7-PowerWQFN 单 FET，MOSFET

结果 : 9
系列
-eGaN®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
Digi-Key 停止提供停产在售
技术
GaNFET（氮化镓）MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V150 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
48A（Ta）48A（Tc）80A（Ta）101A（Ta）102A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.8毫欧 @ 50A，5V2.2 毫欧 @ 30A，5V3.1 毫欧 @ 32A，5V3.8 毫欧 @ 25A，5V6 毫欧 @ 15A，5V10 毫欧 @ 16A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 11mA2.5V @ 14mA2.5V @ 4mA2.5V @ 5mA2.5V @ 7mA2.5V @ 8mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
10.6 nC @ 5 V13.8 nC @ 5 V16.3 nC @ 5 V21 nC @ 5 V23 nC @ 5 V24 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
+6V，-4V6V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1401 pF @ 100 V2103 pF @ 75 V2366 pF @ 50 V2900 pF @ 75 V3195 pF @ 100 V3200 pF @ 50 V
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
9结果
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/ 9
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
EPC2306ENGRT
EPC2306ENGRT
TRANS GAN 100V .0038OHM3X5MM QFN
EPC
6,348
现货
1 : $5.35000
剪切带（CT）
3,000 : $2.60580
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
100 V
48A（Ta）
5V
3.8 毫欧 @ 25A，5V
2.5V @ 7mA
16.3 nC @ 5 V
+6V，-4V
2366 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
7-QFN（3x5）
7-PowerWQFN
EPC2307ENGRT
EPC2307ENGRT
TRANS GAN 200V .010OHM 7QFN
EPC
25,312
现货
1 : $6.01000
剪切带（CT）
3,000 : $3.19413
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
200 V
48A（Ta）
5V
10 毫欧 @ 16A，10V
2.5V @ 4mA
10.6 nC @ 5 V
+6V，-4V
1401 pF @ 100 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
7-QFN（3x5）
7-PowerWQFN
EPC2308ENGRT
EPC2308ENGRT
TRANS GAN 150V .006OHM 3X5PQFN
EPC
51,136
现货
1 : $6.31000
剪切带（CT）
3,000 : $3.35151
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
150 V
48A（Tc）
5V
6 毫欧 @ 15A，5V
2.5V @ 5mA
13.8 nC @ 5 V
+6V，-4V
2103 pF @ 75 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
7-QFN（3x5）
7-PowerWQFN
EPC2302
EPC2302
TRANS GAN 100V DIE .0018OHM
EPC
35,706
现货
1 : $6.61000
剪切带（CT）
3,000 : $4.42002
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
100 V
101A（Ta）
5V
1.8毫欧 @ 50A，5V
2.5V @ 14mA
23 nC @ 5 V
+6V，-4V
3200 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
7-QFN（3x5）
7-PowerWQFN
EPC2304ENGRT
EPC2304ENGRT
TRANS GAN 200V .005OHM 3X5PQFN
EPC
36,328
现货
1 : $8.41000
剪切带（CT）
3,000 : $4.47177
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
200 V
102A（Ta）
5V
3.1 毫欧 @ 32A，5V
2.5V @ 8mA
24 nC @ 5 V
+6V，-4V
3195 pF @ 100 V
-
-
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
7-QFN（3x5）
7-PowerWQFN
EPC2305ENGRT
EPC2305ENGRT
TRANS GAN 150V .003OHM 3X5MM QFN
EPC
1,100
现货
1 : $7.93000
剪切带（CT）
3,000 : $4.21625
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
Digi-Key 停止提供
N 通道
GaNFET（氮化镓）
150 V
80A（Ta）
5V
2.2 毫欧 @ 30A，5V
2.5V @ 11mA
21 nC @ 5 V
6V
2900 pF @ 75 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
7-QFN（3x5）
7-PowerWQFN
TRANS GAN 150V .0022OHM 3X5 7QFN
EPC2305
TRANS GAN 150V .0022OHM 3X5 7QFN
EPC
96
现货
1 : $6.85000
剪切带（CT）
3,000 : $3.64130
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
80A（Ta）
5V
2.2 毫欧 @ 30A，5V
2.5V @ 11mA
21 nC @ 5 V
6V
2900 pF @ 75 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
7-QFN（3x5）
7-PowerWQFN
EPC2306
EPC2306
TRANS GAN 100V .0038OHM 3X5PQFN
EPC
0
现货
查看交期
1 : $4.01000
剪切带（CT）
3,000 : $1.95435
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
100 V
48A（Ta）
5V
3.8 毫欧 @ 25A，5V
2.5V @ 7mA
16.3 nC @ 5 V
+6V，-4V
2366 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
7-QFN（3x5）
7-PowerWQFN
EPC2302
EPC2302ENGRT
TRANS GAN 100V DIE .0018OHM
EPC
0
现货
1 : $7.86000
剪切带（CT）
12,000 : $4.08750
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
GaNFET（氮化镓）
100 V
101A（Ta）
5V
1.8毫欧 @ 50A，5V
2.5V @ 14mA
23 nC @ 5 V
+6V，-4V
3200 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
7-QFN（3x5）
7-PowerWQFN
显示
/ 9

7-PowerWQFN 单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。