8-PowerDFN 单 FET,MOSFET

结果 : 11
制造商
Rohm SemiconductorSTMicroelectronicsYAGEO XSEMI
系列
-XP10TN028XP1504XP3N020XP3N5R0AXP3N9R5AXP4459
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
FET 类型
N 通道P 通道
技术
GaNFET(氮化镓)MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30 V40 V100 V150 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5A(Ta),15.8A(Tc)7.5A(Ta)10A(Ta)11A(Tc)12.7A(Ta)14.6A(Ta)15A(Ta),38.7A(Tc)20A(Ta),63.5A(Tc)20A(Tc)-
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V5V,10V5V,5.5V10V-
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
5 毫欧 @ 19A,10V9.5 毫欧 @ 9.5A,10V10 毫欧 @ 10A,10V13.5 毫欧 @ 10A,10V20 毫欧 @ 10A,10V28 毫欧 @ 7A,10V59 毫欧 @ 9A,10V98 毫欧 @ 1.9A,5.5V195 毫欧 @ 1.9A,5.5V-
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.3V @ 250µA2.4V @ 18mA3V @ 250µA4V @ 250µA-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
2.7 nC @ 6 V5.2 nC @ 6 V8.5 nC @ 4.5 V23 nC @ 4.5 V25.6 nC @ 10 V28.8 nC @ 10 V54.4 nC @ 4.5 V64 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
+6V,-10V±20V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
112 pF @ 400 V200 pF @ 400 V880 pF @ 15 V984 pF @ 100 V1280 pF @ 15 V2160 pF @ 50 V2800 pF @ 15 V3360 pF @ 15 V6080 pF @ 15 V
功率耗散(最大值)
3.12W(Ta)3.12W(Ta),31.2W(Tc)3.125W(Ta)3.13W(Ta)3.57W(Ta)56W(Tc)62.5W(Tc)-
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)-
供应商器件封装
DFN8080AKDFN8080KPMPAK® 3 x 3PowerFlat™(5x6)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
11结果
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/ 11
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
GNP1150TCA-ZE2
GNP1150TCA-ZE2
ECOGAN, 650V 11A DFN8080AK, E-MO
Rohm Semiconductor
2,897
现货
1 : ¥41.95000
剪切带(CT)
3,500 : ¥20.41991
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
650 V
11A(Tc)
5V,5.5V
195 毫欧 @ 1.9A,5.5V
2.4V @ 18mA
2.7 nC @ 6 V
+6V,-10V
112 pF @ 400 V
-
62.5W(Tc)
150°C(TJ)
表面贴装型
DFN8080AK
8-PowerDFN
GNP1070TC-ZE2
GNP1070TC-ZE2
ECOGAN, 650V 20A DFN8080K, E-MOD
Rohm Semiconductor
3,614
现货
1 : ¥77.83000
剪切带(CT)
3,500 : ¥41.37524
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
650 V
20A(Tc)
5V,5.5V
98 毫欧 @ 1.9A,5.5V
2.4V @ 18mA
5.2 nC @ 6 V
+6V,-10V
200 pF @ 400 V
-
56W(Tc)
150°C(TJ)
表面贴装型
DFN8080K
8-PowerDFN
XP1504YT
XP3N5R0AYT
MOSFET N-CH 30V 20A 63.5A PMPAK
YAGEO XSEMI
1,000
现货
1 : ¥10.92000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.50706
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
20A(Ta),63.5A(Tc)
4.5V,10V
5 毫欧 @ 19A,10V
2.3V @ 250µA
64 nC @ 10 V
±20V
2800 pF @ 15 V
-
3.12W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PMPAK® 3 x 3
8-PowerDFN
XP1504YT
XP4459YT
MOSFET P-CH 30V 12.7A PMPAK
YAGEO XSEMI
995
现货
1 : ¥11.74000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.84207
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
12.7A(Ta)
4.5V,10V
13.5 毫欧 @ 10A,10V
3V @ 250µA
64 nC @ 10 V
±20V
3360 pF @ 15 V
-
3.13W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PMPAK® 3 x 3
8-PowerDFN
XP1504YT
XP1504YT
MOSFET N-CH 150V 5A 15.8A PMPAK
YAGEO XSEMI
1,000
现货
1 : ¥16.67000
剪切带(CT)
3,000 : ¥7.51028
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
5A(Ta),15.8A(Tc)
10V
59 毫欧 @ 9A,10V
4V @ 250µA
25.6 nC @ 10 V
±20V
984 pF @ 100 V
-
3.12W(Ta),31.2W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PMPAK® 3 x 3
8-PowerDFN
XP1504YT
XP10TN028YT
MOSFET N-CH 100V 7.5A PMPAK
YAGEO XSEMI
998
现货
1 : ¥19.62000
剪切带(CT)
3,000 : ¥8.86237
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
7.5A(Ta)
5V,10V
28 毫欧 @ 7A,10V
3V @ 250µA
23 nC @ 4.5 V
±20V
2160 pF @ 50 V
-
3.125W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PMPAK® 3 x 3
8-PowerDFN
STL320N4LF8
STL320N4LF8
AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 40 V
STMicroelectronics
5,975
现货
1 : ¥23.97000
剪切带(CT)
3,000 : ¥11.66470
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
表面贴装型
PowerFlat™(5x6)
8-PowerDFN
MOSFET N-CH 30V 10A PMPAK
XP3N020YT
MOSFET N-CH 30V 10A PMPAK
YAGEO XSEMI
996
现货
1 : ¥7.14000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.69878
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
10A(Ta)
4.5V,10V
20 毫欧 @ 10A,10V
3V @ 250µA
8.5 nC @ 4.5 V
±20V
880 pF @ 15 V
-
3.12W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PMPAK® 3 x 3
8-PowerDFN
XP3P050AM
XP3P010YT
MOSFET P-CH 30V 14.6A PMPAK
YAGEO XSEMI
1,000
现货
1 : ¥7.74000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.93635
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
14.6A(Ta)
4.5V,10V
10 毫欧 @ 10A,10V
3V @ 250µA
54.4 nC @ 4.5 V
±20V
6080 pF @ 15 V
-
3.12W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PMPAK® 3 x 3
8-PowerDFN
XP1504YT
XP3N9R5AYT
MOSFET N-CH 30V 38.7A PMPAK
YAGEO XSEMI
1,000
现货
1 : ¥7.47000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.07526
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
15A(Ta),38.7A(Tc)
4.5V,10V
9.5 毫欧 @ 9.5A,10V
3V @ 250µA
28.8 nC @ 10 V
±20V
1280 pF @ 15 V
-
3.57W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PMPAK® 3 x 3
8-PowerDFN
POWER FLAT 8L 6X5X1 P1.27
STL320N4F8
POWER FLAT 8L 6X5X1 P1.27
STMicroelectronics
0
现货
查看交期
3,000 : ¥11.23234
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
表面贴装型
PowerFlat™(5x6)
8-PowerDFN
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8-PowerDFN 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。