5-PowerSFN 单 FET,MOSFET

结果 : 23
制造商
Infineon TechnologiesToshiba Semiconductor and Storage
系列
-OptiMOS™OptiMOS™ 6OptiMOS™-5OptiMOS™5U-MOSIX-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产在售
漏源电压(Vdss)
40 V60 V80 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
27A(Ta),248A(Tc)32A(Ta), 290A(Tc)36A(Ta),242A(Tc)38A(Ta), 399A(Tc)51A(Ta)54A(Ta),440A(Tc)58A(Ta),475A(Tc)62A(Ta)120A(Tc)160A(Ta)170A(Tj)180A(Tc)180A(Tj)200A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
6V,10V7V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
0.55 毫欧 @ 100A,10V0.6 毫欧 @ 100A,10V0.64 毫欧 @ 100A,10V0.66 毫欧 @ 100A,10V0.7 毫欧 @ 100A,10V0.8 毫欧 @ 100A,10V1 毫欧 @ 100A,10V1 毫欧 @ 80A,10V1.1 毫欧 @ 100A,10V1.2毫欧 @ 90A,10V1.4 毫欧 @ 60A,10V1.5 毫欧 @ 50A,10V1.8 毫欧 @ 100A,10V1.9 毫欧 @ 100A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 130µA3V @ 145µA3V @ 1mA3V @ 500µA3V @ 90µA3.3V @ 148µA3.3V @ 250µA3.3V @ 95µA3.4V @ 100µA3.4V @ 60µA3.4V @ 70µA3.8V @ 100µA3.8V @ 110µA3.8V @ 120µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
82 nC @ 10 V84 nC @ 10 V87 nC @ 10 V88 nC @ 10 V89 nC @ 10 V100 nC @ 10 V105 nC @ 10 V109 nC @ 10 V119 nC @ 10 V125 nC @ 10 V128 nC @ 10 V132 nC @ 10 V151 nC @ 10 V152 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
4828 pF @ 25 V5200 pF @ 30 V5980 pF @ 40 V6158 pF @ 25 V6300 pF @ 50 V6405 pF @ 50 V6600 pF @ 40 V6890 pF @ 10 V7088 pF @ 25 V7219 pF @ 40 V7650 pF @ 25 V7673 pF @ 50 V
功率耗散(最大值)
3.8W(Ta), 313W(Tc)3.8W(Ta),167W(Tc)3.8W(Ta),250W(Tc)125W(Tc)136W(Tc)167W(Tc)172W(Tc)179W(Tc)197W(Tc)211W(Tc)221W(Tc)223W(Tc)238W(Tc)250W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)175°C
供应商器件封装
PG-HSOF-5-1PG-HSOF-5-2PG-HSOF-5-4PG-HSOF-5-5S-TOGL™
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
23结果
应用的筛选条件 删除全部

显示
/ 23
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
2,997
现货
1 : ¥22.41000
剪切带(CT)
2,000 : ¥10.90990
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
435A(Tj)
7V,10V
0.7 毫欧 @ 100A,10V
3V @ 130µA
151 nC @ 10 V
±20V
9898 pF @ 25 V
-
250W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-HSOF-5-4
5-PowerSFN
4,264
现货
1 : ¥30.87000
剪切带(CT)
2,000 : ¥15.01712
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
62A(Ta)
7V,10V
0.55 毫欧 @ 100A,10V
3V @ 145µA
170 nC @ 10 V
±20V
11144 pF @ 25 V
-
250W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-HSOF-5-5
5-PowerSFN
2,354
现货
1 : ¥25.20000
剪切带(CT)
2,000 : ¥12.26826
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
170A(Tj)
6V,10V
3.1 毫欧 @ 85A,10V
3.8V @ 110µA
88 nC @ 10 V
±20V
6405 pF @ 50 V
-
197W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-HSOF-5-4
5-PowerSFN
IST011N06NM5AUMA1
IST006N04NM6AUMA1
MOSFET N-CH 40V 58A/475A HSOF-5
Infineon Technologies
348
现货
1 : ¥29.23000
剪切带(CT)
2,000 : ¥14.23632
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
58A(Ta),475A(Tc)
6V,10V
0.6 毫欧 @ 100A,10V
3.3V @ 250µA
178 nC @ 10 V
±20V
8800 pF @ 20 V
-
3.8W(Ta),250W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-HSOF-5-4
