7.2A(Ta) 单 FET,MOSFET

结果 : 34
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.NXP USA Inc.onsemiPanjit International Inc.Toshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-OptiMOS™TrenchFET®TrenchMOS™U-MOSIIIU-MOSVIII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
12 V20 V30 V40 V200 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V2.5V,4.5V4.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
9.4 毫欧 @ 30A,10V10 毫欧 @ 8.8A,4.5V16 毫欧 @ 3.6A,10V18 毫欧 @ 9A,4.5V19.5 毫欧 @ 7A,10V20 毫欧 @ 10A,10V21 毫欧 @ 7.2A,4.5V21 毫欧 @ 9.1A,10V22.5 毫欧 @ 7.2A,4.5V23.5 毫欧 @ 7.2A,4.5V24 毫欧 @ 7.2A,10V25 毫欧 @ 3A,10V25 毫欧 @ 7.2A,4.5V32 毫欧 @ 7.2A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
700mV @ 250µA(最小)800mV @ 400µA900mV @ 250µA1V @ 250µA1.5V @ 250µA1.8V @ 250µA2V @ 100µA2V @ 250µA2.1V @ 250µA2.3V @ 1mA2.5V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 200µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
7 nC @ 10 V7.8 nC @ 4.5 V10.8 nC @ 10 V10.8 nC @ 4.5 V11 nC @ 10 V13.2 nC @ 10 V14 nC @ 10 V17.1 nC @ 10 V18.9 nC @ 4.5 V19 nC @ 10 V23.1 nC @ 4.5 V30 nC @ 10 V30 nC @ 5 V33.7 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±8V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
435 pF @ 10 V600 pF @ 100 V607 pF @ 15 V640 pF @ 10 V641 pF @ 15 V674 pF @ 20 V720 pF @ 15 V770 pF @ 15 V775 pF @ 15 V827 pF @ 20 V1643 pF @ 20 V1785 pF @ 10 V2083 pF @ 20 V2265 pF @ 15 V
功率耗散(最大值)
700mW(Ta),39W(Tc)780mW(Ta),21.5W(Tc)810mW(Ta)900mW(Ta)1W(Ta),30W(Tc)1.05W(Ta)1.4W(Ta)1.5W(Ta)1.56W(Ta)1.6W(Ta),42W(Tc)1.7W(Ta)1.7W(Ta),12.5W(Tc)2W(Ta)2.08W(Ta)
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)150°C(TJ)
供应商器件封装
6-DFN2020MD(2x2)8-SO8-SOP Advance(5x5)8-TSON Advance(3.1x3.1)8-TSSOP8-WDFN(3.3x3.3)DFN2020B-6DFN2020MD-6PG-DSO-8POWERDI3333-8PS-8(2.9x2.4)SOT-223-4SOT-23-3TO-252-3
封装/外壳
6-UDFN 裸露焊盘6-WDFN 裸露焊盘8-PowerVDFN8-PowerWDFN8-SMD,扁平引线8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)8-VDFNSOT-23-6 细型,TSOT-23-6TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-261-4,TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
34结果
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/ 34
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-252-2
DMP4051LK3-13
MOSFET P-CH 40V 7.2A TO252-3
Diodes Incorporated
32,387
现货
1,890,000
工厂
1 : ¥4.76000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.60335
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
7.2A(Ta)
4.5V,10V
51 毫欧 @ 12A,10V
3V @ 250µA
14 nC @ 10 V
±20V
674 pF @ 20 V
-
2.14W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
SOT223-3L
NDT451AN
MOSFET N-CH 30V 7.2A SOT-223-4
onsemi
6,413
现货
1 : ¥9.28000
剪切带(CT)
4,000 : ¥3.84466
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
7.2A(Ta)
4.5V,10V
35 毫欧 @ 7.2A,10V
3V @ 250µA
30 nC @ 10 V
±20V
720 pF @ 15 V
-
3W(Ta)
-65°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223-4
TO-261-4,TO-261AA
6-DFN2020MD_View 2
PMPB20XPEZ
MOSFET P-CH 20V 7.2A DFN2020MD-6
Nexperia USA Inc.
