5A(Ta) 单 FET,MOSFET

结果 : 183
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Comchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEPCGood-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesMicro Commercial CoNexperia USA Inc.onsemiPanjit International Inc.Renesas Electronics Corporation
系列
-AlphaSGT™Automotive, AEC-Q101DeepGATE™, STripFET™ H6eGaN®HEXFET®LITTLE FOOT®NexFET™PowerTrench®TrenchFET®TrenchMOS™U-MOSIIIU-MOSIII-HU-MOSV
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产最后售卖在售
FET 类型
-N 通道P 通道
技术
-GaNFET(氮化镓)MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
8 V12 V20 V30 V40 V55 V60 V100 V150 V200 V250 V450 V500 V525 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.5V,4.5V1.5V,4V1.8V,4.5V2.5V,10V2.5V,4.5V2.5V,8.5V2.5V,8V3V,8V4V,10V4.5V4.5V,10V5V6V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
5.7 毫欧 @ 2A,4.5V9.9m옴 @ 2A,4.5V18 毫欧 @ 7A,4.5V20 毫欧 @ 10A,10V26 毫欧 @ 5A,10V26 毫欧 @ 5A,4.5V27 毫欧 @ 5A,10V28 毫欧 @ 14.2A,10V28 毫欧 @ 1A,10V28 毫欧 @ 6.7A,10V28毫欧 @ 4A,4V29 毫欧 @ 5A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
800mV @ 250µA(最小)850mV @ 250µA900mV @ 250µA950mV @ 250µA1V @ 1mA1V @ 250µA1V @ 250µA(最小)1.05V @ 250µA1.1V @ 10µA1.2V @ 1mA1.2V @ 200µA1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
1.3 nC @ 5 V2.7 nC @ 4.5 V3.2 nC @ 4.5 V4.7 nC @ 4.5 V4.8 nC @ 4.5 V5.4 nC @ 10 V5.5 nC @ 4.5 V5.6 nC @ 10 V5.8 nC @ 10 V5.9 nC @ 5 V6 nC @ 4.5 V6.3 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
-6V+6V,-4V±8V+10V,-8V±10V±12V±16V+20V,-25V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
140 pF @ 100 V235 pF @ 15 V258 pF @ 50 V280 pF @ 10 V290 pF @ 10 V292 pF @ 10 V300 pF @ 25 V310 pF @ 15 V320 pF @ 25 V325 pF @ 6 V330 pF @ 20 V340 pF @ 15 V
FET 功能
-肖特基二极管(隔离式)
功率耗散(最大值)
350mW(Ta)540mW(Ta),6.25W(Tc)600mW(Ta)610mW(Ta),8.3W(Tc)650mW(Ta)700mW(Ta)750mW(Ta)760mW(Ta)790mW(Ta)800mW(Ta)940mW(Ta)950mW(Ta)
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)150°C150°C(TJ)175°C-
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
-表面贴装型通孔
供应商器件封装
4-TFP(9.2x9.2)4-WLCSP(0.78x0.78)6-CPH6-MCPH6-MicroFET(2x2)6-QFN(2x2)6-TSOP6-WDFN(2x2)6-WSON(2x2)8-DFN(5x6)8-MSOP8-SO
封装/外壳
3-SMD,SOT-23-3 变式4-XFBGA,DSBGA4-XFBGA,WLCSP6-SMD,扁平引线6-TSSOP,SC-88,SOT-3636-UDFN 裸露焊盘6-UFBGA,WLCSP6-VSSOP,SC-88,SOT-3636-WDFN 裸露焊盘8-PowerTDFN8-PowerVDFN8-SMD,扁平引线
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
183结果
应用的筛选条件 删除全部

显示
/ 183
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
IRLML6344TRPBF
MOSFET N-CH 30V 5A MICRO3/SOT23
Infineon Technologies
140,335
现货
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.02901
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5A(Ta)
2.5V,4.5V
29 毫欧 @ 5A,4.5V
1.1V @ 10µA
6.8 nC @ 4.5 V
±12V
650 pF @ 25 V
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
16,898
现货
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.01213
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5A(Ta)
4.5V,10V
52 毫欧 @ 5A,10V
3V @ 250µA
18 nC @ 10 V
±20V
840 pF @ 15 V
-
2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSOP
SC-74,SOT-457
SOT223-3L
NDT452AP
MOSFET P-CH 30V 5A SOT-223-4
onsemi
15,872
现货
1 : ¥7.63000
剪切带(CT)
4,000 : ¥3.14636
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5A(Ta)
4.5V,10V
65 毫欧 @ 5A,10V
2.8V @ 250µA
30 nC @ 10 V
±20V
690 pF @ 15 V
-
3W(Ta)
-65°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223-4
TO-261-4,TO-261AA
SOT-223-3
ZXMN4A06GTA
MOSFET N-CH 40V 5A SOT223
Diodes Incorporated
11,770
现货
1 : ¥7.72000
剪切带(CT)
1,000 : ¥3.28735
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
5A(Ta)
4.5V,10V
50 毫欧 @ 4.5A,10V
1V @ 250µA
18.2 nC @ 10 V
±20V
770 pF @ 40 V
-
2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-4,TO-261AA
PowerPAK SO-8
SI7454DP-T1-E3
MOSFET N-CH 100V 5A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
20,842
现货
1 : ¥15.76000
剪切带(CT)
3,000 : ¥7.11833
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
5A(Ta)
6V,10V
34 毫欧 @ 7.8A,10V
4V @ 250µA
