46A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 85
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesIXYSMicrochip TechnologyNexperia USA Inc.NXP USA Inc.onsemiRohm SemiconductorSanken Electric USA Inc.STMicroelectronicsTaiwan Semiconductor CorporationToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-AlphaMOSCoolMOS™CoolMOS™ C7CoolSiC™CoolSiC™ Gen 2DeepGATE™, STripFET™ VIIEEFHEXFET®HiPerFET™, TrenchHiPerFET™, Ultra X2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)SiCFET(碳化硅)SiC(碳化硅结晶体管)
漏源电压(Vdss)
20 V25 V30 V40 V55 V60 V75 V80 V100 V150 V200 V250 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V5V5V,10V6V,10V10V15V15V,18V15V,20V18V20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
2 毫欧 @ 15A,10V5 毫欧 @ 20A,10V5.6 毫欧 @ 23A,10V6.7 毫欧 @ 23A,10V6.95 毫欧 @ 30A,10V8.2 毫欧 @ 30A,10V8.4 毫欧 @ 23A,10V9 毫欧 @ 20A,10V9.1 毫欧 @ 15A,10V9.6 毫欧 @ 23A,10V9.7 毫欧 @ 40A,10V9.9 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.95V @ 1mA2V @ 1mA2V @ 250µA2.2V @ 250µA2.3V @ 14µA2.3V @ 250µA2.4V @ 250µA2.5V @ 250µA2.5V @ 300µA2.5V @ 650µA2.6V @ 250µA3.3V @ 14µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
3.1 nC @ 4.5 V9.7 nC @ 4.5 V12 nC @ 10 V15 nC @ 10 V18 nC @ 10 V18 nC @ 5 V25 nC @ 10 V26 nC @ 10 V28 nC @ 18 V29 nC @ 10 V30 nC @ 10 V33 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±10V±15V+19V,-10V+19V,-8V+20V,-2V20V±20V+22V,-8V+23V,-7V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
694 pF @ 12 V702 pF @ 20 V987 pF @ 15 V997 pF @ 400 V1075 pF @ 30 V1300 pF @ 30 V1333 pF @ 15 V1393 pF @ 400 V1400 pF @ 25 V1473 pF @ 325 V1500 pF @ 15 V1593 pF @ 400 V
功率耗散(最大值)
750mW(Ta)2.2W(Ta)2.5W(Ta),36W(Tc)2.5W(Ta),50W(Tc)3.5W(Ta),7.8W(Tc)5W(Ta),39W(Tc)5W(Ta),72W(Tc)25W(Tc)32W(Tc)34W(Tc)35W(Tc)36W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 175°C(TJ)150°C(TJ)175°C175°C(TJ)
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
底座安装表面贴装型通孔
供应商器件封装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)8-PDFN(5x6)8-SOICD2PAKD2PAK-7DPAKIPAKISOTOPLFPAK56,Power-SO8PG-TDSON-8-6PG-TO220 整包PG-TO220-3
封装/外壳
8-PowerSFN8-PowerTDFN8-PowerTDFN,5 引线8-PowerVDFN8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)ISOTOPPowerPAK® SO-8 双PowerPAK® SO-8SC-100,SOT-669SOT-227-4,miniBLOCTO-220-3 整包TO-220-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
85结果
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/ 85
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
PSMN014-40YS,115
MOSFET N-CH 40V 46A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
31,225
现货
1 : ¥5.34000
剪切带(CT)
1,500 : ¥2.27651
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
46A(Tc)
10V
14 毫欧 @ 5A,10V
4V @ 1mA
12 nC @ 10 V
±20V
702 pF @ 20 V
-
56W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
8-Power TDFN
BSC097N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 46A TDSON-8-6
Infineon Technologies
20,089
现货
1 : ¥7.47000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.94479
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
46A(Tc)
6V,10V
9.7 毫欧 @ 40A,10V
3.3V @ 14µA
15 nC @ 10 V
±20V
1075 pF @ 30 V
-
2.5W(Ta),36W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-6
8-PowerTDFN
TSDSON-8
BSZ099N06LS5ATMA1
MOSFET N-CH 60V 46A TSDSON
