5.6A(Ta) 单 FET,MOSFET

结果 : 30
制造商
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorGood-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesMicro Commercial CoonsemiPanjit International Inc.Taiwan Semiconductor CorporationToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-HEXFET®TrenchFET®U-MOSVIII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
8 V20 V30 V60 V250 V500 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V2.5V,10V2.5V,4.5V4.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
23 毫欧 @ 5.6A,10V25 毫欧 @ 7.1A,4.5V25 毫欧 @ 8.7A,10V27 毫欧 @ 5.6A,10V27 毫欧 @ 6.5A,4.5V29 毫欧 @ 3.2A,10V30 毫欧 @ 5.6A,10V35 毫欧 @ 3.7A,10V40 毫欧 @ 4.2A,10V40 毫欧 @ 5.4A,4.5V42 毫欧 @ 5.6A,4.5V50 毫欧 @ 5.1A,4.5V75 毫欧 @ 3A,10V198 毫欧 @ 2.8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
850mV @ 250µA900mV @ 250µA1V @ 250µA1.2V @ 250µA1.5V @ 250µA2V @ 250µA2.1V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 200µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
4.8 nC @ 4.5 V5.9 nC @ 4.5 V7 nC @ 10 V7.8 nC @ 10 V10 nC @ 10 V11.3 nC @ 10 V12.7 nC @ 4.5 V12.8 nC @ 10 V16 nC @ 5 V25 nC @ 10 V25 nC @ 4.5 V27 nC @ 10 V29.6 nC @ 10 V40 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
±8V±9V±10V±12V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
343 pF @ 15 V485 pF @ 10 V498 pF @ 15 V520 pF @ 25 V535 pF @ 15 V600 pF @ 100 V602 pF @ 15 V744 pF @ 0 V770 pF @ 10 V900 pF @ 25 V1022 pF @ 15 V1079 pF @ 10 V1180 pF @ 10 V1400 pF @ 16 V
功率耗散(最大值)
700mW(Ta),39W(Tc)800mW1.2W(Ta)1.25W(Ta)1.3W1.5W(Ta)1.6W(Ta),42W(Tc)1.8W(Ta)1.8W(Tj)1.9W(Ta)2W(Ta)2.5W(Ta)90W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)-
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
6-TSOP8-SO8-SOIC8-SOP Advance(5x5)8-TSON Advance(3.1x3.1)Micro6™(SOT23-6)Micro6™(TSOP-6)Micro8™PowerPAK® 1212-8SOT-223-3SOT-23SOT-23-3SOT-23-3(TO-236)SOT-23-6L
封装/外壳
8-PowerVDFN8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)PowerPAK® 1212-8SOT-23-6 细型,TSOT-23-6SOT-23-6TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AATO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-261-4,TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
30结果
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/ 30
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-223-3
DMN3032LE-13
MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT223
Diodes Incorporated
141,879
现货
1,130,000
工厂
1 : ¥4.76000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.60578
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5.6A(Ta)
4.5V,10V
29 毫欧 @ 3.2A,10V
2V @ 250µA
11.3 nC @ 10 V
±20V
498 pF @ 15 V
-
1.8W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-4,TO-261AA
PowerPAK 1212-8
SI7414DN-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 5.6A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
15,107
现货
1 : ¥12.23000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.51381
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
5.6A(Ta)
4.5V,10V
25 毫欧 @ 8.7A,10V
3V @ 250µA
25 nC @ 10 V
±20V
-
-
1.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK 1212-8
SI7414DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 5.6A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
11,123
现货
1 : ¥12.23000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.51381
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
5.6A(Ta)
4.5V,10V
25 毫欧 @ 8.7A,10V
3V @ 250µA
25 nC @ 10 V
±20V
-
-
1.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
40,740
现货
1 : ¥2.87000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.51982
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5.6A(Ta)
4.5V,10V
30 毫欧 @ 5.6A,10V
2.1V @ 250µA
7.8 nC @ 10 V
±20V
343 pF @ 15 V
-
1.25W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
29,847
现货
1 : ¥2.96000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.49475
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5.6A(Ta)
4.5V,10V
23 毫欧 @ 5.6A,10V
2.1V @ 250µA
12.8 nC @ 10 V
±20V
602 pF @ 15 V
-
1.25W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-6
IRLMS6802TRPBF
MOSFET P-CH 20V 5.6A MICRO6
Infineon Technologies
41,987
现货
1 : ¥4.68000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.58744
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
5.6A(Ta)
2.5V,4.5V
50 毫欧 @ 5.1A,4.5V
1.2V @ 250µA
16 nC @ 5 V
±12V
1079 pF @ 10 V
-
2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
Micro6™(TSOP-6)
SOT-23-6
15,952
现货
1 : ¥11.90000
剪切带(CT)
5,000 : ¥5.15920
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
5.6A(Ta)
10V
198 毫欧 @ 2.8A,10V
4V @ 200µA
7 nC @ 10 V
±20V
600 pF @ 100 V
-
700mW(Ta),39W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-TSON Advance(3.1x3.1)
8-PowerVDFN
2,046
现货
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.67303
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5.6A(Ta)
4.5V,10V
30 毫欧 @ 5.6A,10V
2.1V @ 250µA
7.8 nC @ 10 V
±20V
343 pF @ 15 V
-
1.25W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
8,944
现货
1 : ¥12.40000
剪切带(CT)
5,000 : ¥4.89468
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
5.6A(Ta)
10V
198 毫欧 @ 2.8A,10V
4V @ 200µA
7 nC @ 10 V
±20V
600 pF @ 100 V
-
1.6W(Ta),42W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOP Advance(5x5)
8-PowerVDFN
SOT-23-3
DMN2025U-7
MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3
Diodes Incorporated
2,392
现货
24,000
工厂
1 : ¥3.04000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.55353
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
5.6A(Ta)
1.8V,4.5V
27 毫欧 @ 6.5A,4.5V
900mV @ 250µA
5.9 nC @ 4.5 V
±12V
485 pF @ 10 V
-
800mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
BAS20-AQ
MMFTN3404A
MOSFET SOT-23 N 30V 5.6A 0.023?