5-PowerSFN
IST011N06NM5AUMA1
IST007N04NM6AUMA1
MOSFET N-CH 40V 54A/440A HSOF-5
Infineon Technologies
1,264
现货
1 : ¥29.47000
剪切带(CT)
2,000 : ¥14.34222
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
54A(Ta),440A(Tc)
6V,10V
0.7 毫欧 @ 100A,10V
3.3V @ 250µA
152 nC @ 10 V
±20V
7900 pF @ 20 V
-
3.8W(Ta),250W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-HSOF-5-4
5-PowerSFN
IST011N06NM5AUMA1
IST011N06NM5AUMA1
TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-5
Infineon Technologies
957
现货
1 : ¥46.79000
剪切带(CT)
2,000 : ¥22.79629
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
38A(Ta), 399A(Tc)
6V,10V
1.1 毫欧 @ 100A,10V
3.3V @ 148µA
154 nC @ 10 V
±20V
8100 pF @ 30 V
-
3.8W(Ta), 313W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-HSOF-5-4
5-PowerSFN
IST011N06NM5AUMA1
IAUA180N04S5N012AUMA1
MOSFET N-CH 40V 180A HSOF-5-1
Infineon Technologies
2,950
现货
1 : ¥19.37000
剪切带(CT)
2,000 : ¥8.73389
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
180A(Tc)
7V,10V
1.2毫欧 @ 90A,10V
3.4V @ 70µA
100 nC @ 10 V
±20V
6158 pF @ 25 V
-
125W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-HSOF-5-2
5-PowerSFN
4,044
现货
1 : ¥21.43000
剪切带(CT)
2,000 : ¥9.66019
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
200A(Tc)
7V,10V
1 毫欧 @ 100A,10V
3.4V @ 100µA
132 nC @ 10 V
±20V
7650 pF @ 25 V
-
167W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-HSOF-5-1
5-PowerSFN
IST011N06NM5AUMA1
IST019N08NM5AUMA1
TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-5
Infineon Technologies
977
现货
1 : ¥35.30000
剪切带(CT)
2,000 : ¥17.18947
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
32A(Ta), 290A(Tc)
6V,10V
1.9 毫欧 @ 100A,10V
3.8V @ 148µA
132 nC @ 10 V
±20V
6600 pF @ 40 V
-
3.8W(Ta), 313W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-HSOF-5-4
5-PowerSFN
1,663
现货
1 : ¥38.50000
剪切带(CT)
2,000 : ¥18.75110
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
27A(Ta),248A(Tc)
6V,10V
2.6 毫欧 @ 100A,10V
3.8V @ 148µA
125 nC @ 10 V
±20V
6300 pF @ 50 V
-
3.8W(Ta), 313W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-HSOF-5-4
5-PowerSFN
3,980
现货
1 : ¥17.32000
剪切带(CT)
2,000 : ¥7.80754
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
120A(Tc)
7V,10V
1.4 毫欧 @ 60A,10V
3.4V @ 60µA
82 nC @ 10 V
±20V
4828 pF @ 25 V
-
136W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-HSOF-5-2
5-PowerSFN
1,905
现货
1 : ¥27.99000
剪切带(CT)
2,000 : ¥13.61168
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
435A(Tj)
7V,10V
0.7 毫欧 @ 100A,10V
3V @ 130µA
151 nC @ 10 V
±20V
9898 pF @ 25 V
-
250W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-HSOF-5-4
5-PowerSFN
40V; UMOS9; MOSFET 1MOHM; L-TOGL
XPJ1R004PB,LXHQ
40V; UMOS9; MOSFET 1MOHM; L-TOGL
Toshiba Semiconductor and Storage
2,975
现货
1 : ¥17.65000
剪切带(CT)
1,500 : ¥8.65627
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
160A(Ta)
6V,10V
1 毫欧 @ 80A,10V
3V @ 500µA
84 nC @ 10 V
±20V
6890 pF @ 10 V
-
223W(Tc)
