5.1A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 33
制造商
Goford SemiconductorInfineon TechnologiesVishay Siliconix
系列
-CoolMOS™HEXFET®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
产品状态
不适用于新设计停产最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
30 V60 V650 V900 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,4.5V4.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
55 欧姆 @ 5.1A,10V66 毫欧 @ 3.8A,4.5V74 毫欧 @ 4.1A,10V500 毫欧 @ 3.1A,10V930 毫欧 @ 3.1A,10V1.2 欧姆 @ 2.8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.6V @ 250µA3V @ 250µA3.5V @ 310µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
3.2 nC @ 10 V7.5 nC @ 5 V12 nC @ 10 V15 nC @ 10 V28 nC @ 10 V48 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±12V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
270 pF @ 25 V450 pF @ 15 V510 pF @ 15 V710 pF @ 100 V1040 pF @ 15 V1417 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
1.5W(Ta),2.8W(Tc)2W(Ta),3W(Tc)2.5W(Ta),25W(Tc)2.5W(Tc)3W(Tc)31W(Tc)60W(Tc)83W(Tc)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
6-TSOP8-SOPDPAKPG-TO220-3PG-TO220-3-1PG-TO220-FPPG-TO247-3-1PG-TO252-3PG-TO262-3PG-TO262-3-1SC-70-6TO-220-3TO-251AATO-252AA
封装/外壳
6-TSSOP,SC-88,SOT-3638-SOIC(0.154",3.90mm 宽)SOT-23-6 细型,TSOT-23-6TO-220-3TO-220-3 全封装,隔离接片TO-220-3 整包TO-247-3TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AATO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
33结果
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/ 33
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
Pkg 5540
SI3457CDV-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 5.1A 6TSOP
Vishay Siliconix
35,301
现货
1 : ¥4.27000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.43344
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5.1A(Tc)
4.5V,10V
74 毫欧 @ 4.1A,10V
3V @ 250µA
15 nC @ 10 V
±20V
450 pF @ 15 V
-
2W(Ta),3W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
6-TSOP
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
D-PAK (TO-252AA)
IRFR9014TRPBF
MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
Vishay Siliconix
5,576
现货
1 : ¥8.78000
剪切带(CT)
2,000 : ¥3.62647
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
5.1A(Tc)
10V
500 毫欧 @ 3.1A,10V
4V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
270 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),25W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
D-PAK (TO-252AA)
IRFR9014PBF
MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
Vishay Siliconix
1,253
现货
1 : ¥8.78000
管件
-
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
5.1A(Tc)
10V
500 毫欧 @ 3.1A,10V
4V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
270 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),25W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IPD90R1K2C3ATMA2
MOSFET N-CH 900V 2.1A TO252-3
Infineon Technologies
2,646
现货
1 : ¥13.30000
剪切带(CT)
2,500 : ¥6.00933
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
900 V
5.1A(Tc)
10V
1.2 欧姆 @ 2.8A,10V
3.5V @ 310µA
3.2 nC @ 10 V
±20V
710 pF @ 100 V
-
83W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
Pkg 5540
SI3457CDV-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 5.1A 6TSOP
Vishay Siliconix
20,080
现货
1 : ¥5.09000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.71231
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5.1A(Tc)
4.5V,10V
74 毫欧 @ 4.1A,10V
3V @ 250µA
15 nC @ 10 V
±20V
450 pF @ 15 V
-
3W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
6-TSOP
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
TO-252
IRFR9014TRPBF-BE3
MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
Vishay Siliconix
1,471
现货
1 : ¥8.78000
剪切带(CT)
2,000 : ¥3.62647
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
5.1A(Tc)
10V
500 毫欧 @ 3.1A,10V
4V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
270 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),25W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-251AA
IRFU9014PBF
MOSFET P-CH 60V 5.1A TO251AA
Vishay Siliconix
422
现货
1 : ¥12.07000
管件
-
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
5.1A(Tc)
10V
500 毫欧 @ 3.1A,10V
4V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
270 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),25W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-251AA
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
D-PAK (TO-252AA)
IRFR9014TRLPBF
MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
Vishay Siliconix
2,640
现货
1 : ¥8.46000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.51543
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
5.1A(Tc)
10V
500 毫欧 @ 3.1A,10V
4V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
270 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),25W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-220AB Full Pack
IRFIB5N65APBF
MOSFET N-CH 650V 5.1A TO220-3
Vishay Siliconix
927
现货
1 : ¥34.48000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
5.1A(Tc)
10V
930 毫欧 @ 3.1A,10V
4V @ 250µA
48 nC @ 10 V
±30V
1417 pF @ 25 V
-
60W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220-3
TO-220-3 全封装,隔离接片
2,989
现货
1 : ¥12.07000
管件
-
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
5.1A(Tc)
10V
500 毫欧 @ 3.1A,10V
4V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
270 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),25W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
G06N06S
G9435S
P-30V,-5.1A,RD(MAX)<55M@-10V,VTH
Goford Semiconductor
3,990
现货
1 : ¥3.61000
剪切带(CT)
4,000 : ¥0.80225
