7A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 257
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Central Semiconductor CorpDiodes IncorporatedGoford SemiconductorGood-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesIXYSMicro Commercial CoMicrochip TechnologyMicrosemi CorporationNexperia USA Inc.NXP USA Inc.onsemiPanasonic Electronic Components
系列
-AlphaSGT™aMOS5™aMOS™CoolMOS™ C7CoolMOS™ CECoolMOS™ CFD7CoolMOS™ E6CoolMOS™ P7CoolMOS™ PFD7DTMOSVE
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产最后售卖在售
FET 类型
-N 通道P 通道
技术
-MOSFET(金属氧化物)SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)
20 V30 V40 V55 V60 V80 V100 V200 V250 V400 V450 V500 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.5V,4.5V4.5V,10V5V10V10V,12V15V20V-
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
16.1 毫欧 @ 7A,10V18 毫欧 @ 7A,10V20.5 毫欧 @ 1A,10V21 毫欧 @ 3.5A,10V22.5 毫欧 @ 3.5A,4.5V23 毫欧 @ 3A,10V25 毫欧 @ 3.5A,10V31 毫欧 @ 7.9A,10V40 毫欧 @ 6A,10V42 毫欧 @ 5A,10V72 毫欧 @ 8A,10V73 毫欧 @ 8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA1.1V @ 250µA2V @ 1mA2.5V @ 1mA2.5V @ 250µA3V @ 250µA3.25V @ 100µA(典型值)3.5V @ 140µA3.5V @ 1mA3.5V @ 200µA3.5V @ 210µA3.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
4.3 nC @ 10 V5.6 nC @ 10 V7.7 nC @ 10 V8 nC @ 10 V8.2 nC @ 10 V8.5 nC @ 10 V9.2 nC @ 10 V9.5 nC @ 10 V10.7 nC @ 10 V11 nC @ 10 V11 nC @ 20 V11 nC @ 5 V
Vgs(最大值)
±8V±10V±15V±20V+22V,-10V+23V,-10V±25V30V±30V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
133 pF @ 1000 V184 pF @ 1360 V206 pF @ 50 V250 pF @ 25 V295 pF @ 25 V340 pF @ 100 V344 pF @ 400 V350 pF @ 15 V372 pF @ 100 V380 pF @ 300 V390 pF @ 25 V410 pF @ 100 V
功率耗散(最大值)
1W(Tc)1.3W(Tc)1.6W(Tc)1.9W(Tc)1.92W(Ta),34.7W(Tc)2W(Ta),40W(Tc)2W(Ta),56.8W(Tc)2.4W(Ta)2.4W(Ta),13W(Tc)2.5W(Ta),46W(Tc)2.5W(Tc)3W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TA)-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-55°C ~ 200°C(TJ)-50°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)-
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
-表面贴装型通孔
供应商器件封装
6-DFN(2x2)6-TSOP8-SOIC8-SOP-D2PAKD3PAKDPAKHiP247™I2PAKIPAKIPAK(TO-251)
封装/外壳
4-PowerTSFN6-PowerWDFN6-WDFN 裸露焊盘8-PowerTDFN8-PowerVDFN8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)-ISOPLUS220™PowerPAK® SC-75-6SC-96SOT-23-6 细型,TSOT-23-6SOT-23-6
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
257结果
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/ 257
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT223
BUK7880-55A/CUX
MOSFET N-CH 55V 7A SOT223
Nexperia USA Inc.
32,596
现货
1 : ¥4.27000
剪切带(CT)
1,000 : ¥1.60148
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
7A(Tc)
10V
80 毫欧 @ 10A,10V
4V @ 1mA
12 nC @ 10 V
±20V
500 pF @ 25 V
-
8W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
SOT223
BUK9880-55A/CUX
MOSFET N-CH 55V 7A SOT223
Nexperia USA Inc.
153,516
现货
1 : ¥4.84000
剪切带(CT)
1,000 : ¥1.83651
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
7A(Tc)
4.5V,10V
73 毫欧 @ 8A,10V
2V @ 1mA
11 nC @ 5 V
±15V
584 pF @ 25 V
-
8W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
SOT223
BUK9875-100A/CUX
MOSFET N-CH 100V 7A SOT223
Nexperia USA Inc.