18,804
现货
1 : ¥3.86000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.31103
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
7.2A(Ta)
1.8V,4.5V
23.5 毫欧 @ 7.2A,4.5V
900mV @ 250µA
45 nC @ 4.5 V
±12V
2945 pF @ 10 V
-
1.7W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DFN2020MD-6
6-UDFN 裸露焊盘
AP6320x
DMP2035UVTQ-7
MOSFET P-CH 20V 7.2A TSOT26
Diodes Incorporated
8,379
现货
279,000
工厂
1 : ¥4.10000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.10815
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
7.2A(Ta)
1.8V,4.5V
35 毫欧 @ 4A,4.5V
1.5V @ 250µA
23.1 nC @ 4.5 V
±12V
2400 pF @ 10 V
-
2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TSOT-23-6
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
PowerDI3333-8
DMP4025SFGQ-13
MOSFET P-CH 40V 7.2A PWRDI3333-8
Diodes Incorporated
1,645
现货
1 : ¥4.93000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.86092
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
7.2A(Ta)
4.5V,10V
25 毫欧 @ 3A,10V
1.8V @ 250µA
33.7 nC @ 10 V
±20V
1643 pF @ 20 V
-
810mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
8-WDFN
NTTFS4C13NTAG
MOSFET N-CH 30V 7.2A 8WDFN
onsemi
552
现货
1 : ¥5.17000
剪切带(CT)
1,500 : ¥2.21280
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
7.2A(Ta)
4.5V,10V
9.4 毫欧 @ 30A,10V
2.1V @ 250µA
7.8 nC @ 4.5 V
±20V
770 pF @ 15 V
-
780mW(Ta),21.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-WDFN(3.3x3.3)
8-PowerWDFN
8 SO
ZXMN3B04N8TA
MOSFET N-CH 30V 7.2A 8SO
Diodes Incorporated
2,697
现货
27,500
工厂
1 : ¥9.44000
剪切带(CT)
500 : ¥5.11394
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
7.2A(Ta)
2.5V,4.5V
25 毫欧 @ 7.2A,4.5V
700mV @ 250µA(最小)
23.1 nC @ 4.5 V
±12V
2480 pF @ 15 V
-
2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
30,838
现货
1 : ¥12.89000
剪切带(CT)
5,000 : ¥5.08293
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
7.2A(Ta)
10V
114 毫欧 @ 3.6A,10V
4V @ 200µA
7 nC @ 10 V
±20V
600 pF @ 100 V
-
700mW(Ta),39W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-TSON Advance(3.1x3.1)
8-PowerVDFN
PowerDI3333-8
DMP4025SFGQ-7
MOSFET P-CH 40V 7.2A PWRDI3333-8
Diodes Incorporated
3,608
现货
2,418,000
工厂
1 : ¥4.93000
剪切带(CT)
2,000 : ¥1.86090
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
7.2A(Ta)
4.5V,10V
25 毫欧 @ 3A,10V
1.8V @ 250µA
33.7 nC @ 10 V
±20V
1643 pF @ 20 V
-
810mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
6-DFN2020MD_View 2
PMPB20XPE,115
MOSFET P-CH 20V 7.2A DFN2020MD-6
Nexperia USA Inc.
4,998
现货
1 : ¥3.86000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.31103
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
7.2A(Ta)
1.8V,4.5V
23.5 毫欧 @ 7.2A,4.5V
900mV @ 250µA
45 nC @ 4.5 V
±12V
2945 pF @ 10 V
-
1.7W(Ta),12.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DFN2020MD-6
6-UDFN 裸露焊盘
6-DFN2020MD_View 2
PMPB20EN,115
MOSFET N-CH 30V 7.2A DFN2020MD-6
Nexperia USA Inc.
6,168
现货
1 : ¥3.20000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.87172
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
7.2A(Ta)
4.5V,10V
19.5 毫欧 @ 7A,10V
2V @ 250µA
10.8 nC @ 10 V
±20V
435 pF @ 10 V
-
1.7W(Ta),12.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DFN2020MD-6
6-UDFN 裸露焊盘
6-DFN2020MD_View 2
PMPB20ENZ
MOSFET N-CH 30V 7.2A DFN2020MD-6
Nexperia USA Inc.
2,777
现货
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.81360
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
7.2A(Ta)
4.5V,10V
19.5 毫欧 @ 7A,10V
2V @ 250µA
10.8 nC @ 10 V
±20V
435 pF @ 10 V
-
1.7W(Ta),12.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DFN2020MD-6
6-UDFN 裸露焊盘
6-DFN2020MD_View 2
PMPB19XP,115
MOSFET P-CH 20V 7.2A DFN2020MD-6
Nexperia USA Inc.