Diotec Semiconductor
2,992
现货
1 : ¥3.69000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.81779
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5.6A(Ta)
4.5V,10V
23 毫欧 @ 5.6A,10V
2.1V @ 250µA
-
±20V
744 pF @ 0 V
-
1.25W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
AS3400
AS3400
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
6,347
现货
1 : ¥2.30000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.38297
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5.6A(Ta)
2.5V,10V
27 毫欧 @ 5.6A,10V
1.5V @ 250µA
4.8 nC @ 4.5 V
±12V
535 pF @ 15 V
-
1.2W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
GSFKW0202
GSF3400
MOSFET, N-CH, SINGLE, 5.6A, 30V,
Good-Ark Semiconductor
5,788
现货
1 : ¥2.38000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.41955
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5.6A(Ta)
2.5V,10V
27 毫欧 @ 5.6A,10V
1.5V @ 250µA
4.8 nC @ 4.5 V
±12V
535 pF @ 15 V
-
1.2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
8 SO
ZXMP3A16N8TA
MOSFET P-CH 30V 5.6A 8SO
Diodes Incorporated
1,030
现货
3,500
工厂
1 : ¥7.47000
剪切带(CT)
500 : ¥4.02914
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5.6A(Ta)
4.5V,10V
40 毫欧 @ 4.2A,10V
1V @ 250µA
29.6 nC @ 10 V
±20V
1022 pF @ 15 V
-
1.9W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
0
现货
查看交期
36,000 : ¥0.97055
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
5.6A(Ta)
2.5V,4.5V
40 毫欧 @ 5.4A,4.5V
1V @ 250µA
10 nC @ 10 V
±12V
770 pF @ 10 V
-
1.8W(Tj)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-6L
SOT-23-6
0
现货
查看交期
3,000 : ¥1.00143
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5.6A(Ta)
4.5V,10V
23 毫欧 @ 5.6A,10V
2.1V @ 250µA
-
±20V
744 pF @ 0 V
-
1.25W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
0
现货
查看交期
3,000 : ¥1.08481
散装
-
散装
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
5.6A(Ta)
1.8V,4.5V
42 毫欧 @ 5.6A,4.5V
900mV @ 250µA
12.7 nC @ 4.5 V
±10V
1180 pF @ 10 V
-
1.3W
-55°C ~ 150°C
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
8-TSSOP 8-MSOP
IRF7603TRPBF
MOSFET N-CH 30V 5.6A MICRO8
Infineon Technologies
0
现货
4,000 : ¥1.92589
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5.6A(Ta)
4.5V,10V
35 毫欧 @ 3.7A,10V
1V @ 250µA
27 nC @ 10 V
±20V
520 pF @ 25 V
-
1.8W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
Micro8™
8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)
0
现货
1 : ¥8.21000
剪切带(CT)
5,000 : ¥3.23366
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
5.6A(Ta)
10V
1.4 欧姆 @ 2.8A,10V
4V @ 250µA
25 nC @ 10 V
±30V
900 pF @ 25 V
-
90W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252(DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
Pkg 5540
SI3445DV-T1-E3
MOSFET P-CH 8V 6TSOP
Vishay Siliconix
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
8 V
5.6A(Ta)
1.8V,4.5V
42 毫欧 @ 5.6A,4.5V
1V @ 250µA
25 nC @ 4.5 V
±8V
-
-
2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSOP
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
8-SOIC
SI9424BDY-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 5.6A 8SO
Vishay Siliconix
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
5.6A(Ta)
2.5V,4.5V
25 毫欧 @ 7.1A,4.5V
850mV @ 250µA
40 nC @ 4.5 V
±9V
-
-
1.25W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8 SOIC
MMSF3P02HDR2G
MOSFET P-CH 20V 5.6A 8SOIC
onsemi
0
现货
停产
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
5.6A(Ta)
4.5V,10V
75 毫欧 @ 3A,10V
2V @ 250µA
46 nC @ 10 V
±20V
1400 pF @ 16 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-MSOP
IRF7603TR
MOSFET N-CH 30V 5.6A MICRO8
Infineon Technologies
0
现货
停产
-
剪切带(CT)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5.6A(Ta)
-
35 毫欧 @ 3.7A,10V
1V @ 250µA
27 nC @ 10 V
-
520 pF @ 25 V
-
-
-
-
-
表面贴装型
Micro8™
8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)
SOT-23-6
IRLMS6802TR
MOSFET P-CH 20V 5.6A 6-TSOP
Infineon Technologies
0
现货
停产
-
剪切带(CT)
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
5.6A(Ta)
-
50 毫欧 @ 5.1A,4.5V
1.2V @ 250µA
16 nC @ 5 V
-
1079 pF @ 10 V
-
-
-
-
-
表面贴装型
Micro6™(SOT23-6)
SOT-23-6
8 SOIC
MMSF3P02HDR2
MOSFET P-CH 20V 5.6A 8SOIC
onsemi
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
5.6A(Ta)
4.5V,10V
75 毫欧 @ 3A,10V
2V @ 250µA
46 nC @ 10 V
±20V
1400 pF @ 16 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
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5.6A(Ta) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。