30 nC @ 10 V
±20V
-
-
1.9W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
eGaN Series
EPC2012C
GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
EPC
10,272
现货
1 : ¥23.97000
剪切带(CT)
2,500 : ¥10.80705
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
200 V
5A(Ta)
5V
100 毫欧 @ 3A,5V
2.5V @ 1mA
1.3 nC @ 5 V
+6V,-4V
140 pF @ 100 V
-
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
模具
模具
SOT 23
SI2312-TP
MOSFET N-CH 20V 5A SOT23
Micro Commercial Co
21,059
现货
1 : ¥3.20000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.71241
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
5A(Ta)
4.5V
41 毫欧 @ 4.3A,1.8V
1V @ 250µA
-
±8V
865 pF @ 10 V
-
350mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT 23
SL05N06-TP
N-CHANNEL MOSFET,SOT-23-3L
Micro Commercial Co
7,657
现货
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.01733
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
5A(Ta)
4.5V,10V
44 毫欧 @ 5A,10V
2.5V @ 250µA
26.4 nC @ 10 V
±20V
1018 pF @ 30 V
-
2.5W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
AO3415A
MOSFET P-CH 20V 5A SOT23-3L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
183,590
现货
1 : ¥3.86000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.86080
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
5A(Ta)
1.5V,4.5V
45 毫欧 @ 4A,4.5V
900mV @ 250µA
11 nC @ 4.5 V
±8V
940 pF @ 10 V
-
1.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
3-SMD,SOT-23-3 变式
TSMT6_TSMT6 Pkg
RQ6C050UNTR
MOSFET N-CH 20V 5A TSMT6
Rohm Semiconductor
40,937
现货
1 : ¥4.10000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.15957
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
5A(Ta)
1.5V,4.5V
30 毫欧 @ 5A,4.5V
1V @ 1mA
12 nC @ 4.5 V
±10V
900 pF @ 10 V
-
1.25W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TSMT6(SC-95)
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
TO-261-4, TO-261AA
PJW5P06A_R2_00001
60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Panjit International Inc.
7,746
现货
1 : ¥4.27000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.42600
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
5A(Ta)
4.5V,10V
68 毫欧 @ 5A,10V
2.5V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±20V
879 pF @ 30 V
-
3.1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
TSOT-26
DMN6040SVT-7
MOSFET N CH 60V 5A TSOT26
Diodes Incorporated
5,611
现货
171,000
工厂
1 : ¥4.27000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.45045
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
5A(Ta)
4.5V,10V
44 毫欧 @ 4.3A,10V
3V @ 250µA
22.4 nC @ 10 V
±20V
1287 pF @ 25 V
-
1.2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TSOT-26
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
SOT-223-3
DMN6040SE-13
MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT223 T&R
Diodes Incorporated
1,679
现货
2,500
工厂
1 : ¥4.52000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.52874
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
5A(Ta)
4.5V,10V
40 毫欧 @ 12A,10V
3V @ 250µA
22.4 nC @ 10 V
±20V
1287 pF @ 25 V
-
1.2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-4,TO-261AA
TSMT6_TSMT6 Pkg
RQ6E050ATTCR
MOSFET P-CH 30V 5A TSMT6
Rohm Semiconductor
13,851
现货
1 : ¥4.68000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.57765
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5A(Ta)
4.5V,10V
27 毫欧 @ 5A,10V
2.5V @ 1mA
20.8 nC @ 10 V
±20V
940 pF @ 15 V
-
1.25W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TSMT6(SC-95)
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
TSOT-23-6, TSOT-6
CPH6341-TL-W
MOSFET P-CH 30V 5A 6CPH
onsemi
7,954
现货
1 : ¥5.01000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.89163
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5A(Ta)
4V,10V
59 毫欧 @ 3A,10V
-
10 nC @ 10 V
±20V
430 pF @ 10 V
-
1.6W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-CPH
SOT-23-6
TO-261-4, TO-261AA
PJW5P06A-AU_R2_000A1
60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Panjit International Inc.
