6.5A(Ta) 单 FET,MOSFET

结果 : 79
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedGood-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesMicro Commercial CoonsemiPanasonic Electronic ComponentsPanjit International Inc.Rohm SemiconductorToshiba Semiconductor and StorageUMWVishay SiliconixYAGEO XSEMI
系列
-DTMOSIVFETKY™HEXFET®PowerTrench®SDMOS™TrenchFET®UMWXP9565π-MOSVII
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
不适用于新设计停产最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
12 V20 V30 V33 V40 V45 V60 V80 V100 V450 V800 V900 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.5V,4.5V1.8V,10V1.8V,4.5V2.5V,4.5V2.7V,4.5V4V,10V4.5V,10V6V,10V7V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
15.3mOhm @ 6.5A,10V18.1mOhm @ 6.5A,4.5V18.5 毫欧 @ 10A,10V18.5 毫欧 @ 9A,10V19 毫欧 @ 3A,4.5V19 毫欧 @ 6.5A,10V19.5 毫欧 @ 10A,10V20 毫欧 @ 3.3A,10V20 毫欧 @ 6.5A,4.5V22 毫欧 @ 6.5A,4.5V22.5 毫欧 @ 6.5A,10V25 毫欧 @ 4A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
900mV @ 250µA1V @ 1mA1V @ 250µA1V @ 250µA(最小)1.1V @ 250µA1.2V @ 250µA1.25V @ 250µA1.4V @ 250µA1.5V @ 250µA1.5V @ 2mA1.8V @ 250µA2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
3.8 nC @ 4.5 V4.3 nC @ 10 V4.6 nC @ 4.5 V4.8 nC @ 4.5 V6.1 nC @ 5 V7 nC @ 5 V7.8 nC @ 4.5 V8 nC @ 4.5 V8.5 nC @ 4.5 V8.6 nC @ 4.5 V8.6 nC @ 5 V9.1 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±8V±10V±12V±16V20V±20V±25V±30V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
151 pF @ 10 V260 pF @ 15 V270 pF @ 15 V360 pF @ 10 V365 pF @ 15 V410 pF @ 20 V414 pF @ 10 V430 pF @ 10 V460 pF @ 15 V486 pF @ 10 V520 pF @ 15 V540 pF @ 25 V
FET 功能
-肖特基二极管(隔离式)
功率耗散(最大值)
700mW(Ta)760mW(Ta)780mW(Ta)800mW(Ta)910mW(Ta)1W(Ta)1.1W(Ta),2.7W(Tc)1.25W(Ta)1.3W(Ta)1.4W(Ta)1.5W(Ta)1.8W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)150°C150°C(TA)150°C(TJ)-
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
4-MICRO FOOT®(1.6x1.6)6-TSOP8-EMH8-SO8-SOIC8-SOP8-TSSOP-DFN1616-7TDFN2020B-6MPT6Micro6™(SOT23-6)
封装/外壳
3-SMD,SOT-23-3 变式4-UFBGA6-PowerUDFN6-PowerUFDFN6-SMD,扁平引线6-UDFN 裸露焊盘6-WDFN 裸露焊盘8-SMD,扁平引线8-SOIC8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
79结果
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/ 79
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
AO3416
MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
793,379
现货
1 : ¥2.05000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.61570
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
6.5A(Ta)
1.8V,4.5V
22 毫欧 @ 6.5A,4.5V
1V @ 250µA
16 nC @ 4.5 V
±8V
1160 pF @ 10 V
-
1.4W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
3-SMD,SOT-23-3 变式
SOT-23-3
DMG6968U-7
MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3
Diodes Incorporated
561,499
现货
30,000
工厂
1 : ¥3.04000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.81628
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
6.5A(Ta)
1.8V,4.5V
25 毫欧 @ 6.5A,4.5V
900mV @ 250µA
8.5 nC @ 4.5 V
±12V
151 pF @ 10 V
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
AOSS32136C
MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
215,166
现货
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.83114
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
6.5A(Ta)
2.5V,4.5V
20 毫欧 @ 6.5A,4.5V
1.25V @ 250µA
14 nC @ 4.5 V
±12V
660 pF @ 10 V
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
3-SMD,SOT-23-3 变式
SOT-23-6
IRLMS2002TRPBF
MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO6
Infineon Technologies
87,493
现货
1 : ¥5.17000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.95306
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
6.5A(Ta)
2.5V,4.5V
30 毫欧 @ 6.5A,4.5V
1.2V @ 250µA
22 nC @ 5 V
±12V
1310 pF @ 15 V
-
2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
Micro6™(SOT23-6)
SOT-23-6
SOT-23-3
DMN2053UQ-13
