50A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 515
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedDiotec SemiconductorGoford SemiconductorGood-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesIXYSLittelfuse Inc.Micro Commercial CoMicrochip TechnologyNexperia USA Inc.NXP USA Inc.
系列
-AlphaMOSaMOS5™Automotive, AEC-Q101CoolMOS™CoolMOS™ C7CoolMOS™ CFD7CoolMOS™ S7CoolSiC™GigaMOS™HEXFET®HiPerFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
技术
GaNFET(氮化镓)MOSFET(金属氧化物)SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)
12 V20 V24 V25 V30 V40 V50 V55 V60 V65 V75 V80 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V2.5V,10V2.5V,4.5V4V,5V4.5V,10V5V5V,10V6V,10V7V,10V7.5V,10V8V,10V10V12V15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.7 毫欧 @ 20A,10V1.7 毫欧 @ 20A,4.5V1.9 毫欧 @ 20A,10V2 毫欧 @ 15A,10V2.2 毫欧 @ 20A,10V2.3 毫欧 @ 15A,10V2.3 毫欧 @ 20A,10V2.5 毫欧 @ 15A,10V2.6 毫欧 @ 15A,10V2.8 毫欧 @ 15A,10V2.8 毫欧 @ 20A,10V2.9 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
800mV @ 250µA(最小)900mV @ 250µA1V @ 250µA1V @ 250µA(最小)1.2V @ 1mA1.2V @ 250µA1.5V @ 250µA1.8V @ 250µA1.95V @ 1mA2V @ 13µA2V @ 16µA2V @ 20µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
3.8 nC @ 4.5 V7.7 nC @ 4.5 V9.5 nC @ 10 V10.9 nC @ 10 V11 nC @ 4.5 V12 nC @ 4.5 V13 nC @ 5 V13.5 nC @ 4.5 V14 nC @ 10 V15 nC @ 10 V18 nC @ 10 V18.2 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
+5V,-16V±8V±10V±12V±15V+16V,-10V+16V,-12V±16V±18V+20V,-10V+20V,-16V+20V,-2V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
570 pF @ 12.5 V644 pF @ 20 V680 pF @ 25 V690 pF @ 15 V750 pF @ 25 V825 pF @ 30 V870 pF @ 10 V880 pF @ 25 V965 pF @ 25 V1090 pF @ 25 V1091 pF @ 20 V1130 pF @ 25 V
FET 功能
-电流检测
功率耗散(最大值)
1W(Ta)1W(Ta),102W(Tc)1W(Ta),97W(Tc)1.2W(Ta),84W(Tc)1.5W(Ta),84W(Tc)1.6W1.6W(Ta)1.8W(Ta),90W(Tc)2W(Ta)2W(Ta),50W(Tc)2.1W(Ta)2.4W(Ta)
工作温度
-65°C ~ 175°C(TJ)-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TA)-55°C ~ 175°C(TJ)-50°C ~ 150°C(TJ)-50°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)175°C175°C(TJ)-
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
底座安装表面贴装型表面贴装,可润湿侧翼通孔
供应商器件封装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)8-DFN-EP(3.3x3.3)8-DFN(3.15x3.05)8-DFN(4.9x5.75)8-DFN(5.1x6.3)8-HSON8-HSON(5x5.4)8-PPAK(4.9x5.8)8-PPAK(5.1x5.71)8-QFN(3x3)8-SOIC8-VSON-CLIP(3.3x3.3)
封装/外壳
8-PowerLDFN8-PowerTDFN8-PowerTDFN,5 引线8-PowerVDFN8-PowerWDFN8-SMD,扁平引线裸焊盘8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘8-VDFN 裸露焊盘9-SMD 模块10-PolarPAK®(S)22-PowerBSOP 模块
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
515结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 515
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPAK 1212-8S
SISS27DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S
Vishay Siliconix
38,524
现货
1 : ¥6.65000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.52021
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
50A(Tc)
4.5V,10V
5.6 毫欧 @ 15A,10V
2.2V @ 250µA
140 nC @ 10 V
±20V
5250 pF @ 15 V
-
4.8W(Ta),57W(Tc)
-50°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8S
PowerPAK® 1212-8S
PowerPAK 1212-8S
SISS23DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S
Vishay Siliconix
17,543
现货
1 : ¥6.81000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.58400
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
50A(Tc)
1.8V,4.5V
4.5 毫欧 @ 20A,4.5V
900mV @ 250µA
300 nC @ 10 V
±8V
8840 pF @ 15 V
-
4.8W(Ta),57W(Tc)
-50°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8S
PowerPAK® 1212-8S
PowerPAK SO-8
SI7149ADP-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
42,715
现货
1 : ¥7.14000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.71751
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
50A(Tc)
4.5V,10V
5.2 毫欧 @ 15A,10V
2.5V @ 250µA
135 nC @ 10 V
±25V
5125 pF @ 15 V
-
5W(Ta),48W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK 1212-8S
