600A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 5
制造商
IXYSLittelfuse Inc.Rohm Semiconductor
系列
-FRFET®, SupreMOS®TrenchT2™
包装
托盘管件
技术
MOSFET(金属氧化物)SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)
40 V1200 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V-
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.05 毫欧 @ 100A,10V1.3 毫欧 @ 100A,10V1.5 毫欧 @ 100A,10V-
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 250µA5.6V @ 182mA
Vgs(最大值)
±20V+22V,-4V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
28000 pF @ 10 V40000 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
830W(Tc)940W(Tc)1250W(Tc)2460W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)175°C(TJ)
安装类型
底座安装表面贴装型通孔
供应商器件封装
24-SMPDPLUS247™-3SOT-227BTO-264(IXTK)模块
封装/外壳
24-PowerSMD,21 引线SOT-227-4,miniBLOCTO-247-3 变式TO-264-3,TO-264AA模块
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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/ 5
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
MMIX1T600N04T2
MMIX1T600N04T2
MOSFET N-CH 40V 600A 24SMPD
IXYS
20
现货
1 : ¥311.38000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
600A(Tc)
10V
1.3 毫欧 @ 100A,10V
3.5V @ 250µA
590 nC @ 10 V
±20V
40000 pF @ 25 V
-
830W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
24-SMPD
24-PowerSMD,21 引线
IXYK1x0xNxxxx
IXTN600N04T2
MOSFET N-CH 40V 600A SOT227B
Littelfuse Inc.
0
现货
查看交期
1 : ¥298.57000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
600A(Tc)
10V
1.05 毫欧 @ 100A,10V
3.5V @ 250µA
590 nC @ 10 V
±20V
40000 pF @ 25 V
-
940W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
底座安装
SOT-227B
SOT-227-4,miniBLOC
TO-247 Plus X
IXTX600N04T2
MOSFET N-CH 40V 600A PLUS247-3
Littelfuse Inc.
0
现货
查看交期
300 : ¥136.53813
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
600A(Tc)
10V
1.5 毫欧 @ 100A,10V
3.5V @ 250µA
590 nC @ 10 V
±20V
40000 pF @ 25 V
-
1250W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
PLUS247™-3
TO-247-3 变式
TO-264
IXTK600N04T2
MOSFET N-CH 40V 600A TO264
Littelfuse Inc.
0
现货
查看交期
300 : ¥138.26540
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
600A(Tc)
10V
1.5 毫欧 @ 100A,10V
3.5V @ 250µA
590 nC @ 10 V
±20V
40000 pF @ 25 V
-
1250W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-264(IXTK)
TO-264-3,TO-264AA
BSM180C12P2E202
BSM600C12P3G201
SICFET N-CH 1200V 600A MODULE
Rohm Semiconductor
0
现货
查看交期
4 : ¥10,268.12750
托盘
-
托盘
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
600A(Tc)
-
-
5.6V @ 182mA
-
+22V,-4V
28000 pF @ 10 V
-
2460W(Tc)
175°C(TJ)
底座安装
模块
模块
显示
/ 5

600A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。