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 1
Diodes Incorporated
9,588
现货
10,000
工厂
1 : ¥2.87000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.42850
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
6.5A(Ta)
1.8V,10V
29 毫欧 @ 6A,10V
1.2V @ 250µA
4.6 nC @ 4.5 V
±12V
414 pF @ 10 V
-
800mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
27,760
现货
1 : ¥3.04000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.66789
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
6.5A(Ta)
1.8V,4.5V
22 毫欧 @ 6.5A,4.5V
1V @ 250µA
8.6 nC @ 4.5 V
±8V
836 pF @ 10 V
-
1.25W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
DMN2053U-7
MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23 T&R 3
Diodes Incorporated
2,160
现货
51,000
工厂
1 : ¥3.04000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.66936
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
6.5A(Ta)
1.8V,10V
29 毫欧 @ 6A,10V
1.2V @ 250µA
4.6 nC @ 4.5 V
±12V
414 pF @ 10 V
-
800mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
8 SO
DMP2038USS-13
MOSFET P-CH 20V 6.5A 8SO
Diodes Incorporated
12,305
现货
25,000
工厂
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.02252
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
6.5A(Ta)
2.5V,4.5V
38 毫欧 @ 5A,4.5V
1.1V @ 250µA
14.4 nC @ 4.5 V
±8V
1496 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
SI4800BDY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO
Vishay Siliconix
4,674
现货
1 : ¥7.22000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.75414
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
6.5A(Ta)
4.5V,10V
18.5 毫欧 @ 9A,10V
1.8V @ 250µA
13 nC @ 5 V
±25V
-
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
FDS3590
MOSFET N-CH 80V 6.5A 8SOIC
onsemi
2,500
现货
1 : ¥7.31000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.01621
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
6.5A(Ta)
6V,10V
39 毫欧 @ 6.5A,10V
4V @ 250µA
35 nC @ 10 V
±20V
1180 pF @ 40 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
SOT-23-6
PJS6417_S1_00001
20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Panjit International Inc.
5,707
现货
1 : ¥3.37000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.14471
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
6.5A(Ta)
1.8V,4.5V
35 毫欧 @ 6.5A,4.5V
900mV @ 250µA
18.9 nC @ 4.5 V
±8V
1760 pF @ 10 V
-
2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-6
SOT-23-6
8 SO
DMP2066LSS-13
MOSFET P-CH 20V 6.5A 8SOP
Diodes Incorporated
4,742
现货
25,000
工厂
1 : ¥5.17000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.73421
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
6.5A(Ta)
2.5V,4.5V
40 毫欧 @ 5.8A,4.5V
1.2V @ 250µA
-
±12V
820 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
TSMT3
RQ5E065AJTCL
MOSFET N-CH 30V 6.5A TSMT3
Rohm Semiconductor
7,986
现货
1 : ¥5.91000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.25672
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
6.5A(Ta)
2.5V,4.5V
18.1mOhm @ 6.5A,4.5V
1.5V @ 2mA
12.2 nC @ 4.5 V
±12V
1370 pF @ 15 V
-
760mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TSMT3
SC-96
8-SOIC
SI4800BDY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO
Vishay Siliconix
2,529
现货
1 : ¥7.22000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.75414
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
6.5A(Ta)
4.5V,10V
18.5 毫欧 @ 9A,10V
1.8V @ 250µA
13 nC @ 5 V
±25V
-
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
RSH065N06TB1
MOSFET N-CH 60V 6.5A 8SOP
Rohm Semiconductor
963
现货
1 : ¥11.08000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.59504
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
6.5A(Ta)
4V,10V
37 毫欧 @ 6.5A,10V
2.5V @ 1mA
16 nC @ 5 V
20V
900 pF @ 10 V
-
2W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOP
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
RSS065N06HZGTB