4,982
现货
1 : ¥5.01000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.90959
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
5A(Ta)
4.5V,10V
68 毫欧 @ 5A,10V
2.5V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±20V
879 pF @ 30 V
-
3.1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
Pkg 5540
SI3469DV-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 5A 6TSOP
Vishay Siliconix
13,980
现货
1 : ¥5.25000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.98497
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
5A(Ta)
4.5V,10V
30 毫欧 @ 6.7A,10V
3V @ 250µA
30 nC @ 10 V
±20V
-
-
1.14W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSOP
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
TSOT-26
DMN6040SVTQ-7
MOSFET N-CH 60V 5A TSOT26
Diodes Incorporated
6,239
现货
342,000
工厂
1 : ¥5.25000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.76599
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
5A(Ta)
4.5V,10V
44 毫欧 @ 4.3A,10V
3V @ 250µA
22.4 nC @ 10 V
±20V
1287 pF @ 25 V
-
1.2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TSOT-26
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
SG6858TZ
FDC653N
MOSFET N-CH 30V 5A SUPERSOT6
onsemi
6,844
现货
1 : ¥5.42000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.05822
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5A(Ta)
4.5V,10V
35 毫欧 @ 5A,10V
2V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±20V
350 pF @ 15 V
-
1.6W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SuperSOT™-6
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
6-WSON
CSD17313Q2T
MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
Texas Instruments
24,509
现货
1 : ¥6.73000
剪切带(CT)
250 : ¥4.21896
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5A(Ta)
3V,8V
30 毫欧 @ 4A,8V
1.8V @ 250µA
2.7 nC @ 4.5 V
+10V,-8V
340 pF @ 15 V
-
2.4W(Ta),17W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-WSON(2x2)
6-WDFN 裸露焊盘
8-SOIC
STS5P3LLH6
MOSFET P-CH 30V 5A 8SO
STMicroelectronics
23,099
现货
1 : ¥7.31000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.01844
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5A(Ta)
4.5V,10V
56 毫欧 @ 2.5A,10V
2.5V @ 250µA
6 nC @ 4.5 V
±20V
639 pF @ 25 V
-
2.7W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
RB098BM-40FNSTL
RD3P050SNTL1
MOSFET N-CH 100V 5A TO252
Rohm Semiconductor
9,422
现货
1 : ¥7.31000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.03319
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
5A(Ta)
4V,10V
190 毫欧 @ 5A,10V
2.5V @ 1mA
14 nC @ 10 V
±20V
530 pF @ 25 V
-
15W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TSMT6_TSMT6 Pkg
RQ6G050ATTCR
PCH -30V -5A POWER MOSFET - RQ6G
Rohm Semiconductor
20,289
现货
1 : ¥7.47000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.82385
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
5A(Ta)
4.5V,10V
40 毫欧 @ 5A,10V
2.5V @ 1mA
22 nC @ 10 V
±20V
1100 pF @ 20 V
-
950mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TSMT6(SC-95)
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
6-WDFN Exposed Pad
FDMA430NZ
MOSFET N-CH 30V 5A 6MICROFET
onsemi
4,404
现货
1 : ¥7.47000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.84276
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5A(Ta)
2.5V,4.5V
40 毫欧 @ 5A,4.5V
1.5V @ 250µA
11 nC @ 4.5 V
±12V
800 pF @ 10 V
-
2.4W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-MicroFET(2x2)
6-WDFN 裸露焊盘
SOT223-3L
FDT457N
MOSFET N-CH 30V 5A SOT223-4
onsemi
10,169
现货
8,000
工厂
1 : ¥7.88000
剪切带(CT)
4,000 : ¥3.25047
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5A(Ta)
4.5V,10V
60 毫欧 @ 5A,10V
3V @ 250µA
5.9 nC @ 5 V
±20V
235 pF @ 15 V
-
3W(Ta)
-65°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223-4
TO-261-4,TO-261AA
显示
/ 183

5A(Ta) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。