8-LDFN 裸焊盘 单 FET,MOSFET

结果 : 5
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
停产在售
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
10A(Tc)15A(Tc)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1,6V @ 2,6mA1,6V @ 960µA
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
157 pF @ 400 V380 pF @ 400 V
功率耗散(最大值)
62.5W(Tc)114W(Tc)
库存选项
环境选项
媒体
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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
2,234
现货
1 : ¥47.78000
剪切带(CT)
3,000 : ¥23.27163
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
600 V
10A(Tc)
-
-
1,6V @ 960µA
-10V
157 pF @ 400 V
-
62.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-LSON-8-1
8-LDFN 裸焊盘
1,479
现货
1 : ¥93.02000
剪切带(CT)
3,000 : ¥54.80092
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
600 V
15A(Tc)
-
-
1,6V @ 2,6mA
-10V
380 pF @ 400 V
-
114W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-LSON-8-1
8-LDFN 裸焊盘
0
现货
查看交期
3,000 : ¥23.27163
卷带(TR)
卷带(TR)
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
600 V
10A(Tc)
-
-
1,6V @ 960µA
-10V
157 pF @ 400 V
-
62.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-LSON-8-1
8-LDFN 裸焊盘
0
现货
1 : ¥108.45000
剪切带(CT)
3,000 : ¥63.93851
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
GaNFET(氮化镓)
600 V
10A(Tc)
-
-
1,6V @ 960µA
-10V
157 pF @ 400 V
-
62.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-LSON-8-1
8-LDFN 裸焊盘
LSON-8-1
IGLD60R070D1AUMA1
GANFET N-CH 600V 15A LSON-8
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
GaNFET(氮化镓)
600 V
15A(Tc)
-
-
1,6V @ 2,6mA
-10V
380 pF @ 400 V
-
114W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-LSON-8-1
8-LDFN 裸焊盘
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8-LDFN 裸焊盘 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。