1,960
现货
1 : ¥3.53000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.19854
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
7.2A(Ta)
1.8V,4.5V
22.5 毫欧 @ 7.2A,4.5V
900mV @ 250µA
43.2 nC @ 4.5 V
±12V
2890 pF @ 10 V
-
1.7W(Ta),12.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DFN2020MD-6
6-UDFN 裸露焊盘
8 SO
DMN3025LSS-13
MOSFET N CH 30V 7.2A 8-SO
Diodes Incorporated
2,500
现货
182,500
工厂
1 : ¥3.69000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.00564
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
7.2A(Ta)
4.5V,10V
20 毫欧 @ 10A,10V
2V @ 250µA
13.2 nC @ 10 V
±20V
641 pF @ 15 V
-
1.4W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
AP6320x
DMP2035UVTQ-13
MOSFET P-CH 20V 7.2A TSOT26
Diodes Incorporated
9,990
现货
30,000
工厂
1 : ¥4.10000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.95592
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
7.2A(Ta)
1.8V,4.5V
35 毫欧 @ 4A,4.5V
1.5V @ 250µA
23.1 nC @ 4.5 V
±12V
2400 pF @ 10 V
-
2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TSOT-23-6
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
TO-252-2
ZXMN4A06KTC
MOSFET N-CH 40V 7.2A TO252-3
Diodes Incorporated
2,336
现货
2,500
工厂
1 : ¥10.92000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.51580
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
7.2A(Ta)
4.5V,10V
50 毫欧 @ 4.5A,10V
1V @ 250µA
17.1 nC @ 10 V
±20V
827 pF @ 20 V
-
2.15W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
6-DFN2020MD (2x2)
PMPB16XN,115
MOSFET N-CH 30V 7.2A 6DFN
NXP USA Inc.
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
7.2A(Ta)
2.5V,4.5V
21 毫欧 @ 7.2A,4.5V
1.5V @ 250µA
10.8 nC @ 4.5 V
±12V
775 pF @ 15 V
-
1.7W(Ta),12.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-DFN2020MD(2x2)
6-UDFN 裸露焊盘
DFN2020B-6
PJQ2405_R1_00001
20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Panjit International Inc.
2,300
现货
1 : ¥4.84000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.82902
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
7.2A(Ta)
1.8V,4.5V
32 毫欧 @ 7.2A,4.5V
900mV @ 250µA
18.9 nC @ 4.5 V
±8V
1785 pF @ 10 V
-
2.8W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DFN2020B-6
6-WDFN 裸露焊盘
BSO303SPHXUMA1
MOSFET P-CH 30V 7.2A 8DSO
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
7.2A(Ta)
4.5V,10V
21 毫欧 @ 9.1A,10V
2V @ 100µA
54 nC @ 10 V
±20V
2330 pF @ 25 V
-
1.56W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-DSO-8
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
6-DFN2020MD_View 2
PMPB20XPEAX
MOSFET P-CH 20V 7.2A DFN2020MD-6
Nexperia USA Inc.
341
现货
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.27190
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
7.2A(Ta)
1.8V,4.5V
23.5 毫欧 @ 7.2A,4.5V
1V @ 250µA
45 nC @ 4.5 V
±12V
2945 pF @ 10 V
-
1.7W(Ta),12.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DFN2020MD-6
6-UDFN 裸露焊盘
8 SO
DMP4026LSS-13
MOSFET BVDSS: 31V~40V SO-8 T&R 2
Diodes Incorporated
0
现货
查看交期
2,500 : ¥1.91764
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
7.2A(Ta)
4.5V,10V
25 毫欧 @ 3A,10V
1.8V @ 250µA
45 nC @ 10 V
±20V
2083 pF @ 20 V
-
1.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
TO-252 D-Pak Top
DMP4051LK3Q-13
MOSFET BVDSS: 31V~40V TO252 T&R
Diodes Incorporated
0
现货
337,500
工厂
查看交期
2,500 : ¥2.00505
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
7.2A(Ta)
4.5V,10V
51 毫欧 @ 12A,10V
3V @ 250µA
14 nC @ 10 V
±20V
674 pF @ 20 V
-
2.14W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252(DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
8 SO
DMP4026LSSQ-13
MOSFET BVDSS: 31V~40V SO-8 T&R 2
Diodes Incorporated
0
现货
5,000
工厂
查看交期
2,500 : ¥2.11611
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
7.2A(Ta)
4.5V,10V
25 毫欧 @ 3A,10V
1.8V @ 250µA
45 nC @ 10 V
±20V
2083 pF @ 20 V
-
1.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
MOSFET P-CH 12V 7.2A 8DFN
DMP1022UWS-13
MOSFET P-CH 12V 7.2A 8DFN
Diodes Incorporated
0
现货
查看交期
10,000 : ¥2.24698
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
7.2A(Ta)
1.8V,4.5V
18 毫欧 @ 9A,4.5V
1V @ 250µA
30 nC @ 5 V
±8V
2847 pF @ 4 V
-
900mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
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表面贴装型
V-DFN3020-8
8-VDFN
MOSFET P-CH 12V 7.2A 8DFN
DMP1022UWS-7
MOSFET P-CH 12V 7.2A 8DFN
Diodes Incorporated
0
现货
查看交期
3,000 : ¥2.56156
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
7.2A(Ta)
1.8V,4.5V
18 毫欧 @ 9A,4.5V
1V @ 250µA
30 nC @ 5 V
±8V
2847 pF @ 4 V
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900mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
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表面贴装型
V-DFN3020-8
8-VDFN
显示
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7.2A(Ta) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。