175°C
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
S-TOGL™
5-PowerSFN
911
现货
1 : ¥22.58000
剪切带(CT)
2,000 : ¥10.18953
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
51A(Ta)
7V,10V
0.8 毫欧 @ 100A,10V
3V @ 90µA
109 nC @ 10 V
±20V
7088 pF @ 25 V
-
172W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-HSOF-5-1
5-PowerSFN
2,792
现货
1 : ¥22.74000
剪切带(CT)
1,500 : ¥11.18102
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
200A(Ta)
6V,10V
0.66 毫欧 @ 100A,10V
3V @ 1mA
128 nC @ 10 V
±20V
11380 pF @ 10 V
-
375W(Tc)
175°C
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
S-TOGL™
5-PowerSFN
1,570
现货
1 : ¥23.64000
剪切带(CT)
2,000 : ¥11.51419
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
180A(Tj)
6V,10V
2.6 毫欧 @ 90A,10V
3.8V @ 100µA
87 nC @ 10 V
±20V
5980 pF @ 40 V
-
179W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-HSOF-5-4
5-PowerSFN
2,970
现货
1 : ¥29.23000
剪切带(CT)
2,000 : ¥14.24564
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
220A(Tj)
6V,10V
2.1 毫欧 @ 100A,10V
3.8V @ 120µA
105 nC @ 10 V
±20V
7219 pF @ 40 V
-
211W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-HSOF-5-4
5-PowerSFN
1,926
现货
1 : ¥29.39000
剪切带(CT)
2,000 : ¥14.31226
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
180A(Tj)
6V,10V
2.9 毫欧 @ 90A,10V
3.8V @ 130µA
105 nC @ 10 V
±20V
7673 pF @ 50 V
-
221W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-HSOF-5-4
5-PowerSFN
1,970
现货
1 : ¥29.64000
剪切带(CT)
2,000 : ¥14.42030
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
250A(Tj)
6V,10V
1.8 毫欧 @ 100A,10V
3.8V @ 150µA
125 nC @ 10 V
±20V
8715 pF @ 40 V
-
238W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-HSOF-5-4
5-PowerSFN
3,781
现货
1 : ¥31.36000
剪切带(CT)
2,000 : ¥15.28133
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
210A(Tj)
6V,10V
2.4 毫欧 @ 100A,10V
3.8V @ 150µA
119 nC @ 10 V
±20V
8696 pF @ 50 V
-
238W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-HSOF-5-4
5-PowerSFN
IST011N06NM5AUMA1
IST015N06NM5AUMA1
OPTIMOS 5 POWER MOSFET 60 V
Infineon Technologies
1,689
现货
1 : ¥47.78000
剪切带(CT)
2,000 : ¥23.26373
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
36A(Ta),242A(Tc)
6V,10V
1.5 毫欧 @ 50A,10V
3.3V @ 95µA
89 nC @ 10 V
±20V
5200 pF @ 30 V
-
3.8W(Ta),167W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-HSOF-5-1
5-PowerSFN
8,077
现货
1 : ¥35.14000
剪切带(CT)
2,000 : ¥17.09855
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Key 停止提供
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
450A(Tj)
7V,10V
0.64 毫欧 @ 100A,10V
3V @ 145µA
169 nC @ 10 V
±20V
11064 pF @ 25 V
-
250W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-HSOF-5-4
5-PowerSFN
0
现货
2,000 : ¥9.84765
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
200A(Tc)
7V,10V
1 毫欧 @ 100A,10V
3.4V @ 100µA
132 nC @ 10 V
±20V
7650 pF @ 25 V
-
167W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-HSOF-5-1
5-PowerSFN
显示
/ 23

5-PowerSFN 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。