5.1A(Ta) 单 FET,MOSFET

结果 : 27
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesMicro Commercial CoNexperia USA Inc.NXP USA Inc.onsemiVishay Siliconix
系列
-HEXFET®TrenchFET®TrenchMOS™µCool™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
产品状态
Digi-Key 停止提供停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
12 V20 V30 V55 V150 V200 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.5V,4.5V1.8V,4.5V2.5V,4.5V4.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
18 毫欧 @ 7A,4.5V23 毫欧 @ 1A,4.5V27 毫欧 @ 5.1A,4.5V31 毫欧 @ 5.1A,10V42 毫欧 @ 4.1A,10V42 毫欧 @ 4.9A,10V43 毫欧 @ 3.1A,10V43 毫欧 @ 5.1A,10V44 毫欧 @ 3.1A,10V55 毫欧 @ 7.5A,10V57.5 毫欧 @ 3.1A,10V65 毫欧 @ 5.1A,4.5V72 毫欧 @ 3.9A,10V105 毫欧 @ 2A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
450mV @ 1mA(最小)1V @ 250µA1.2V @ 250µA2V @ 250µA2.1V @ 250µA2.5V @ 250µA4V @ 250µA5V @ 100µA5V @ 150µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
2.3 nC @ 4.5 V5 nC @ 10 V6.3 nC @ 10 V9.3 nC @ 10 V10 nC @ 10 V14 nC @ 10 V20 nC @ 10 V20 nC @ 4.5 V21 nC @ 5 V28 nC @ 4.5 V38 nC @ 10 V40 nC @ 10 V53 nC @ 10 V54 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±8V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
157 pF @ 15 V209 pF @ 15 V271 pF @ 15 V288 pF @ 6 V334 pF @ 15 V340 pF @ 25 V880 pF @ 15 V1230 pF @ 15 V1647 pF @ 75 V1783 pF @ 25 V2240 pF @ 15 V2290 pF @ 100 V
功率耗散(最大值)
500mW(Ta)510mW(Ta)700mW(Ta)800mW(Ta)1W(Ta)1.1W(Ta)1.2W(Ta)1.4W(Ta)1.9W(Ta)2.2W(Ta)2.5W(Ta)3.3W(Ta)3.6W(Ta),8.3W(Tc)-
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-
供应商器件封装
4-FlipFet™6-TSOP6-UDFN(2x2)8-PQFN(5x6)8-SO8-SOPDFN2020MD-6SC-74SOT-223TO-236ABTSOT-26U-WLB1010-4(C 类)
封装/外壳
4-FlipFet™4-UFBGA,WLBGA6-UDFN 裸露焊盘8-PowerTDFN8-PowerVDFN8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)SC-74,SOT-457SOT-23-6 细型,TSOT-23-6TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-261-4,TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
27结果
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/ 27
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
IRF7815TRPBF
MOSFET N-CH 150V 5.1A 8SO
Infineon Technologies
5,285
现货
1 : ¥10.65000
剪切带(CT)
4,000 : ¥4.40930
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)150 V5.1A(Ta)10V43 毫欧 @ 3.1A,10V5V @ 100µA38 nC @ 10 V±20V1647 pF @ 75 V-2.5W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-SO8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
SOT223-3L
IRFL024ZTRPBF
MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223
Infineon Technologies
102,207
现货
1 : ¥5.69000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.15064
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)55 V5.1A(Ta)10V57.5 毫欧 @ 3.1A,10V4V @ 250µA14 nC @ 10 V±20V340 pF @ 25 V-1W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-223TO-261-4,TO-261AA
8-Power TDFN
IRFH5020TRPBF
MOSFET N-CH 200V 5.1A 8PQFN
Infineon Technologies
7,688
现货
1 : ¥18.70000
剪切带(CT)
4,000 : ¥8.42103
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)200 V5.1A(Ta)10V55 毫欧 @ 7.5A,10V5V @ 150µA54 nC @ 10 V±20V2290 pF @ 100 V-3.6W(Ta),8.3W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-PQFN(5x6)8-PowerTDFN
ESD2V8P8U-TP
MCQ9435-TP
MOSFET P-CH 30V 5.1A 8SOP
Micro Commercial Co
13,387
现货
1 : ¥3.66000
剪切带(CT)
4,000 : ¥0.81427
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)30 V5.1A(Ta)10V105 毫欧 @ 2A,4.5V2V @ 250µA40 nC @ 10 V±20V--1.4W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-SOP8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
2,979
现货
1 : ¥3.90000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.05246
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V5.1A(Ta)4.5V,10V72 毫欧 @ 3.9A,10V2.5V @ 250µA5 nC @ 10 V±20V157 pF @ 15 V-3.3W(Ta)-55°C ~ 175°C(TJ)--表面贴装型DFN2020MD-66-UDFN 裸露焊盘
SC-74, SOT-457
PMN35EN,115
MOSFET N-CH 30V 5.1A 6TSOP
NXP USA Inc.
