6A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 274
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Central Semiconductor CorpDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorGoford SemiconductorInfineon TechnologiesIXYSMicro Commercial CoMicrochip TechnologyMicrosemi CorporationonsemiRohm SemiconductorSTMicroelectronicsTaiwan Semiconductor Corporation
系列
-*CoolMOS™CoolMOS™ CFD2CoolMOS™ CFD7CoolMOS™ P7CoolMOS™ PFD7CoolMOS™PFD7CoolSIC™ M1DeepGATE™, STripFET™ VIDepletionE
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产最后售卖在售
FET 类型
-N 通道P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)SiCFET(碳化硅)SiC(碳化硅结晶体管)
漏源电压(Vdss)
8 V12 V20 V30 V40 V60 V80 V100 V150 V200 V250 V300 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.2V,4.5V1.5V,4.5V1.8V,10V1.8V,4.5V1.95V,4.5V2.5V,10V2.5V,4.5V4.5V4.5V,10V5V,10V10V15V16V,20V18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
11.3 毫欧 @ 3A,4.5V14.3 毫欧 @ 3A,4.5V17 毫欧 @ 7.2A,4.5V17 毫欧 @ 9.9A,4.5V19 毫欧 @ 9.1A,10V20 毫欧 @ 3A,4.5V20 毫欧 @ 6.5A,4.5V20 毫欧 @ 8.3A,4.5V20 毫欧 @ 9.1A,4.5V22 毫欧 @ 4.2A,10V24 毫欧 @ 4.8A,10V24 毫欧 @ 6A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
600mV @ 250µA(最小)800mV @ 250µA900mV @ 250µA1V @ 250µA1V @ 250µA(最小)1.1V @ 250µA1.3V @ 250µA1.4V @ 250µA1.5V @ 250µA1.8V @ 250µA2V @ 250µA2.3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
2 nC @ 4.5 V3.6 nC @ 4.5 V6 nC @ 18 V6.2 nC @ 10 V6.8 nC @ 10 V6.8 nC @ 400 V7 nC @ 10 V7.5 nC @ 10 V8.5 nC @ 10 V8.5 nC @ 4.5 V8.8 nC @ 10 V9 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±5V±8V±12V±15V±16V±20V+23V,-10V+23V,-5V+25V,-5V±25V30V±30V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
184 pF @ 1000 V190 pF @ 50 V201 pF @ 400 V211 pF @ 400 V270 pF @ 100 V273 pF @ 100 V280 pF @ 25 V283 pF @ 24 V311 pF @ 100 V324 pF @ 100 V325 pF @ 15 V333 pF @ 1000 V
FET 功能
-耗尽模式肖特基二极管(隔离式)
功率耗散(最大值)
350mW(Tc)800mW(Tc)850mW(Ta),20W(Tc)1.2W(Ta),1.7W(Tc)1.2W(Tc)1.25W(Ta),2.1W(Tc)1.25W(Ta),2.5W(Tc)1.25W(Ta),20W(Tc)1.25W(Tc)1.3W(Ta),2.5W(Tc)1.6W(Ta),3.3W(Tc)1.6W(Tc)
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)-65°C ~ 175°C(TJ)-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)150°C150°C(TJ)-
等级
-军用汽车级
资质
-AEC-Q101MIL-PRF-19500/555
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
6-TSOP6-WDFN(2x2)8-DFN(3.15x3.05)8-QFN(2x2)8-SOIC8-SOP1206-8 ChipFET™CPT3D2PAKD2PAK-7D3PAKDPAK
封装/外壳
6-WDFN 裸露焊盘8-PowerUDFN8-PowerVDFN8-SMD,扁平引线8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)PowerPAK® 1212-8PowerPAK® CHIPFET™ 单PowerPAK® SC-70-6PowerPAK® SC-75-6SOT-23-6 细型,TSOT-23-6SOT-23-6TO-205AF 金属罐
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
274结果
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/ 274
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 23
SI2333-TP
MOSFET P-CH 12V 6A SOT23
Micro Commercial Co
29,790
现货
1 : ¥3.17000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.70551
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)12 V6A(Tc)4.5V150 毫欧 @ 500mA,1.5V1V @ 250µA2 nC @ 4.5 V±8V1275 pF @ 6 V-350mW(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
SI2333DDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 6A SOT23-3
Vishay Siliconix
15,924
现货
1 : ¥3.25000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.09609
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)12 V6A(Tc)1.5V,4.5V28 毫欧 @ 5A,4.5V1V @ 250µA35 nC @ 8 V±8V1275 pF @ 6 V-1.2W(Ta),1.7W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23-3(TO-236)TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
SI2312CDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 6A SOT23-3
Vishay Siliconix
120,054
现货
1 : ¥3.41000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.15059
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)20 V6A(Tc)1.8V,4.5V31.8 毫欧 @ 5A,4.5V1V @ 250µA18 nC @ 5 V±8V865 pF @ 10 V-1.25W(Ta),2.1W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23-3(TO-236)TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
Pkg 5547
SI5457DC-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 6A 1206-8
Vishay Siliconix
28,298
现货
1 : ¥4.47000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.51394
