600A(Tc) 单 FET,MOSFET
结果 : 5
制造商
系列
包装
技术
漏源电压(Vdss)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
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比较 | 制造商零件编号 | 现有数量 | 价格 | 系列 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏源电压(Vdss) | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | Vgs(最大值) | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | FET 功能 | 功率耗散(最大值) | 工作温度 | 安装类型 | 供应商器件封装 | 封装/外壳 |
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20 现货 | 1 : ¥311.38000 管件 | 管件 | 在售 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 40 V | 600A(Tc) | 10V | 1.3 毫欧 @ 100A,10V | 3.5V @ 250µA | 590 nC @ 10 V | ±20V | 40000 pF @ 25 V | - | 830W(Tc) | -55°C ~ 175°C(TJ) | 表面贴装型 | 24-SMPD | 24-PowerSMD,21 引线 | |||
0 现货 查看交期 | 1 : ¥298.57000 管件 | 管件 | 在售 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 40 V | 600A(Tc) | 10V | 1.05 毫欧 @ 100A,10V | 3.5V @ 250µA | 590 nC @ 10 V | ±20V | 40000 pF @ 25 V | - | 940W(Tc) | -55°C ~ 175°C(TJ) | 底座安装 | SOT-227B | SOT-227-4,miniBLOC | |||
0 现货 查看交期 | 300 : ¥136.53813 管件 | 管件 | 在售 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 40 V | 600A(Tc) | 10V | 1.5 毫欧 @ 100A,10V | 3.5V @ 250µA | 590 nC @ 10 V | ±20V | 40000 pF @ 25 V | - | 1250W(Tc) | -55°C ~ 175°C(TJ) | 通孔 | PLUS247™-3 | TO-247-3 变式 | |||
0 现货 查看交期 | 300 : ¥138.26540 管件 | 管件 | 在售 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 40 V | 600A(Tc) | 10V | 1.5 毫欧 @ 100A,10V | 3.5V @ 250µA | 590 nC @ 10 V | ±20V | 40000 pF @ 25 V | - | 1250W(Tc) | -55°C ~ 175°C(TJ) | 通孔 | TO-264(IXTK) | TO-264-3,TO-264AA | |||
0 现货 查看交期 | 4 : ¥10,268.12750 托盘 | - | 托盘 | 在售 | N 通道 | SiCFET(碳化硅) | 1200 V | 600A(Tc) | - | - | 5.6V @ 182mA | - | +22V,-4V | 28000 pF @ 10 V | - | 2460W(Tc) | 175°C(TJ) | 底座安装 | 模块 | 模块 |
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