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5.1A(Tc)
4.5V,10V
55 欧姆 @ 5.1A,10V
3V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
1040 pF @ 15 V
-
2.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOP
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
I2PAK-TO-262
IPI90R1K2C3XKSA2
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO262-3
Infineon Technologies
0
现货
500 : ¥8.34452
管件
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
900 V
5.1A(Tc)
10V
1.2 欧姆 @ 2.8A,10V
3.5V @ 310µA
28 nC @ 10 V
±20V
710 pF @ 100 V
-
83W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO262-3-1
TO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AA
MOSFETTO247
IPA90R1K2C3XKSA2
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO220
Infineon Technologies
137
现货
1 : ¥14.94000
管件
管件
最后售卖
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
900 V
5.1A(Tc)
10V
1.2 欧姆 @ 2.8A,10V
3.5V @ 310µA
28 nC @ 10 V
±20V
710 pF @ 100 V
-
31W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO220-FP
TO-220-3 整包
TO-252
SIHFR9014-GE3
MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
3,000 : ¥1.96148
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
5.1A(Tc)
10V
500 毫欧 @ 3.1A,10V
4V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
270 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),25W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
SC-70-6
SI1470DH-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 5.1A SC70-6
Vishay Siliconix
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5.1A(Tc)
2.5V,4.5V
66 毫欧 @ 3.8A,4.5V
1.6V @ 250µA
7.5 nC @ 5 V
±12V
510 pF @ 15 V
-
1.5W(Ta),2.8W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SC-70-6
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SC-70-6
SI1470DH-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 5.1A SC70-6
Vishay Siliconix
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5.1A(Tc)
2.5V,4.5V
66 毫欧 @ 3.8A,4.5V
1.6V @ 250µA
7.5 nC @ 5 V
±12V
510 pF @ 15 V
-
1.5W(Ta),2.8W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SC-70-6
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
TO252-3
IRFR9014N
MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
Infineon Technologies
0
现货
75 : ¥8.30627
管件
管件
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
5.1A(Tc)
10V
500 毫欧 @ 3.1A,10V
4V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
270 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),25W(Tc)
-
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-220AB Pkg
IPP90R1K2C3XKSA2
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO220-3
Infineon Technologies
0
现货
500 : ¥8.34452
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
900 V
5.1A(Tc)
10V
1.2 欧姆 @ 2.8A,10V
3.5V @ 310µA
28 nC @ 10 V
±20V
710 pF @ 100 V
-
83W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO220-3-1
TO-220-3
D-PAK (TO-252AA)
IRFR9014TR
MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
Vishay Siliconix
0
现货
2,000 : ¥11.23148
卷带(TR)
-
卷带(TR)
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
5.1A(Tc)
10V
500 毫欧 @ 3.1A,10V
4V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
270 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),25W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
D-PAK (TO-252AA)
IRFR9014TRL
MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
Vishay Siliconix
0
现货
3,000 : ¥11.23149
卷带(TR)
-
卷带(TR)
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
5.1A(Tc)
10V
500 毫欧 @ 3.1A,10V
4V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
270 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),25W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IPD90R1K2C3BTMA1
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO252-3
Infineon Technologies
0
现货
1 : ¥11.58000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.80360
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
900 V
5.1A(Tc)
10V
1.2 欧姆 @ 2.8A,10V
3.5V @ 310µA
28 nC @ 10 V
±20V
710 pF @ 100 V
-
83W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IPD90R1K2C3ATMA1
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO252-3
Infineon Technologies
0
现货
1 : ¥13.30000
剪切带(CT)
2,500 : ¥6.00933
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
900 V
5.1A(Tc)
10V
1.2 欧姆 @ 2.8A,10V
3.5V @ 310µA
28 nC @ 10 V
±20V
710 pF @ 100 V
-
83W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-220AB Full Pack
IRFIB5N65A
MOSFET N-CH 650V 5.1A TO220-3
Vishay Siliconix
0
现货
停产
-
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
5.1A(Tc)
10V
930 毫欧 @ 3.1A,10V
4V @ 250µA
48 nC @ 10 V
±30V
1417 pF @ 25 V
-
60W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220-3
TO-220-3 全封装,隔离接片
D-PAK (TO-252AA)
IRFR9014
MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
Vishay Siliconix
0
现货
停产
-
管件
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
5.1A(Tc)
10V
500 毫欧 @ 3.1A,10V
4V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
270 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),25W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-251AA
IRFU9014
MOSFET P-CH 60V 5.1A TO251AA
Vishay Siliconix
0
现货
停产
-
管件
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
5.1A(Tc)
10V
500 毫欧 @ 3.1A,10V
4V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
270 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),25W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-251AA
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
显示
/ 33

5.1A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。