SISS27ADN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8S
Vishay Siliconix
8,159
现货
1 : ¥7.47000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.82385
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
50A(Tc)
4.5V,10V
5.1 毫欧 @ 15A,10V
2.2V @ 250µA
55 nC @ 4.5 V
±20V
4660 pF @ 15 V
-
57W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8S
PowerPAK® 1212-8S
8-Power TDFN
BSC110N06NS3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
Infineon Technologies
8,207
现货
1 : ¥8.29000
剪切带(CT)
5,000 : ¥3.27246
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
50A(Tc)
10V
11 毫欧 @ 50A,10V
4V @ 23µA
33 nC @ 10 V
±20V
2700 pF @ 30 V
-
2.5W(Ta),50W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-5
8-PowerTDFN
TO252-3
IPD50N06S4L12ATMA2
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
Infineon Technologies
3,188
现货
1 : ¥9.36000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.88542
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
50A(Tc)
4.5V,10V
12 毫欧 @ 50A,10V
2.2V @ 20µA
40 nC @ 10 V
±16V
2890 pF @ 25 V
-
50W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO252-3-11
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IPD50P04P413ATMA2
MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3
Infineon Technologies
7,232
现货
1 : ¥11.25000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.65841
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
50A(Tc)
10V
12.6 毫欧 @ 50A,10V
4V @ 85µA
51 nC @ 10 V
±20V
3670 pF @ 25 V
-
58W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3-313
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-252
SUD50P04-08-GE3
MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Vishay Siliconix
5,948
现货
1 : ¥11.82000
剪切带(CT)
2,000 : ¥4.88928
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
50A(Tc)
4.5V,10V
8.1 毫欧 @ 22A,10V
2.5V @ 250µA
159 nC @ 10 V
±20V
5380 pF @ 20 V
-
2.5W(Ta),73.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
PowerPAK SO-8
SI7149DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
25,866
现货
1 : ¥12.48000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.62409
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
50A(Tc)
4.5V,10V
5.2 毫欧 @ 15A,10V
2.5V @ 250µA
147 nC @ 10 V
±25V
4590 pF @ 15 V
-
69W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
TO-252
SQD50P06-15L_T4GE3
P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Vishay Siliconix
6,630
现货
1 : ¥12.97000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.37824
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
50A(Tc)
4.5V,10V
15.5 毫欧 @ 17A,10V
2.5V @ 250µA
150 nC @ 10 V
±20V
5910 pF @ 25 V
-
136W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-252
SQD50N04-5M6_T4GE3
MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA
Vishay Siliconix
42,117
现货
1 : ¥13.13000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.44726
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
50A(Tc)
10V
5.6 毫欧 @ 20A,10V
3.5V @ 250µA
85 nC @ 10 V
±20V
4000 pF @ 25 V
-
71W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
MFG_DPAK(TO252-3)
STD40NF10
MOSFET N-CH 100V 50A DPAK
STMicroelectronics
20,074
现货
1 : ¥13.63000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.63512
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
50A(Tc)
10V
28 毫欧 @ 25A,10V
4V @ 250µA
62 nC @ 10 V
±20V
2180 pF @ 25 V
-
125W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-252
SQD45P03-12_GE3
MOSFET P-CH 30V 50A TO252
Vishay Siliconix
7,441
现货
1 : ¥13.96000
剪切带(CT)
2,000 : ¥6.30782
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
50A(Tc)
4.5V,10V
10 毫欧 @ 15A,10V
2.5V @ 250µA
83 nC @ 10 V
±20V
3495 pF @ 15 V
-
71W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IRLR3636TRPBF
MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Infineon Technologies
25,331
现货
1 : ¥15.52000
剪切带(CT)
2,000 : ¥6.98049
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
