53A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 48
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Infineon TechnologiesLittelfuse Inc.Micro Commercial CoMicrochip TechnologyMicrosemi CorporationNexperia USA Inc.NXP USA Inc.onsemiPanjit International Inc.QorvoSTMicroelectronicsVishay Siliconix
系列
-aMOS™CoolMOS™CoolSiC™HEXFET®HiPerFET™, PolarLinear L2™MDmesh™ M5MDmesh™ VOptiMOS™PolarP™POWER MOS V®PowerMESH™ IIQFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)SiCFET(共源共栅 SiCJFET)SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)
40 V55 V60 V75 V85 V100 V200 V250 V300 V400 V500 V600 V650 V750 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V5V5V,10V7V,10V7.5V,10V10V12V18V20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
7.5 毫欧 @ 20A,10V8.2 毫欧 @ 20A,10V9 毫欧 @ 15A,10V10 毫欧 @ 26.5A,10V12 毫欧 @ 15A,10V13 毫欧 @ 15A,10V15 毫欧 @ 15A,10V16 毫欧 @ 53A,10V16.5 毫欧 @ 28A,10V16.5 毫欧 @ 53A,10V18 毫欧 @ 15A,10V20 毫欧 @ 29A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 1mA2.1V @ 1mA2.5V @ 250µA2.8V @ 1mA3.5V @ 1.72mA3.5V @ 250µA3.8V @ 250µA4V @ 1mA4V @ 2.5mA4V @ 250µA4V @ 61µA4.5V @ 250µA5V @ 250µA5V @ 8mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
13.4 nC @ 5 V17.2 nC @ 5 V21.4 nC @ 10 V24.5 nC @ 10 V24.8 nC @ 10 V31 nC @ 10 V33.2 nC @ 10 V37.8 nC @ 15 V37.8 nC @ 800 V48 nC @ 10 V48 nC @ 18 V59 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±10V+20V,-2V±20V+25V,-10V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1414 pF @ 400 V1430 pF @ 800 V1450 pF @ 15 V1482 pF @ 50 V1500 pF @ 25 V1625 pF @ 25 V1643 pF @ 400 V1696 pF @ 25 V1721 pF @ 25 V1838 pF @ 25 V1988 pF @ 30 V1990 pF @ 1000 V
功率耗散(最大值)
3.8W(Ta),107W(Tc)62W(Tc)69W(Tj)70W(Tc)75W(Tc)94W(Tc)95W(Tc)100W(Tc)107W(Tc)111W(Tc)120W(Tc)138W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)150°C(TJ)
安装类型
底座安装表面贴装型通孔
供应商器件封装
D2PAKD3PAKDFN5060I2PAKISOPLUS247™ISOTOP®LFPAK33LFPAK56,Power-SO8PG-TO220-3PG-TO247-3-1PG-TO247-4-3PG-TO252-3
封装/外壳
8-PowerSFN8-PowerTDFNISOTOPSC-100,SOT-669SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引线)SOT-227-4,miniBLOCTO-220-3TO-220-3 整包TO-247-3TO-247-4TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AATO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263ABTO-268-3,D3PAK(2 引线 + 凸片),TO-268AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
48结果
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/ 48
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
D2Pak
STB46N30M5
MOSFET N-CH 300V 53A D2PAK
STMicroelectronics
1,003
现货
1 : ¥74.38000
剪切带(CT)
1,000 : ¥42.19030
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
300 V
53A(Tc)
10V
40 毫欧 @ 26.5A,10V
5V @ 250µA
95 nC @ 10 V
±25V
4240 pF @ 100 V
-
250W(Tc)
150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
PG-TO247-3
IPW60R070C6FKSA1
MOSFET N-CH 600V 53A TO247-3
Infineon Technologies
1,017
现货
1 : ¥78.07000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
53A(Tc)
10V
70 毫欧 @ 25.8A,10V
3.5V @ 1.72mA
170 nC @ 10 V
±20V
3800 pF @ 100 V
-
391W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO247-3-1
TO-247-3
SICFET N-CH 750V 53A TOLL
UJ4SC075018L8S
SICFET N-CH 750V 53A TOLL
Qorvo
1,418
现货
1 : ¥169.77000
剪切带(CT)
2,000 : ¥83.22226
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET(共源共栅 SiCJFET)
750 V
53A(Tc)
12V
23 毫欧 @ 50A,12V
6V @ 10mA
37.8 nC @ 15 V
±20V
1414 pF @ 400 V
-
349W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TOLL
8-PowerSFN
TO-247-4L
UF4SC120023K4S
1200V/23MOHM SIC STACKED FAST CA
Qorvo
1,501
现货
1 : ¥243.74000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(共源共栅 SiCJFET)
1200 V
53A(Tc)
12V
29 毫欧 @ 40A,12V
6V @ 10mA
37.8 nC @ 15 V
±20V
1430 pF @ 800 V
-
385W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4
TO-247-4
IXYK1x0xNxxxx
IXTN60N50L2
MOSFET N-CH 500V 53A SOT227B
Littelfuse Inc.
