520mA（Ta） 单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
900 毫欧 @ 280mA，10V990 毫欧 @ 100mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA1.9V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.9 nC @ 10 V280 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
14.6 pF @ 16 V80 pF @ 24 V
功率耗散（最大值）
417mW（Ta）420mW（Ta）
供应商器件封装
TO-236ABX2-DFN0806-3
封装/外壳
3-XFDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SBR 3-DFN
DMN2991UFA-7B
MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN0806-
Diodes Incorporated
0
现货
查看交期
10,000 : ¥0.22884
卷带（TR）
-
卷带（TR）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
520mA（Ta）
1.5V，4.5V
990 毫欧 @ 100mA，4.5V
1V @ 250µA
280 nC @ 4.5 V
±8V
14.6 pF @ 16 V
-
420mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
X2-DFN0806-3
3-XFDFN
TO-236AB
BSH202,215
MOSFET P-CH 30V 520MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
0
现货
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
12,000 : ¥0.70519
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
520mA（Ta）
4.5V，10V
900 毫欧 @ 280mA，10V
1.9V @ 1mA
2.9 nC @ 10 V
±20V
80 pF @ 24 V
-
417mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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520mA（Ta） 单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。