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)20 V6A(Tc)2.5V,4.5V36 毫欧 @ 4.9A,4.5V1.4V @ 250µA38 nC @ 10 V±12V1000 pF @ 10 V-5.7W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型1206-8 ChipFET™8-SMD,扁平引线
TO252-3
IPD60R600P7SAUMA1
MOSFET N-CH 600V 6A TO252-3
Infineon Technologies
2,001
现货
1 : ¥6.67000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.53088
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)600 V6A(Tc)10V600 毫欧 @ 1.7A,10V4V @ 80µA9 nC @ 10 V±20V363 pF @ 400 V-30W(Tc)-40°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型PG-TO252-3TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
MFG_DPAK(TO252-3)
STD6NF10T4
MOSFET N-CH 100V 6A DPAK
STMicroelectronics
4,998
现货
1 : ¥8.78000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.63303
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖N 通道MOSFET(金属氧化物)100 V6A(Tc)10V250 毫欧 @ 3A,10V4V @ 250µA14 nC @ 10 V±20V280 pF @ 25 V-30W(Tc)-65°C ~ 175°C(TJ)--表面贴装型DPAKTO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
PowerPAK 1212-8
SI7308DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 6A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
8,606
现货
1 : ¥9.19000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.81078
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V6A(Tc)4.5V,10V58 毫欧 @ 5.4A,10V3V @ 250µA20 nC @ 10 V±20V665 pF @ 15 V-3.2W(Ta),19.8W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型PowerPAK® 1212-8PowerPAK® 1212-8
8PowerVDFN
STL6P3LLH6
MOSFET P-CH 30V 6A POWERFLAT
STMicroelectronics
5,992
现货
1 : ¥9.19000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.80295
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)30 V6A(Tc)4.5V,10V30 毫欧 @ 3A,10V1V @ 250µA(最小)12 nC @ 4.5 V±20V1450 pF @ 25 V-2.9W(Tc)150°C(TJ)--表面贴装型PowerFlat™(3.3x3.3)8-PowerVDFN
PG-SOT223
IPN95R1K2P7ATMA1
MOSFET N-CH 950V 6A SOT223
Infineon Technologies
5,872
现货
1 : ¥10.24000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.22326
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)950 V6A(Tc)10V1.2 欧姆 @ 2.7A,10V3.5V @ 140µA15 nC @ 10 V±20V478 pF @ 400 V-7W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型PG-SOT223TO-261-4,TO-261AA
TO252-3
IPD80R900P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 6A TO252-3
Infineon Technologies
4,884
现货
1 : ¥10.81000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.47655
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)800 V6A(Tc)10V900 毫欧 @ 2.2A,10V3.5V @ 110µA15 nC @ 10 V±20V350 pF @ 500 V-45W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型PG-TO252-3TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-263AB
IXFA6N120P
MOSFET N-CH 1200V 6A TO263
IXYS
3,694
现货
1 : ¥82.36000
管件
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)1200 V6A(Tc)10V2.4 欧姆 @ 500mA,10V5V @ 1mA92 nC @ 10 V±30V2830 pF @ 25 V-250W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型TO-263AA(IXFA)TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
9,814
现货
1 : ¥3.50000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.16754
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V6A(Tc)4.5V,10V90 毫欧 @ 3A,10V2.5V @ 250µA11 nC @ 10 V±20V525 pF @ 30 V-7.8W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-223TO-261-4,TO-261AA
Pkg 5540
SI3433CDV-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP
Vishay Siliconix
13,860
现货
1 : ¥3.98000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.33226
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)20 V6A(Tc)1.8V,4.5V38 毫欧 @ 5.2A,4.5V1V @ 250µA45 nC @ 8 V±8V1300 pF @ 10 V-1.6W(Ta),3.3W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型6-TSOPSOT-23-6 细型,TSOT-23-6
SOT-23-3
SI2399DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 6A SOT23-3
Vishay Siliconix
6,987
现货
1 : ¥3.98000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.33226
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)20 V6A(Tc)2.5V,10V34 毫欧 @ 5.1A,10V1.5V @ 250µA20 nC @ 4.5 V±12V835 pF @ 10 V-2.5W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23-3(TO-236)TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
SI2342DS-T1-GE3
MOSFET N-CH 8V 6A SOT-23
Vishay Siliconix
4,715
现货
1 : ¥3.98000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.33226