603
现货
1 : ¥413.26000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
53A(Tc)
10V
100 毫欧 @ 30A,10V
4.5V @ 250µA
610 nC @ 10 V
±30V
24000 pF @ 25 V
-
735W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
底座安装
SOT-227B
SOT-227-4,miniBLOC
TO-220AB PKG
IRFZ46NPBF
MOSFET N-CH 55V 53A TO220AB
Infineon Technologies
23,885
现货
1 : ¥7.39000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
53A(Tc)
10V
16.5 毫欧 @ 28A,10V
4V @ 250µA
72 nC @ 10 V
±20V
1696 pF @ 25 V
-
107W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
BUK7Y15-60EX
MOSFET N-CH 60V 53A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
9,725
现货
1 : ¥7.72000
剪切带(CT)
1,500 : ¥3.39637
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
53A(Tc)
10V
15 毫欧 @ 15A,10V
4V @ 1mA
24.5 nC @ 10 V
±20V
1838 pF @ 25 V
-
94W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
BUK9Y15-60E,115
MOSFET N-CH 60V 53A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
6,902
现货
1 : ¥8.62000
剪切带(CT)
1,500 : ¥3.79551
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
53A(Tc)
5V
13 毫欧 @ 15A,10V
2.1V @ 1mA
17.2 nC @ 5 V
±10V
2603 pF @ 25 V
-
95W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
D2Pak
STB45N30M5
NCHANNEL 300 V 0.037 OHM TYP. 53
STMicroelectronics
985
现货
1 : ¥55.08000
剪切带(CT)
1,000 : ¥31.25996
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
300 V
53A(Tc)
10V
40 毫欧 @ 26.5A,10V
5V @ 250µA
95 nC @ 10 V
±25V
4240 pF @ 100 V
-
250W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
PG-TO247-4-3
IMZA65R030M1HXKSA1
SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Infineon Technologies
176
现货
1 : ¥131.68000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
650 V
53A(Tc)
18V
42 毫欧 @ 29.5A,18V
5.7V @ 8.8mA
48 nC @ 18 V
+20V,-2V
1643 pF @ 400 V
-
197W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO247-4-3
TO-247-4
TO-247-4L
UF4SC120030K4S
1200V/30MOHM SIC STACKED FAST CA
Qorvo
1,330
现货
1 : ¥142.19000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(共源共栅 SiCJFET)
1200 V
53A(Tc)
12V
39 毫欧 @ 20A,12V
6V @ 10mA
37.8 nC @ 800 V
±20V
1450 pF @ 15 V
-
341W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4
TO-247-4
LFPAK33
BUK9M11-40EX
MOSFET N-CH 40V 53A LFPAK33
Nexperia USA Inc.
2,976
现货
1 : ¥6.73000
剪切带(CT)
1,500 : ¥2.86988
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
53A(Tc)
5V,10V
9 毫欧 @ 15A,10V
2.1V @ 1mA
13.4 nC @ 5 V
±10V
1721 pF @ 25 V
-
62W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK33
SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引线)
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
PSMN013-60YLX
MOSFET N-CH 60V 53A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
7,320
现货
1 : ¥7.14000
剪切带(CT)
1,500 : ¥3.03691
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
53A(Tc)
5V,10V
13 毫欧 @ 15A,10V
2.1V @ 1mA
33.2 nC @ 10 V
±20V
2603 pF @ 25 V
-
95W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
LFPAK33
BUK7M12-60EX
MOSFET N-CH 60V 53A LFPAK33
Nexperia USA Inc.
2,807
现货
1 : ¥7.55000
剪切带(CT)
1,500 : ¥3.32965
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
53A(Tc)
10V
12 毫欧 @ 15A,10V
4V @ 1mA
24.8 nC @ 10 V
±20V
1625 pF @ 25 V
-
75W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK33
SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引线)
LFPAK33
PSMN012-60MSX
MOSFET N-CH 60V 53A LFPAK33
Nexperia USA Inc.