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V5.1A(Ta)4.5V,10V31 毫欧 @ 5.1A,10V2.5V @ 250µA9.3 nC @ 10 V±20V334 pF @ 15 V-500mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SC-74SC-74,SOT-457
6-UDFN
NTLUS3A18PZCTCG
MOSFET P-CH 20V 5.1A 6UDFN
onsemi
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产P 通道MOSFET(金属氧化物)20 V5.1A(Ta)1.5V,4.5V18 毫欧 @ 7A,4.5V1V @ 250µA28 nC @ 4.5 V±8V2240 pF @ 15 V-----表面贴装型6-UDFN(2x2)6-UDFN 裸露焊盘
6-UDFN
NTLUS3A18PZTCG
MOSFET P-CH 20V 5.1A 6UDFN
onsemi
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产P 通道MOSFET(金属氧化物)20 V5.1A(Ta)1.5V,4.5V18 毫欧 @ 7A,4.5V1V @ 250µA28 nC @ 4.5 V±8V2240 pF @ 15 V-700mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型6-UDFN(2x2)6-UDFN 裸露焊盘
6-UDFN
NTLUS3A18PZTAG
MOSFET P-CH 20V 5.1A 6UDFN
onsemi
47
现货
1 : ¥5.31000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.01840
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产P 通道MOSFET(金属氧化物)20 V5.1A(Ta)1.5V,4.5V18 毫欧 @ 7A,4.5V1V @ 250µA28 nC @ 4.5 V±8V2240 pF @ 15 V-700mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型6-UDFN(2x2)6-UDFN 裸露焊盘
TO-236AB
PMV45EN2VL
MOSFET N-CH 30V 5.1A TO236AB
Nexperia USA Inc.
0
现货
查看交期
10,000 : ¥0.67065
卷带(TR)
卷带(TR)
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V5.1A(Ta)4.5V,10V42 毫欧 @ 4.1A,10V2V @ 250µA6.3 nC @ 10 V±20V209 pF @ 15 V-510mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型TO-236ABTO-236-3,SC-59,SOT-23-3
6-UDFN
NTLUS3A18PZTBG
MOSFET P-CH 20V 5.1A 6UDFN
onsemi
0
现货
1 : ¥5.31000
剪切带(CT)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产P 通道MOSFET(金属氧化物)20 V5.1A(Ta)1.5V,4.5V18 毫欧 @ 7A,4.5V1V @ 250µA28 nC @ 4.5 V±8V2240 pF @ 15 V-700mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型6-UDFN(2x2)6-UDFN 裸露焊盘
SOT223-3L
IRFL024Z
MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223
Infineon Technologies
0
现货
80 : ¥5.39713
管件
管件
停产N 通道MOSFET(金属氧化物)55 V5.1A(Ta)10V57.5 毫欧 @ 3.1A,10V4V @ 250µA14 nC @ 10 V±20V340 pF @ 25 V-1W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-223TO-261-4,TO-261AA
MOSFET P-CH 20V 5.1A 4FLIPFET
IRF6100
MOSFET P-CH 20V 5.1A 4FLIPFET
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带(TR)
停产P 通道MOSFET(金属氧化物)20 V5.1A(Ta)2.5V,4.5V65 毫欧 @ 5.1A,4.5V1.2V @ 250µA21 nC @ 5 V±12V1230 pF @ 15 V-2.2W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型4-FlipFet™4-FlipFet™
SOT223-3L
IRFL024ZPBF
MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223
Infineon Technologies
0
现货
Digi-Key 停止提供
管件
Digi-Key 停止提供N 通道MOSFET(金属氧化物)55 V5.1A(Ta)10V57.5 毫欧 @ 3.1A,10V4V @ 250µA14 nC @ 10 V±20V340 pF @ 25 V-1W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-223TO-261-4,TO-261AA
IRF7494PBF
MOSFET N-CH 150V 5.1A 8SO
Infineon Technologies
0
现货
停产
管件
停产N 通道MOSFET(金属氧化物)150 V5.1A(Ta)10V44 毫欧 @ 3.1A,10V4V @ 250µA53 nC @ 10 V±20V1783 pF @ 25 V-2.5W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-SO8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
MOSFET P-CH 20V 5.1A 4FLIPFET
IRF6100PBF