Infineon Technologies
21,191
现货
1 : ¥7.55000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.97929
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
46A(Tc)
4.5V,10V
9.9 毫欧 @ 20A,10V
2.3V @ 14µA
3.1 nC @ 4.5 V
±20V
1300 pF @ 30 V
-
36W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TSDSON-8-FL
8-PowerTDFN
PG-TO247-3
IPW65R045C7FKSA1
MOSFET N-CH 650V 46A TO247-3
Infineon Technologies
2,418
现货
1 : ¥95.80000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
46A(Tc)
10V
45 毫欧 @ 24.9A,10V
4V @ 1.25mA
93 nC @ 10 V
±20V
4340 pF @ 400 V
-
227W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO247-3-1
TO-247-3
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB65R045C7ATMA2
MOSFET N-CH 650V 46A TO263-3
Infineon Technologies
1,596
现货
1 : ¥102.04000
剪切带(CT)
1,000 : ¥64.60707
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
46A(Tc)
10V
45 毫欧 @ 24.9A,10V
4V @ 1.25mA
93 nC @ 10 V
±20V
4340 pF @ 400 V
-
227W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-247 Plus X
IXTX46N50L
MOSFET N-CH 500V 46A PLUS247-3
IXYS
239
现货
1 : ¥368.85000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
46A(Tc)
20V
160 毫欧 @ 500mA,20V
6V @ 250µA
260 nC @ 15 V
±30V
7000 pF @ 25 V
-
700W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PLUS247™-3
TO-247-3 变式
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
BUK9Y19-55B,115
MOSFET N-CH 55V 46A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
44,933
现货
1 : ¥8.37000
剪切带(CT)
1,500 : ¥3.69092
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
46A(Tc)
5V
17.3 毫欧 @ 20A,10V
2V @ 1mA
18 nC @ 5 V
±15V
1992 pF @ 25 V
-
85W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
PowerPak SO-8L
SQJA84EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 80V 46A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
11,505
现货
1 : ¥9.52000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.94426
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
46A(Tc)
4.5V,10V
12.5 毫欧 @ 10A,10V
2.5V @ 250µA
35 nC @ 10 V
±20V
2100 pF @ 25 V
-
55W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8
SI7463ADP-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 46A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
9,670
现货
1 : ¥10.02000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.13100
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
46A(Tc)
4.5V,10V
10 毫欧 @ 15A,10V
2.3V @ 250µA
144 nC @ 10 V
±20V
4150 pF @ 20 V
-
5W(Ta),39W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
TO-220-F
STF100N6F7
MOSFET N-CH 60V 46A TO220FP
STMicroelectronics
949
现货
1 : ¥12.81000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
46A(Tc)
10V
5.6 毫欧 @ 23A,10V
4V @ 250µA
30 nC @ 10 V
±20V
1980 pF @ 25 V
-
25W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220FP
TO-220-3 整包
8-SOIC
SI4136DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 46A 8SO
Vishay Siliconix
3,837
现货
1 : ¥12.89000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.31936
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
46A(Tc)
4.5V,10V
2 毫欧 @ 15A,10V
2.2V @ 250µA
110 nC @ 10 V
±20V
4560 pF @ 10 V
-
3.5W(Ta),7.8W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
D2PAK SOT404
BUK9629-100B,118
MOSFET N-CH 100V 46A D2PAK
Nexperia USA Inc.
