6.6A(Ta) 单 FET,MOSFET

结果 : 16
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Comchip TechnologyDiodes IncorporatedInfineon TechnologiesNXP USA Inc.onsemiPanjit International Inc.
系列
-HEXFET®PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
12 V20 V30 V40 V60 V100 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.5V,4.5V1.8V,4.5V4.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
12 毫欧 @ 11.4A,10V23 毫欧 @ 6.5A,10V24 毫欧 @ 8A,4.5V25 毫欧 @ 5A,10V25 毫欧 @ 6.6A,4.5V28 毫欧 @ 6.6A,10V29 毫欧 @ 4A,4.5V34 毫欧 @ 6A,10V36 毫欧 @ 6.6A,4.5V40 毫欧 @ 6.6A,4.5V42 毫欧 @ 6.6A,4.5V60 毫欧 @ 3.2A,10V60 毫欧 @ 3.8A,10V480 毫欧 @ 3.9A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
950mV @ 250µA1V @ 250µA1.2V @ 250µA2V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
4.1 nC @ 4.5 V7.1 nC @ 4.5 V12.5 nC @ 10 V14 nC @ 4.5 V17 nC @ 4.5 V20 nC @ 10 V25 nC @ 10 V26.1 nC @ 8 V27 nC @ 10 V29.6 nC @ 10 V34 nC @ 10 V44 nC @ 8 V53.1 nC @ 10 V55 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±8V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
350 pF @ 25 V400 pF @ 10 V460 pF @ 10 V643 pF @ 15 V930 pF @ 10 V965 pF @ 20 V1000 pF @ 10 V1173 pF @ 25 V1325 pF @ 30 V1357.4 pF @ 10 V1490 pF @ 50 V2200 pF @ 10 V2569 pF @ 30 V3100 pF @ 24 V
功率耗散(最大值)
613mW(Ta)740mW(Ta)840mW(Ta)1.2W(Ta)1.7W(Ta),12.5W(Tc)2W(Ta)2.15W(Ta)2.2W(Ta)2.4W(Ta)2.5W(Ta)3.6W(Ta),83.3W(Tc)3.7W(Ta)-
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
供应商器件封装
6-DFN2020MD(2x2)6-MicroFET(2x2)6-TSOP8-SO8-SOICDFN5x6(PR-PAK)Software Configurable Input/OutputSOT-223SOT-223-4SOT-23-6TO-252-3TO-252AA (DPAK)TSOT-23-6TSOT-26
封装/外壳
6-PowerUFDFN6-UDFN 裸露焊盘6-WDFN 裸露焊盘8-PowerTDFN8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)SC-74,SOT-457SOT-23-6SOT-23-6 细型,TSOT-23-6TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-261-4,TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
16结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 16
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8 SO
DMP6023LSS-13
MOSFET P-CH 60V 6.6A 8SO
Diodes Incorporated
13,579
现货
225,000
工厂
1 : ¥6.90000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.60545
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
6.6A(Ta)
4.5V,10V
25 毫欧 @ 5A,10V
3V @ 250µA
53.1 nC @ 10 V
±20V
2569 pF @ 30 V
-
1.2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8 SOIC
NTMS4177PR2G
MOSFET P-CH 30V 6.6A 8SOIC
onsemi
6,517
现货
1 : ¥8.46000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.50762
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
6.6A(Ta)
4.5V,10V
12 毫欧 @ 11.4A,10V
2.5V @ 250µA
55 nC @ 10 V
±20V
3100 pF @ 24 V
-
840mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
SOT223-3L
FDT86102LZ
MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT223-4
onsemi
3,006
现货
1 : ¥17.40000
剪切带(CT)
4,000 : ¥7.83232
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
6.6A(Ta)
4.5V,10V
28 毫欧 @ 6.6A,10V
3V @ 250µA
25 nC @ 10 V
±20V
1490 pF @ 50 V
-
2.2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223-4
TO-261-4,TO-261AA
AP6320x
DMN3026LVT-7
MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26
Diodes Incorporated
14,004
现货
51,000
工厂
1 : ¥3.12000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.83571
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
6.6A(Ta)
4.5V,10V
23 毫欧 @ 6.5A,10V
2V @ 250µA
12.5 nC @ 10 V
±20V
643 pF @ 15 V
-
1.2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TSOT-23-6
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
DMP2035UFCL-7
DMP2035UFCL-7
MOSFET P-CH 20V 6.6A 6UDFN
Diodes Incorporated
10,512
现货
165,000
工厂
1 : ¥4.93000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.86104
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
6.6A(Ta)
1.8V,4.5V
24 毫欧 @ 8A,4.5V
1V @ 250µA
44 nC @ 8 V
±8V
2200 pF @ 10 V
-
740mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
Software Configurable Input/Output
6-PowerUFDFN
6-WDFN Exposed Pad
FDMA291P
MOSFET P-CH 20V 6.6A 6MICROFET
onsemi
5,193
现货
1 : ¥5.66000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.16587