MOSFET P-CH 20V 5.1A 4FLIPFET
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带(TR)
停产P 通道MOSFET(金属氧化物)20 V5.1A(Ta)2.5V,4.5V65 毫欧 @ 5.1A,4.5V1.2V @ 250µA21 nC @ 5 V±12V1230 pF @ 15 V-2.2W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型4-FlipFet™4-FlipFet™
IRF7494TRPBF
MOSFET N-CH 150V 5.1A 8SO
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
停产N 通道MOSFET(金属氧化物)150 V5.1A(Ta)10V44 毫欧 @ 3.1A,10V4V @ 250µA53 nC @ 10 V±20V1783 pF @ 25 V-2.5W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-SO8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
IRF7815PBF
MOSFET N-CH 150V 5.1A 8SO
Infineon Technologies
0
现货
Digi-Key 停止提供
管件
Digi-Key 停止提供N 通道MOSFET(金属氧化物)150 V5.1A(Ta)10V43 毫欧 @ 3.1A,10V5V @ 100µA38 nC @ 10 V±20V1647 pF @ 75 V-2.5W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-SO8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-Power TDFN
IRFH5020TR2PBF
MOSFET N-CH 200V 5.1A 8PQFN
Infineon Technologies
0
现货
停产
-
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产N 通道MOSFET(金属氧化物)200 V5.1A(Ta)-55 毫欧 @ 7.5A,10V5V @ 150µA54 nC @ 10 V-2290 pF @ 100 V-----表面贴装型8-PQFN(5x6)8-PowerVDFN
Pkg 5540
SI3460DV-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP
Vishay Siliconix
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产N 通道MOSFET(金属氧化物)20 V5.1A(Ta)1.8V,4.5V27 毫欧 @ 5.1A,4.5V450mV @ 1mA(最小)20 nC @ 4.5 V±8V--1.1W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型6-TSOPSOT-23-6 细型,TSOT-23-6
Pkg 5540
SI3460DV-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP
Vishay Siliconix
0
现货
停产
卷带(TR)
停产N 通道MOSFET(金属氧化物)20 V5.1A(Ta)1.8V,4.5V27 毫欧 @ 5.1A,4.5V450mV @ 1mA(最小)20 nC @ 4.5 V±8V--1.1W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型6-TSOPSOT-23-6 细型,TSOT-23-6
Automotive, AEC-Q101 Series
PMN35EN,125
MOSFET N-CH 30V 5.1A 6TSOP
Nexperia USA Inc.
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V5.1A(Ta)4.5V,10V31 毫欧 @ 5.1A,10V2.5V @ 250µA9.3 nC @ 10 V±20V334 pF @ 15 V-500mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型6-TSOPSC-74,SOT-457
6-UDFN
NTLUS3A18PZCTAG
MOSFET P-CH 20V 5.1A 6UDFN
onsemi
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产P 通道MOSFET(金属氧化物)20 V5.1A(Ta)1.5V,4.5V18 毫欧 @ 7A,4.5V1V @ 250µA28 nC @ 4.5 V±8V2240 pF @ 15 V-----表面贴装型6-UDFN(2x2)6-UDFN 裸露焊盘
6-UDFN
NTLUS3A18PZCTBG
MOSFET P-CH 20V 5.1A 6UDFN
onsemi
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产P 通道MOSFET(金属氧化物)20 V5.1A(Ta)1.5V,4.5V18 毫欧 @ 7A,4.5V1V @ 250µA28 nC @ 4.5 V±8V2240 pF @ 15 V-----表面贴装型6-UDFN(2x2)6-UDFN 裸露焊盘
TSOT-26
DMP3065LVT-13
MOSFET P-CH 30V 5.1A TSOT-26
Diodes Incorporated
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产P 通道MOSFET(金属氧化物)30 V5.1A(Ta)4.5V,10V42 毫欧 @ 4.9A,10V2.1V @ 250µA20 nC @ 10 V±20V880 pF @ 15 V-1.2W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型TSOT-26SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
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5.1A(Ta) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。