5.5A（Ta），13A（Tc） 单 FET，MOSFET

结果 : 4
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
8.6 nC @ 4.5 V19 nC @ 8 V
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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
DMP2040UVT-7
DMP2040UVT-7
MOSFET P-CH 20V TSOT26
Diodes Incorporated
1,061
现货
150,000
工厂
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.91871
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
5.5A（Ta），13A（Tc）
2.5V，4.5V
NHD-1.5-128128G，SSD1357
1.5V @ 250µA
8.6 nC @ 4.5 V
±12V
834 pF @ 10 V
-
1.2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TSOT-26
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
MOSFET P-CH 20V TSOT26
DMP2040UVT-13
MOSFET P-CH 20V TSOT26
Diodes Incorporated
0
现货
80,000
工厂
查看交期
10,000 : ¥0.79250
卷带（TR）
-
卷带（TR）
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
5.5A（Ta），13A（Tc）
2.5V，4.5V
NHD-1.5-128128G，SSD1357
1.5V @ 250µA
8.6 nC @ 4.5 V
±12V
834 pF @ 10 V
-
1.2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TSOT-26
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
TSOT-26
DMP2040UVTQ-13
MOSFET BVDSS: 8V~24V TSOT26 T&R
Diodes Incorporated
0
现货
10,000
工厂
查看交期
10,000 : ¥0.79950
卷带（TR）
-
卷带（TR）
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
5.5A（Ta），13A（Tc）
2.5V，4.5V
NHD-1.5-128128G，SSD1357
1.5V @ 250µA
19 nC @ 8 V
±12V
834 pF @ 10 V
-
1.2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TSOT-26
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
TSOT-26
DMP2040UVTQ-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V TSOT26 T&R
Diodes Incorporated
0
现货
查看交期
3,000 : ¥0.90979
卷带（TR）
-
卷带（TR）
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
5.5A（Ta），13A（Tc）
2.5V，4.5V
NHD-1.5-128128G，SSD1357
1.5V @ 250µA
19 nC @ 8 V
±12V
834 pF @ 10 V
-
1.2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TSOT-26
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
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5.5A（Ta），13A（Tc） 单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。