6,000
现货
1 : ¥6.49000
剪切带(CT)
1,500 : ¥2.14056
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
53A(Tc)
10V
12 毫欧 @ 15A,10V
4V @ 1mA
24.8 nC @ 10 V
±20V
1625 pF @ 25 V
-
75W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
LFPAK33
SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引线)
8-PowerTDFN
MCAC53N06Y-TP
MOSFET N-CH 60V 53A DFN5060
Micro Commercial Co
10,073
现货
1 : ¥6.90000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.70334
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
53A(Tc)
4.5V,10V
8.2 毫欧 @ 20A,10V
2.5V @ 250µA
31 nC @ 10 V
±20V
1988 pF @ 30 V
-
70W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DFN5060
8-PowerTDFN
600V/ 74MOHM / 53A/ FAST RECOVER
PJMH074N60FRC_T0_00601
600V/ 74MOHM / 53A/ FAST RECOVER
Panjit International Inc.
2,984
现货
1 : ¥65.35000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
53A(Tc)
10V
74 毫欧 @ 26.5A,10V
4.5V @ 250µA
84 nC @ 10 V
±30V
3871 pF @ 400 V
-
446W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247AD
TO-247-3
TO-220AB-3,SOT78
BUK9523-75A,127
MOSFET N-CH 75V 53A TO220AB
NXP USA Inc.
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
75 V
53A(Tc)
4.5V,10V
22 毫欧 @ 25A,10V
2V @ 1mA
-
±10V
3120 pF @ 25 V
-
138W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220-3
IPP16CN10NGXKSA1
MOSFET N-CH 100V 53A TO220-3
Infineon Technologies
124
现货
1 : ¥13.79000
管件
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
53A(Tc)
10V
16.5 毫欧 @ 53A,10V
4V @ 61µA
48 nC @ 10 V
±20V
3220 pF @ 50 V
-
100W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO220-3
TO-220-3
APT2X60D60J
APT40M70JVR
MOSFET N-CH 400V 53A SOT227
Microchip Technology
40
现货
1 : ¥360.80000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
400 V
53A(Tc)
10V
70 毫欧 @ 26.5A,10V
4V @ 2.5mA
495 nC @ 10 V
±30V
8890 pF @ 25 V
-
450W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
底座安装
SOT-227(ISOTOP®)
SOT-227-4,miniBLOC
APT2X60D60J
MSC040SMA120J
SICFET N-CH 1200V 53A SOT227
Microchip Technology
88
现货
1 : ¥334.45000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
53A(Tc)
20V
50 毫欧 @ 40A,20V
2.8V @ 1mA
137 nC @ 20 V
+25V,-10V
1990 pF @ 1000 V
-
208W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
底座安装
SOT-227(ISOTOP®)
SOT-227-4,miniBLOC
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRFZ46NSTRLPBF
MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK
Infineon Technologies
68
现货
1 : ¥13.22000
剪切带(CT)
800 : ¥7.41499
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
53A(Tc)
10V
16.5 毫欧 @ 28A,10V
4V @ 250µA
72 nC @ 10 V
±20V
1696 pF @ 25 V
-
3.8W(Ta),107W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-247-3-PKG-Series
APT53N60BC6
MOSFET N-CH 600V 53A TO247
Microchip Technology
67
现货
1 : ¥68.55000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
53A(Tc)
10V
70 毫欧 @ 25.8A,10V
3.5V @ 1.72mA
154 nC @ 10 V
±20V
4020 pF @ 25 V
-
417W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247 [B]
TO-247-3
ISOTOP
STE53NC50
MOSFET N-CH 500V 53A ISOTOP
STMicroelectronics
0
现货
查看交期
1 : ¥339.62000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
53A(Tc)
10V
80 毫欧 @ 27A,10V
4V @ 250µA
434 nC @ 10 V
±30V
11200 pF @ 25 V
-
460W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
底座安装
ISOTOP®
ISOTOP
IXYK1x0xNxxxx
IXFN60N80P
MOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B
Littelfuse Inc.
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管件
管件
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N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
53A(Tc)
10V
140 毫欧 @ 30A,10V
5V @ 8mA
250 nC @ 10 V
±30V
18000 pF @ 25 V
-
1040W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
底座安装
SOT-227B
SOT-227-4,miniBLOC
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53A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。