530mA(Ta) 单 FET,MOSFET

结果 : 10
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.Vishay Siliconix
系列
-TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
20 V30 V150 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.2V,4.5V1.5V,4.5V1.8V,4.5V6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
420 毫欧 @ 500mA,4.5V990 毫欧 @ 100mA,4.5V1 欧姆 @ 400mA,4.5V1.2 欧姆 @ 500mA,10V1.4 欧姆 @ 350mA,4.5V1.4 欧姆 @ 500mA,4.5V1.9 欧姆 @ 100mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
950mV @ 250µA1V @ 250µA1.1V @ 250µA4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.3 nC @ 4.5 V0.4 nC @ 4.5 V0.41 nC @ 4.5 V0.5 nC @ 4 V0.68 nC @ 4.5 V0.9 nC @ 4.5 V2.7 nC @ 8 V12 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
15.6 pF @ 16 V17 pF @ 16 V28.7 pF @ 15 V36 pF @ 10 V43 pF @ 10 V50 pF @ 15 V76 pF @ 15 V510 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
220mW(Ta)340mW(Ta)360mW(Ta),2.7W(Tc)370mW(Ta),2.2W(Tc)420mW(Ta)450mW(Ta)750mW(Ta)820mW(Ta)
供应商器件封装
DFN0606-3DFN1006B-3SC-89-3SOT-23-3SOT-23-3(TO-236)X2-DFN0604-3X2-DFN0606-3
封装/外壳
3-XFDFNSC-89,SOT-490TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
10结果
应用的筛选条件 删除全部

显示
/ 10
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SC-89-3_463C
SI1062X-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V SC89-3
Vishay Siliconix
110,828
现货
1 : ¥3.53000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.64175
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
530mA(Ta)
1.5V,4.5V
420 毫欧 @ 500mA,4.5V
1V @ 250µA
2.7 nC @ 8 V
±8V
43 pF @ 10 V
-
220mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SC-89-3
SC-89,SOT-490
SOT-23-3
SI2325DS-T1-E3
MOSFET P-CH 150V 530MA SOT23-3
Vishay Siliconix
18,904
现货
1 : ¥7.96000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.28218
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
530mA(Ta)
6V,10V
1.2 欧姆 @ 500mA,10V
4.5V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
510 pF @ 25 V
-
750mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
SI2325DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 150V 530MA SOT23-3
Vishay Siliconix
14,213
现货
1 : ¥7.96000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.28218
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
530mA(Ta)
6V,10V
1.2 欧姆 @ 500mA,10V
4.5V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
510 pF @ 25 V
-
750mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
DFN0606-3
PMH950UPEH
MOSFET P-CH 20V 530MA DFN0606-3
Nexperia USA Inc.
56,747
现货
1 : ¥2.71000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.40462
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
530mA(Ta)
1.2V,4.5V
1.4 欧姆 @ 500mA,4.5V
950mV @ 250µA
0.5 nC @ 4 V
±8V
36 pF @ 10 V
-
370mW(Ta),2.2W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DFN0606-3
3-XFDFN
SOT-23-3
DMP31D0U-7
MOSFET P-CH 30V 530MA SOT23
Diodes Incorporated
77,047
现货
12,000
工厂
1 : ¥3.53000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.77918
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
530mA(Ta)
1.8V,4.5V
1 欧姆 @ 400mA,4.5V
1.1V @ 250µA
0.9 nC @ 4.5 V
±8V
76 pF @ 15 V
-
450mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
3-XQFN
NX3008NBKMB,315
MOSFET N-CH 30V 530MA DFN1006B-3
Nexperia USA Inc.
19,630
现货
1 : ¥3.12000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.40877
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
530mA(Ta)
1.8V,4.5V
1.4 欧姆 @ 350mA,4.5V
1.1V @ 250µA
0.68 nC @ 4.5 V
±8V
50 pF @ 15 V
-
360mW(Ta),2.7W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DFN1006B-3
3-XFDFN
SOT-23(TO-236)
SI2325DS-T1-BE3
P-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET
Vishay Siliconix
1,980
现货
1 : ¥7.96000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.28218
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
530mA(Ta)
6V,10V
1.2 欧姆 @ 500mA,10V
4.5V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
510 pF @ 25 V
-
750mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
X2-DFN0604-3
DMP22D5UFO-7B
MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN0604-
Diodes Incorporated
9,900
现货
450,000
工厂
1 : ¥2.38000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.30446
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
530mA(Ta)
1.5V,4.5V
1.9 欧姆 @ 100mA,4.5V
1V @ 250µA
0.3 nC @ 4.5 V
±8V
17 pF @ 16 V
-
340mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
X2-DFN0604-3
3-XFDFN
MOSFET P-CH 20V 530MA 3DFN
DMP22D4UFO-7B
MOSFET P-CH 20V 530MA 3DFN
Diodes Incorporated
30,501
现货
550,000
工厂
1 : ¥3.69000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.85853
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
530mA(Ta)
1.5V,4.5V
1.9 欧姆 @ 100mA,4.5V
1V @ 250µA
0.4 nC @ 4.5 V
±8V
28.7 pF @ 15 V
-
820mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
X2-DFN0604-3
3-XFDFN
X2-DFN0606-3
DMN2992UFZ-7B
MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN0606-
Diodes Incorporated
0
现货
查看交期
10,000 : ¥0.52932
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
530mA(Ta)
1.5V,4.5V
990 毫欧 @ 100mA,4.5V
1V @ 250µA
0.41 nC @ 4.5 V
±8V
15.6 pF @ 16 V
-
420mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
X2-DFN0606-3
3-XFDFN
显示
/ 10

530mA(Ta) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。