20V1350 pF @ 15 V-2.5W(Ta),5W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-SOIC8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
SI4431CDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 9A 8SO
Vishay Siliconix
42,348
现货
1 : ¥5.93000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.26998
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)30 V9A(Tc)4.5V,10V32 毫欧 @ 7A,10V2.5V @ 250µA38 nC @ 10 V±20V1006 pF @ 15 V-2.5W(Ta),4.2W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-SOIC8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
SI4143DY-T1-GE3
MOSFET P-CHANNEL 30V 25.3A 8SO
Vishay Siliconix
3,726
现货
1 : ¥6.10000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.32263
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)30 V25.3A(Tc)4.5V,10V6.2 毫欧 @ 12A,10V2.5V @ 250µA167 nC @ 10 V±25V6630 pF @ 15 V-6W(Tc)-55°C ~ 150°C(TA)--表面贴装型8-SOIC8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
IRF7205TRPBF
MOSFET P-CH 30V 4.6A 8SO
Infineon Technologies
24,181
现货
1 : ¥6.34000
剪切带(CT)
4,000 : ¥2.39985
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)30 V4.6A(Ta)4.5V,10V70 毫欧 @ 4.6A,10V3V @ 250µA40 nC @ 10 V±20V870 pF @ 10 V-2.5W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-SO8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
FDS8896
MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC
onsemi
2,542
现货
1 : ¥6.34000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.40686
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V15A(Ta)4.5V,10V6 毫欧 @ 15A,10V2.5V @ 250µA67 nC @ 10 V±20V2525 pF @ 15 V-2.5W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-SOIC8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
FDS8880
MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC
onsemi
20,266
现货
1 : ¥6.50000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.47238
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V11.6A(Ta)4.5V,10V10 毫欧 @ 11.6A,10V2.5V @ 250µA30 nC @ 10 V±20V1235 pF @ 15 V-2.5W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-SOIC8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
AO4421
MOSFET P-CH 60V 6.2A 8SOIC
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
425,467
现货
1 : ¥6.59000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.50399
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)60 V6.2A(Ta)4.5V,10V40 毫欧 @ 6.2A,10V3V @ 250µA55 nC @ 10 V±20V2900 pF @ 30 V-3.1W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-SOIC8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
FDS5351
MOSFET N-CH 60V 6.1A 8SOIC
onsemi
29,791
现货
1 : ¥6.59000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.51687
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V6.1A(Ta)4.5V,10V35 毫欧 @ 6.1A,10V3V @ 250µA27 nC @ 10 V±20V1310 pF @ 30 V-5W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-SOIC8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8 SO
DMP4015SSS-13
MOSFET P-CH 40V 9.1A 8SO
Diodes Incorporated
11,525
现货
237,500
工厂
1 : ¥6.59000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.50984
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)40 V9.1A(Ta)4.5V,10V11 毫欧 @ 9.8A,10V2.5V @ 250µA47.5 nC @ 5 V±25V4234 pF @ 20 V-1.45W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-SO8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
SI4401DDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 16.1A 8SO
Vishay Siliconix
18,406
现货
1 : ¥6.75000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.57420
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)40 V16.1A(Tc)4.5V,10V15 毫欧 @ 10.2A,10V2.5V @ 250µA95 nC @ 10 V±20V3007 pF @ 20 V-2.5W(Ta),6.3W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-SOIC8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
SI4401FDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 9.9A/14A 8SO
Vishay Siliconix
46,719
现货
1 : ¥6.83000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.60695
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)40 V9.9A(Ta),14A(Tc)4.5V,10V14.2 毫欧 @ 10A,10V2.3V @ 250µA100 nC @ 10 V±20V4000 pF @ 20 V-2.5W(Ta),5W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-SO8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8 SO
DMP6023LSS-13
MOSFET P-CH 60V 6.6A 8SO
Diodes Incorporated
13,831
现货
90,000
工厂
1 : ¥6.83000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.58005
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)60 V6.6A(Ta)4.5V,10V25 毫欧 @ 5A,10V3V @ 250µA53.1 nC @ 10 V±20V2569 pF @ 30 V-1.2W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-SO8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
显示
/ 1,698

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。