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
6.6A(Ta)
1.8V,4.5V
42 毫欧 @ 6.6A,4.5V
1V @ 250µA
14 nC @ 4.5 V
±8V
1000 pF @ 10 V
-
2.4W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-MicroFET(2x2)
6-WDFN 裸露焊盘
TO-252-2
ZXMP4A16KTC
MOSFET P-CH 40V 6.6A TO252-3
Diodes Incorporated
32,499
现货
40,000
工厂
1 : ¥7.31000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.87917
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
6.6A(Ta)
4.5V,10V
60 毫欧 @ 3.8A,10V
1V @ 250µA
29.6 nC @ 10 V
±20V
965 pF @ 20 V
-
2.15W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
7,814
现货
1 : ¥3.61000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.22305
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
6.6A(Ta)
1.8V,4.5V
40 毫欧 @ 6.6A,4.5V
950mV @ 250µA
17 nC @ 4.5 V
±8V
930 pF @ 10 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSOP
SC-74,SOT-457
X1-DFN1616-6
DMP1245UFCL-7
MOSFET P-CH 12V 6.6A X1-DFN1616
Diodes Incorporated
3,703
现货
72,000
工厂
1 : ¥4.93000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.86104
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
6.6A(Ta)
1.5V,4.5V
29 毫欧 @ 4A,4.5V
950mV @ 250µA
26.1 nC @ 8 V
±8V
1357.4 pF @ 10 V
-
613mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
X1-DFN1616-6(E 类)
6-PowerUFDFN
TSOT-26
DMN3026LVTQ-7
MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26
Diodes Incorporated
2,995
现货
342,000
工厂
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.28422
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
6.6A(Ta)
4.5V,10V
23 毫欧 @ 6.5A,10V
2V @ 250µA
12.5 nC @ 10 V
±20V
643 pF @ 15 V
-
1.2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TSOT-26
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
TO-261-4, TO-261AA
PJW7N06A-AU_R2_000A1
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Panjit International Inc.
15,000
现货
1 : ¥4.35000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.14839
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
6.6A(Ta)
4.5V,10V
34 毫欧 @ 6A,10V
2.5V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
1173 pF @ 25 V
-
3.7W(Ta)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
TSOT-26
DMN3026LVTQ-13
MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26
Diodes Incorporated
0
现货
查看交期
10,000 : ¥1.13185
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
6.6A(Ta)
4.5V,10V
23 毫欧 @ 6.5A,10V
2V @ 250µA
12.5 nC @ 10 V
±20V
643 pF @ 15 V
-
1.2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TSOT-26
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
SOT-23-6
PJS6414_S1_00001
20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Panjit International Inc.
0
现货
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.88762
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
Digi-Key 停止提供
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
6.6A(Ta)
1.8V,4.5V
36 毫欧 @ 6.6A,4.5V
1.2V @ 250µA
4.1 nC @ 4.5 V
±12V
400 pF @ 10 V
-
2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-6
SOT-23-6
TO252-3
IRFR9120NCPBF
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Infineon Technologies
0
现货
750 : ¥5.46109
管件
管件
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
6.6A(Ta)
10V
480 毫欧 @ 3.9A,10V
4V @ 250µA
27 nC @ 10 V
±20V
350 pF @ 25 V
-
-
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
6-DFN2020MD (2x2)
PMPB20UN,115
MOSFET N-CH 20V 6.6A 6DFN
NXP USA Inc.
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
6.6A(Ta)
1.8V,4.5V
25 毫欧 @ 6.6A,4.5V
1V @ 250µA
7.1 nC @ 4.5 V
±8V
460 pF @ 10 V
-
1.7W(Ta),12.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-DFN2020MD(2x2)
6-UDFN 裸露焊盘
MOSFET N-CH 100V 6.6A DFN5X6
CMS42N10H8-HF
MOSFET N-CH 100V 6.6A DFN5X6
Comchip Technology
0
现货
停产
-
散装
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
6.6A(Ta)
4.5V,10V
60 毫欧 @ 3.2A,10V
2.5V @ 250µA
34 nC @ 10 V
±20V
1325 pF @ 30 V
-
3.6W(Ta),83.3W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DFN5x6(PR-PAK)
8-PowerTDFN
显示
/ 16

6.6A(Ta) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。