NCH 60V 6.5A POWER MOSFET. RSS06
Rohm Semiconductor
6,610
现货
1 : ¥12.89000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.34202
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
6.5A(Ta)
4V,10V
37 毫欧 @ 6.5A,10V
2.5V @ 1mA
16 nC @ 5 V
±20V
900 pF @ 10 V
-
2W(Ta)
150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-SOP
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-TSSOP 8-MSOP
SI6415DQ-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 6.5A 8TSSOP
Vishay Siliconix
5,011
现货
1 : ¥14.69000
剪切带(CT)
3,000 : ¥6.61657
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
6.5A(Ta)
4.5V,10V
19 毫欧 @ 6.5A,10V
1V @ 250µA(最小)
70 nC @ 10 V
±20V
-
-
1.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-TSSOP
8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
2,942
现货
1 : ¥4.10000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.09778
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
6.5A(Ta)
4.5V,10V
30 毫欧 @ 4A,10V
2.5V @ 250µA
7.8 nC @ 4.5 V
±20V
870 pF @ 15 V
-
2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DFN2020B-6
6-WDFN 裸露焊盘
4-MICRO FOOT
SI8457DB-T1-E1
MOSFET P-CH 12V 4MICRO FOOT
Vishay Siliconix
5,750
现货
1 : ¥4.76000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.60211
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
6.5A(Ta)
1.8V,4.5V
19 毫欧 @ 3A,4.5V
900mV @ 250µA
93 nC @ 8 V
±8V
2900 pF @ 6 V
-
1.1W(Ta),2.7W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
4-MICRO FOOT®(1.6x1.6)
4-UFBGA
846~TSMT8~~8 Top
RQ1C065UNTR
MOSFET N-CH 20V 6.5A TSMT8
Rohm Semiconductor
2,855
现货
1 : ¥5.34000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.79779
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
6.5A(Ta)
1.5V,4.5V
22 毫欧 @ 6.5A,4.5V
1V @ 1mA
11 nC @ 4.5 V
±10V
870 pF @ 10 V
-
700mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TSMT8
8-SMD,扁平引线
X1-DFN1616-6
RW4E065GNTCL1
NCH 30V 6.5A, HEML1616L7, POWER
Rohm Semiconductor
2,490
现货
1 : ¥8.46000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.48588
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
6.5A(Ta)
4.5V,10V
22.5 毫欧 @ 6.5A,10V
2.5V @ 1mA
4.3 nC @ 10 V
±20V
260 pF @ 15 V
-
1.5W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DFN1616-7T
6-PowerUFDFN
8-SOIC
RSH065N06GZETB
MOSFET N-CH 60V 6.5A 8SOP
Rohm Semiconductor
109
现货
1 : ¥10.26000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.24417
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
6.5A(Ta)
4V,10V
37 毫欧 @ 6.5A,10V
2.5V @ 1mA
16 nC @ 5 V
20V
900 pF @ 10 V
-
2W(Ta)
150°C
-
-
表面贴装型
8-SOP
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
SOT-23-3
DMN2053UQ-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Diodes Incorporated
2,965
现货
90,000
工厂
1 : ¥2.87000
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
6.5A(Ta)
1.8V,10V
29 毫欧 @ 6A,10V
1.2V @ 250µA
4.6 nC @ 4.5 V
±12V
414 pF @ 10 V
-
800mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
DMN2053U-13
MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23 T&R 1
Diodes Incorporated
9,918
现货
190,000
工厂
1 : ¥3.04000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.57961
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
6.5A(Ta)
1.8V,10V
29 毫欧 @ 6A,10V
1.2V @ 250µA
4.6 nC @ 4.5 V
±12V
414 pF @ 10 V
-
800mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
U-DFN2020-6 Type F
DMN2025UFDF-7
MOSFET N-CH 20V 6.5A 6UDFN
Diodes Incorporated
6,000
现货
15,000
工厂
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.89277
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
6.5A(Ta)
1.8V,4.5V
25 毫欧 @ 4A,4.5V
1V @ 250µA
12.3 nC @ 10 V
±10V
486 pF @ 10 V
-
700mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
U-DFN2020-6(F 类)
6-UDFN 裸露焊盘
显示
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6.5A(Ta) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。