32,563
现货
1 : ¥6.98000
剪切带(CT)
1,000 : ¥2.99025
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
7A(Tc)
4.5V,10V
72 毫欧 @ 8A,10V
2V @ 1mA
-
±10V
1690 pF @ 25 V
-
8W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
8-Power TDFN
BSZ22DN20NS3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON
Infineon Technologies
1,024
现货
1 : ¥9.85000
剪切带(CT)
5,000 : ¥3.89548
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
7A(Tc)
10V
225 毫欧 @ 3.5A,10V
4V @ 13µA
5.6 nC @ 10 V
±20V
430 pF @ 100 V
-
34W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TSDSON-8
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
BSC22DN20NS3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 7A TDSON-8-5
Infineon Technologies
585
现货
1 : ¥9.85000
剪切带(CT)
5,000 : ¥3.88255
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
7A(Tc)
10V
225 毫欧 @ 3.5A,10V
4V @ 13µA
5.6 nC @ 10 V
±20V
430 pF @ 100 V
-
34W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-5
8-PowerTDFN
TO-252AA
FCD7N60TM
MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
onsemi
5,965
现货
1 : ¥18.55000
剪切带(CT)
2,500 : ¥8.34680
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
7A(Tc)
10V
600 毫欧 @ 3.5A,10V
5V @ 250µA
30 nC @ 10 V
±30V
920 pF @ 25 V
-
83W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TSOP-6-Single
SQ3426CEV-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Vishay Siliconix
2,282
现货
1 : ¥4.35000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.47248
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
7A(Tc)
4.5V,10V
42 毫欧 @ 5A,10V
2.5V @ 250µA
12 nC @ 4.5 V
±20V
1300 pF @ 30 V
-
5W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
6-TSOP
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
PowerFlat
STL7N6F7
MOSFET N-CH 60V 7A POWERFLAT
STMicroelectronics
4,188
现货
1 : ¥5.66000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.14803
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
7A(Tc)
10V
25 毫欧 @ 3.5A,10V
4V @ 250µA
8 nC @ 10 V
±20V
450 pF @ 25 V
-
2.4W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerFlat™(2x2)
6-PowerWDFN
8PowerVDFN
STL15N60M2-EP
MOSFET N-CH 600V 7A POWERFLAT HV
STMicroelectronics
3,000
现货
1 : ¥15.93000
剪切带(CT)
3,000 : ¥7.17015
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
7A(Tc)
10V
418 毫欧 @ 4.5A,10V
4.75V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±25V
590 pF @ 100 V
-
55W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerFlat™(5x6)HV
8-PowerVDFN
TO-220-3 Type A
STP7N90K5
MOSFET N-CH 900V 7A TO220
STMicroelectronics
454
现货
1 : ¥19.21000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
900 V
7A(Tc)
10V
810 毫欧 @ 4A,10V
5V @ 100µA
17.7 nC @ 10 V
±30V
425 pF @ 10 V
-
110W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220
TO-220-3
MFG_DPAK(TO252-3)
STD7N90K5
MOSFET N-CH 900V 7A DPAK
STMicroelectronics
737
现货
1 : ¥21.34000
剪切带(CT)
2,500 : ¥9.62158
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
900 V
7A(Tc)
10V
-
5V @ 100µA
-
±30V
-
-
110W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-220-3
FCP7N60
MOSFET N-CH 600V 7A TO220-3
onsemi
965
现货
1 : ¥21.51000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
7A(Tc)
10V
600 毫欧 @ 3.5A,10V
5V @ 250µA
30 nC @ 10 V
±30V
920 pF @ 25 V
-
83W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3
TO-247-3 HiP
STW9NK95Z
MOSFET N-CH 950V 7A TO247
STMicroelectronics
552
现货
1 : ¥25.04000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
950 V
7A(Tc)
10V
1.38 欧姆 @ 3.6A,10V
4.5V @ 100µA
56 nC @ 10 V
±30V
2256 pF @ 25 V
-
160W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3
MSC750SMA170B
SICFET N-CH 1700V 7A TO247-3
Microchip Technology
232
现货
1 : ¥44.66000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1700 V
