8.7A(Ta) 单 FET,MOSFET

结果 : 11
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.onsemiVishay Siliconix
系列
-HEXFET®TrenchFET®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
20 V30 V40 V600 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.5V,4.5V2.7V,4.5V4.5V,10V5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
14 毫欧 @ 10.5A,10V15.5 毫欧 @ 10.5A,10V15.5 毫欧 @ 8.7A,10V20 毫欧 @ 8A,10V21 毫欧 @ 3A,4.5V22 毫欧 @ 4.1A,4.5V680 毫欧 @ 7A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
700mV @ 250µA(最小)900mV @ 250µA1V @ 250µA(最小)2.5V @ 250µA3V @ 250µA5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
6.2 nC @ 4.5 V16.5 nC @ 10 V46 nC @ 10 V48 nC @ 4.5 V49 nC @ 10 V50 nC @ 5 V55 nC @ 5 V
Vgs(最大值)
±8V±12V±20V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1050 pF @ 10 V1200 pF @ 30 V1600 pF @ 15 V1638 pF @ 15 V1931 pF @ 15 V
功率耗散(最大值)
400mW950mW(Ta)1.5W(Ta)1.9W(Ta),12.5W(Tc)2W(Ta),40W(Tc)2.5W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
6-WLCSP(1.48x0.98)8-SO8-SOICDFN2020M-6POWERDI3333-8TO-220FI(LS)
封装/外壳
6-UDFN 裸露焊盘6-XFBGA,WLCSP8-PowerVDFN8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)TO-220-3 整包
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
11结果
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/ 11
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-SOIC
SI4401BDY-T1-E3
MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SO
Vishay Siliconix
9,974
现货
1 : ¥15.35000
剪切带(CT)
2,500 : ¥6.93969
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
8.7A(Ta)
4.5V,10V
14 毫欧 @ 10.5A,10V
3V @ 250µA
55 nC @ 5 V
±20V
-
-
1.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
6-DFN2020MD_View 2
PMPB12R7EPX
PMPB12R7EP - 30 V, P-CHANNEL TRE
Nexperia USA Inc.
7,495
现货
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.25847
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
8.7A(Ta)
4.5V,10V
15.5 毫欧 @ 8.7A,10V
2.5V @ 250µA
49 nC @ 10 V
±20V
1638 pF @ 15 V
-
1.9W(Ta),12.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
DFN2020M-6
6-UDFN 裸露焊盘
PowerDI3333-8
DMP3036SFG-7
MOSFET P-CH 30V 8.7A PWRDI3333-8
Diodes Incorporated
7,858
现货
1,102,000
工厂
1 : ¥4.93000
剪切带(CT)
2,000 : ¥1.86090
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
8.7A(Ta)
5V,10V
20 毫欧 @ 8A,10V
2.5V @ 250µA
16.5 nC @ 10 V
±25V
1931 pF @ 15 V
-
950mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
8-SOIC
SI4401BDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SO
Vishay Siliconix
12,476
现货
1 : ¥15.35000
剪切带(CT)
2,500 : ¥6.93969
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
8.7A(Ta)
4.5V,10V
14 毫欧 @ 10.5A,10V
3V @ 250µA
55 nC @ 5 V
±20V
-
-
1.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
PowerDI3333-8
DMP3036SFG-13
MOSFET P-CH 30V 8.7A PWRDI3333-8
Diodes Incorporated
2,874
现货
3,000
工厂
1 : ¥4.93000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.86092
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
8.7A(Ta)
5V,10V
20 毫欧 @ 8A,10V
2.5V @ 250µA
16.5 nC @ 10 V
±25V
1931 pF @ 15 V
-
950mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
6-WLCSP
PMCM6501UNEZ
MOSFET N-CH 20V 8.7A 6WLCSP
Nexperia USA Inc.
4,500
现货
1 : ¥4.68000
剪切带(CT)
4,500 : ¥1.78411
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
8.7A(Ta)
1.5V,4.5V
21 毫欧 @ 3A,4.5V
900mV @ 250µA
6.2 nC @ 4.5 V
±8V
1050 pF @ 10 V
-
400mW
150°C(TJ)
表面贴装型
6-WLCSP(1.48x0.98)
6-XFBGA,WLCSP
IRF7401TRPBF
MOSFET N-CH 20V 8.7A 8SO
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
8.7A(Ta)
2.7V,4.5V
22 毫欧 @ 4.1A,4.5V
700mV @ 250µA(最小)
48 nC @ 4.5 V
±12V
1600 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
SI4401DY-T1-E3
MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SO
Vishay Siliconix
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
8.7A(Ta)
4.5V,10V
15.5 毫欧 @ 10.5A,10V
1V @ 250µA(最小)
50 nC @ 5 V
±20V
-
-
1.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
IRF7401PBF
MOSFET N-CH 20V 8.7A 8SO
Infineon Technologies
0
现货
Digi-Key 停止提供
管件
Digi-Key 停止提供
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
8.7A(Ta)
2.7V,4.5V
22 毫欧 @ 4.1A,4.5V
700mV @ 250µA(最小)
48 nC @ 4.5 V
±12V
1600 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
SI4401DY-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SO
Vishay Siliconix
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
8.7A(Ta)
4.5V,10V
15.5 毫欧 @ 10.5A,10V
1V @ 250µA(最小)
50 nC @ 5 V
±20V
-
-
1.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
TO-220AB Full Pack
BFL4007
MOSFET N-CH 600V 8.7A TO220FI
onsemi
0
现货
停产
-
散装
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
8.7A(Ta)
10V
680 毫欧 @ 7A,10V
5V @ 1mA
46 nC @ 10 V
±30V
1200 pF @ 30 V
-
2W(Ta),40W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220FI(LS)
TO-220-3 整包
显示
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8.7A(Ta) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。