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)8 V6A(Tc)1.2V,4.5V17 毫欧 @ 7.2A,4.5V800mV @ 250µA15.8 nC @ 4.5 V±5V1070 pF @ 4 V-2.5W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23-3(TO-236)TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-6
STT6N3LLH6
MOSFET N-CH 30V 6A SOT23-6
STMicroelectronics
24,194
现货
1 : ¥4.88000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.86043
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V6A(Tc)4.5V,10V25 毫欧 @ 3A,10V1V @ 250µA3.6 nC @ 4.5 V±20V283 pF @ 24 V-1.6W(Tc)150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23-6SOT-23-6
8-SOIC
SI4485DY-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 6A 8SO
Vishay Siliconix
6,503
现货
1 : ¥4.96000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.87214
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)30 V6A(Tc)4.5V,10V42 毫欧 @ 5.9A,10V2.5V @ 250µA21 nC @ 10 V±20V590 pF @ 15 V-2.4W(Ta),5W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-SOIC8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
TO252-3
IPD70R900P7SAUMA1
MOSFET N-CH 700V 6A TO252-3
Infineon Technologies
12,305
现货
1 : ¥5.61000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.14244
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)700 V6A(Tc)10V900 毫欧 @ 1.1A,10V3.5V @ 60µA6.8 nC @ 10 V±16V211 pF @ 400 V-30.5W(Tc)-40°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型PG-TO252-3TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
SOT-23-3
SI2323CDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 6A SOT23-3
Vishay Siliconix
6,792
现货
1 : ¥5.85000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.22316
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)20 V6A(Tc)1.8V,4.5V39 毫欧 @ 4.6A,4.5V1V @ 250µA25 nC @ 4.5 V±8V1090 pF @ 10 V-1.25W(Ta),2.5W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23-3(TO-236)TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
8-SOIC
STS6NF20V
MOSFET N-CH 20V 6A 8SO
STMicroelectronics
3,811
现货
1 : ¥6.50000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.46188
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)20 V6A(Tc)1.95V,4.5V40 毫欧 @ 3A,4.5V600mV @ 250µA(最小)11.5 nC @ 4.5 V±12V460 pF @ 15 V-2.5W(Tc)150°C(TJ)--表面贴装型8-SOIC8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
Pkg 5547
SI5424DC-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8
Vishay Siliconix
1,681
现货
1 : ¥6.75000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.55548
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V6A(Tc)4.5V,10V24 毫欧 @ 4.8A,10V2.3V @ 250µA32 nC @ 10 V±25V950 pF @ 15 V-2.5W(Ta),6.25W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型1206-8 ChipFET™8-SMD,扁平引线
Pkg 5547
SI5403DC-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 6A 1206-8
Vishay Siliconix
5,723
现货
1 : ¥8.13000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.36245
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)30 V6A(Tc)4.5V,10V30 毫欧 @ 7.2A,10V3V @ 250µA42 nC @ 10 V±20V1340 pF @ 15 V-2.5W(Ta),6.3W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型1206-8 ChipFET™8-SMD,扁平引线
MFG_DPAK(TO252-3)
STD9N40M2
MOSFET N-CH 400V 6A DPAK
STMicroelectronics
2,485
现货
1 : ¥8.13000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.36247
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)400 V6A(Tc)10V800 毫欧 @ 3A,10V4V @ 250µA8.8 nC @ 10 V±25V270 pF @ 100 V-60W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型DPAKTO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
PG-TO-220-FP
IPA95R1K2P7XKSA1
MOSFET N-CH 950V 6A TO220
Infineon Technologies
335
现货
1 : ¥12.76000
管件
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)950 V6A(Tc)10V1.2 欧姆 @ 2.7A,10V3.5V @ 140µA15 nC @ 10 V±20V478 pF @ 400 V-27W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--通孔PG-TO220-FPTO-220-3 整包
TO-220-3
SPP06N80C3XKSA1
MOSFET N-CH 800V 6A TO220-3
Infineon Technologies
4,865
现货
1 : ¥16.91000
管件
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)800 V6A(Tc)10V900 毫欧 @ 3.8A,10V3.9V @ 250µA41 nC @ 10 V±20V785 pF @ 100 V-83W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--通孔PG-TO220-3TO-220-3
显示
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6A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。