7A(Tc)
20V
940 毫欧 @ 2.5A,20V
3.25V @ 100µA(典型值)
11 nC @ 20 V
+23V,-10V
184 pF @ 1360 V
-
68W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TSMT3
RQ5E070BNTCL
MOSFET N-CH 30V 7A TSMT3
Rohm Semiconductor
2,674
现货
1 : ¥5.91000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.25672
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
7A(Tc)
10V
16.1 毫欧 @ 7A,10V
2.5V @ 1mA
23 nC @ 10 V
±20V
950 pF @ 15 V
-
1W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TSMT3
SC-96
TO252-3
IPD65R650CEAUMA1
MOSFET N-CH 650V 7A TO252-3
Infineon Technologies
2,265
现货
1 : ¥7.80000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.22444
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
7A(Tc)
10V
650 毫欧 @ 2.1A,10V
3.5V @ 210µA
23 nC @ 10 V
±20V
440 pF @ 100 V
-
86W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
7,892
现货
1 : ¥8.87000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.32478
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
7A(Tc)
10V
1.56 欧姆 @ 3.5A,10V
4.5V @ 250µA
24 nC @ 10 V
±30V
1180 pF @ 25 V
-
178W(Tc)
-50°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252(DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
4,883
现货
1 : ¥10.22000
剪切带(CT)
2,000 : ¥4.22794
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
7A(Tc)
10V
560 毫欧 @ 3.5A,10V
4V @ 240µA
14.5 nC @ 10 V
±30V
380 pF @ 300 V
-
60W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
3,557
现货
1 : ¥11.18000
剪切带(CT)
2,000 : ¥4.62327
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
7A(Tc)
10V
560 毫欧 @ 3.5A,10V
4V @ 240µA
14.5 nC @ 10 V
±30V
380 pF @ 300 V
-
60W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IPD80R750P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 7A TO252-3
Infineon Technologies
4,144
现货
1 : ¥12.48000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.16092
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
7A(Tc)
10V
750 毫欧 @ 2.7A,10V
3.5V @ 140µA
17 nC @ 10 V
±20V
460 pF @ 500 V
-
51W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IPD60R360CFD7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 7A TO252-3-313
Infineon Technologies
1,536
现货
1 : ¥15.68000
剪切带(CT)
2,500 : ¥7.06099
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
7A(Tc)
10V
360 毫欧 @ 2.9A,10V
4.5V @ 140µA
14 nC @ 10 V
±20V
679 pF @ 400 V
-
43W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3-313
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
D-PAK (TO-252AA)
SIHD7N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Vishay Siliconix
138
现货
1 : ¥15.84000
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
7A(Tc)
10V
600 毫欧 @ 3.5A,10V
4V @ 250µA
40 nC @ 10 V
±30V
680 pF @ 100 V
-
78W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
MFG_DPAK(TO252-3)
STD8N65M5
MOSFET N-CH 650V 7A DPAK
STMicroelectronics
2,230
现货
1 : ¥21.43000
剪切带(CT)
2,500 : ¥9.66128
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
7A(Tc)
10V
600 毫欧 @ 3.5A,10V
5V @ 250µA
15 nC @ 10 V
±25V
690 pF @ 100 V
-
70W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-220F
FCPF7N60
MOSFET N-CH 600V 7A TO220F
onsemi
978
现货
1 : ¥22.49000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
7A(Tc)
10V
600 毫欧 @ 3.5A,10V
5V @ 250µA
30 nC @ 10 V
±30V
920 pF @ 25 V
-
31W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220F-3
TO-220-3 整包
RB098BM-40FNSTL
R8007AND3FRATL
MOSFET N-CH 800V 7A TO252
Rohm Semiconductor
4,914
现货
1 : ¥28.98000
剪切带(CT)
2,500 : ¥19.26116
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
7A(Tc)
10V
1.6 欧姆 @ 3.5A,10V
5V @ 1mA
28 nC @ 10 V
±30V
850 pF @ 25 V
-
140W(Tc)
150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
显示
/ 257

7A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。