50A(Tc)
4.5V,10V
6.8 毫欧 @ 50A,10V
2.5V @ 100µA
49 nC @ 4.5 V
±16V
3779 pF @ 50 V
-
143W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IPD200N15N3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3
Infineon Technologies
49,962
现货
1 : ¥16.99000
剪切带(CT)
2,500 : ¥10.14879
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
50A(Tc)
8V,10V
20 毫欧 @ 50A,10V
4V @ 90µA
31 nC @ 10 V
±20V
1820 pF @ 75 V
-
150W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
15,436
现货
1 : ¥18.31000
剪切带(CT)
2,500 : ¥8.25969
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
50A(Tc)
-
16.5 毫欧 @ 25A,10V
2.5V @ 250µA
100 nC @ 10 V
-
5000 pF @ 10 V
-
1.2W(Ta),84W(Tc)
175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252(MP-3ZK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-263 (D2Pak)
SQM50P08-25L_GE3
MOSFET P-CHANNEL 80V 50A TO263
Vishay Siliconix
8,939
现货
1 : ¥20.61000
剪切带(CT)
800 : ¥11.52203
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
50A(Tc)
4.5V,10V
25 毫欧 @ 12.5A,10V
2.5V @ 250µA
137 nC @ 10 V
±20V
5350 pF @ 25 V
-
150W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-252
SUD50P06-15L-E3
MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Vishay Siliconix
29,985
现货
1 : ¥21.02000
剪切带(CT)
2,000 : ¥9.48377
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
50A(Tc)
4.5V,10V
15 毫欧 @ 17A,10V
3V @ 250µA
165 nC @ 10 V
±20V
4950 pF @ 25 V
-
3W(Ta),136W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-252
SUD50P04-09L-E3
MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Vishay Siliconix
15,527
现货
1 : ¥21.02000
剪切带(CT)
2,000 : ¥9.48377
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
50A(Tc)
4.5V,10V
9.4 毫欧 @ 24A,10V
3V @ 250µA
150 nC @ 10 V
±20V
4800 pF @ 25 V
-
3W(Ta),136W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-252
SUD50P06-15-GE3
MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Vishay Siliconix
11,009
现货
1 : ¥21.02000
剪切带(CT)
2,000 : ¥9.48377
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
50A(Tc)
4.5V,10V
15 毫欧 @ 17A,10V
3V @ 250µA
165 nC @ 10 V
±20V
4950 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),113W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-252
SUD50P08-25L-E3
MOSFET P-CH 80V 50A TO252
Vishay Siliconix
6,155
现货
1 : ¥21.02000
剪切带(CT)
2,000 : ¥9.48377
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
50A(Tc)
4.5V,10V
25.2 毫欧 @ 12.5A,10V
3V @ 250µA
160 nC @ 10 V
±20V
4700 pF @ 40 V
-
8.3W(Ta),136W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-252
SQD50P08-25L_GE3
MOSFET P-CH 80V 50A TO252AA
Vishay Siliconix
13,718
现货
1 : ¥21.75000
剪切带(CT)
2,000 : ¥9.82561
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
50A(Tc)
4.5V,10V
25 毫欧 @ 10.5A,10V
2.5V @ 250µA
137 nC @ 10 V
±20V
5350 pF @ 25 V
-
136W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-247-3 AC EP
IRFP260MPBF
MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC
Infineon Technologies
6,470
现货
1 : ¥22.17000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
50A(Tc)
10V
40 毫欧 @ 28A,10V
4V @ 250µA
234 nC @ 10 V
±20V
4057 pF @ 25 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247AC
TO-247-3
TO-252
SQD50P04-09L_GE3
MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Vishay Siliconix
9,689
现货
1 : ¥22.99000
剪切带(CT)
2,000 : ¥11.17728
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
50A(Tc)
4.5V,10V
9.4 毫欧 @ 17A,10V
2.5V @ 250µA
155 nC @ 10 V
±20V
6675 pF @ 20 V
-
136W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
PG-TDSON-8-1
BSC190N15NS3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 50A TDSON-8-1
Infineon Technologies
4,158
现货
1 : ¥24.38000
剪切带(CT)
5,000 : ¥11.37096
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
50A(Tc)
8V,10V
19 毫欧 @ 50A,10V
4V @ 90µA
31 nC @ 10 V
±20V
2420 pF @ 75 V
-
125W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
显示
/ 515

50A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。