8-SMD，扁平引线 单 FET，MOSFET

结果 : 2
包装
剪切带（CT）卷带（TR）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
20A（Ta）28A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.8 毫欧 @ 28A，10V4.2 毫欧 @ 20A，10V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
29 nC @ 10 V53 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1780 pF @ 15 V3130 pF @ 15 V
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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-TSOP
RMW200N03TB
MOSFET N-CH 30V 20A 8PSOP
Rohm Semiconductor
3
现货
1 : ¥6.98000
剪切带（CT）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
20A（Ta）
4.5V，10V
4.2 毫欧 @ 20A，10V
2.5V @ 1mA
29 nC @ 10 V
±20V
1780 pF @ 15 V
-
3W（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
8-PSOP
8-SMD，扁平引线
8-PSOP Series
RMW280N03TB
MOSFET N-CH 30V 28A 8PSOP
Rohm Semiconductor
0
现货
停产
-
卷带（TR）
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
28A（Ta）
4.5V，10V
2.8 毫欧 @ 28A，10V
2.5V @ 1mA
53 nC @ 10 V
±20V
3130 pF @ 15 V
-
3W（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
8-PSOP
8-SMD，扁平引线
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8-SMD，扁平引线 单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。