7,076
现货
1 : ¥13.46000
剪切带(CT)
800 : ¥7.52038
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
46A(Tc)
5V,10V
27 毫欧 @ 25A,10V
2V @ 1mA
33 nC @ 5 V
±15V
4360 pF @ 25 V
-
157W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
PowerPak® SO-8
SQJA81EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 80V 46A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
297
现货
1 : ¥17.65000
剪切带(CT)
3,000 : ¥7.97407
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
46A(Tc)
4.5V,10V
17.3 毫欧 @ 10A,10V
2.5V @ 250µA
80 nC @ 10 V
±20V
5900 pF @ 25 V
-
68W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
TO-220AB PKG
IRFB4229PBF
MOSFET N-CH 250V 46A TO220AB
Infineon Technologies
581
现货
1 : ¥28.32000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
46A(Tc)
10V
46 毫欧 @ 26A,10V
5V @ 250µA
110 nC @ 10 V
±30V
4560 pF @ 25 V
-
330W(Tc)
-40°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
SIHS36N50D-GE3
SIHFPS40N50L-GE3
POWER MOSFET SUPER-247, 100 M @
Vishay Siliconix
191
现货
1 : ¥60.50000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
46A(Tc)
10V
100 毫欧 @ 28A,10V
5V @ 250µA
380 nC @ 10 V
±30V
8110 pF @ 25 V
-
540W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
SUPER-247™(TO-274AA)
TO-274AA
TO-264
IXTK46N50L
MOSFET N-CH 500V 46A TO264
IXYS
724
现货
1 : ¥368.85000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
46A(Tc)
20V
160 毫欧 @ 500mA,20V
6V @ 250µA
260 nC @ 15 V
±30V
7000 pF @ 25 V
-
700W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-264(IXTK)
TO-264-3,TO-264AA
8-PowerVDFN
STL60N10F7
MOSFET N-CH 100V 46A POWERFLAT
STMicroelectronics
14,720
现货
1 : ¥11.99000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.96739
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
46A(Tc)
10V
18 毫欧 @ 6A,10V
4.5V @ 250µA
25 nC @ 10 V
20V
1640 pF @ 50 V
-
5W(Ta),72W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerFlat™(5x6)
8-PowerVDFN
48
现货
1 : ¥12.89000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
46A(Tc)
6V,10V
8.2 毫欧 @ 30A,10V
3.8V @ 46µA
42 nC @ 10 V
±20V
2000 pF @ 50 V
-
35W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO220 整包
TO-220-3 整包
10,887
现货
1 : ¥13.55000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.69729
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
46A(Tc)
4.5V,10V
16 毫欧 @ 8A,10V
2.5V @ 250µA
73 nC @ 10 V
±20V
4431 pF @ 50 V
-
83W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-PDFN(5x6)
8-PowerTDFN
TO-247-3 AC EP
IRFP260PBF
MOSFET N-CH 200V 46A TO247-3
Vishay Siliconix
802
现货
1 : ¥36.12000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
46A(Tc)
10V
55 毫欧 @ 28A,10V
4V @ 250µA
230 nC @ 10 V
±20V
5200 pF @ 25 V
-
280W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247AC
TO-247-3
IXFH34N65X3
IXFH46N65X3
MOSFET 46A 650V X3 TO247
IXYS
352
现货
1 : ¥76.26000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
46A(Tc)
10V
73毫欧 @ 23A,10V
5.2V @ 2.5mA
40 nC @ 10 V
±20V
2730 pF @ 25 V
-
520W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247(IXFH)
TO-247-3
TO-247-3
NTHL060N090SC1
SICFET N-CH 900V 46A TO247-3
onsemi
502
现货
1 : ¥94.00000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
900 V
46A(Tc)
15V
84 毫欧 @ 20A,15V
4.3V @ 5mA
87 nC @ 15 V
+19V,-10V
1770 pF @ 450 V
-
221W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3
NTHL065N65S3F
MOSFET N-CH 650V 46A TO247-3
onsemi
6,612
现货
1 : ¥97.94000
管件
-
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
46A(Tc)
10V
65 毫欧 @ 23A,10V
5V @ 4.6mA
98 nC @ 10 V
±30V
4075 pF @ 400 V
-
337W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-220-3
IPP65R045C7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 46A TO220-3
Infineon Technologies
747
现货
1 : ¥99.15000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
46A(Tc)
10V
45 毫欧 @ 24.9A,10V
4V @ 1.25mA
93 nC @ 10 V
±20V
4340 pF @ 400 V
-
227W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO220-3
TO-220-3
PowerPak SO-8L
SQJA94EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 80V 46A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
2,999
现货
1 : ¥9.52000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.94426
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
46A(Tc)
10V
13.5 毫欧 @ 10A,10V
3.5V @ 250µA
35 nC @ 10 V
±20V
2000 pF @ 25 V
-
55W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
显示
/ 85

46A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。