43A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 75
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesIXYSLittelfuse Inc.Microchip TechnologyMicrosemi CorporationNexperia USA Inc.onsemiQorvoRohm SemiconductorVishay Siliconix
系列
-EHEXFET®HiPerFET™HiPerFET™, PolarOptiMOS™POWER MOS 7®POWER MOS 8™POWER MOS IV®TrenchMOS™UltraFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)托盘散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产最后售卖在售
技术
MOSFET(金属氧化物)SiCFET(共源共栅 SiCJFET)SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)
25 V30 V55 V60 V80 V100 V150 V200 V500 V600 V650 V800 V900 V1000 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
3.3V,10V4.5V,10V6V,10V8V,10V10V12V18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
7.5 毫欧 @ 43A,10V9.3 毫欧 @ 26A,10V9.3 毫欧 @ 40A,10V13.5 毫欧 @ 10A,10V13.8 毫欧 @ 15A,10V15.8 毫欧 @ 25A,10V17 毫欧 @ 10A,10V18 毫欧 @ 20A,10V18 毫欧 @ 33A,10V18 毫欧 @ 6A,10V20.5 毫欧 @ 15A,10V22 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.7V @ 250µA2V @ 1mA2.25V @ 250µA3V @ 250µA3.5V @ 33µA4V @ 150µA4V @ 1mA4V @ 2.5mA4V @ 250µA4V @ 270µA4V @ 34µA4V @ 50µA4.5V @ 8mA4.8V @ 11.1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
8 nC @ 4.5 V11 nC @ 4.5 V23 nC @ 10 V25 nC @ 10 V27.9 nC @ 10 V29.6 nC @ 10 V30 nC @ 10 V41 nC @ 10 V43 nC @ 12 V48 nC @ 10 V55 nC @ 10 V91 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
+10V,-8V±15V±20V+21V,-4V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
400 pF @ 12.5 V780 pF @ 15 V1150 pF @ 50 V1261 pF @ 25 V1310 pF @ 25 V1500 pF @ 100 V1529 pF @ 30 V1724 pF @ 25 V1800 pF @ 50 V2031 pF @ 25 V2210 pF @ 50 V2270 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
1.7W(Ta)2.1W(Ta)3.8W(Ta),200W(Tc)3.8W(Ta),300W(Tc)33W(Tc)39W(Tc)40W(Tc)47W(Tc)50W(Tc)71W(Tc)79W(Tc)94W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)175°C(TJ)
安装类型
底座安装表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-PDFN(3.3x3.3)8-PDFN(5x6)D2PAKD2PAK-7DPAKIPAKIPAK(TO-251AA)ISOPLUS247™ISOTOP®LFPAK33LFPAK56,Power-SO8PG-TO220-3
封装/外壳
8-PowerTDFNSC-100,SOT-669SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引线)SOT-227-4,miniBLOCSP4TO-220-3TO-220-3 整包TO-247-3TO-247-3 变式TO-247-4TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AATO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AATO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
75结果
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/ 75
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
PSMN020-100YS,115
MOSFET N-CH 100V 43A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
138,654
现货
1 : ¥8.95000
剪切带(CT)
1,500 : ¥3.93742
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
43A(Tc)
10V
20.5 毫欧 @ 15A,10V
4V @ 1mA
41 nC @ 10 V
±20V
2210 pF @ 50 V
-
106W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
TO252-3
IRFR3806TRPBF
MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
Infineon Technologies
48,431
现货
1 : ¥10.02000
剪切带(CT)
2,000 : ¥4.12762
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
43A(Tc)
10V
15.8 毫欧 @ 25A,10V
4V @ 50µA
30 nC @ 10 V
±20V
1150 pF @ 50 V
-
71W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-220AB PKG
IRF3415PBF
MOSFET N-CH 150V 43A TO220AB
Infineon Technologies
4,399
现货
1 : ¥17.57000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
43A(Tc)
10V
42 毫欧 @ 22A,10V
4V @ 250µA
200 nC @ 10 V
±20V
2400 pF @ 25 V
-
200W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-252 D-Pak Top
DMN6017SK3-13
MOSFET N-CHANNEL 60V 43A TO252
Diodes Incorporated
4,420
现货
10,000
工厂
1 : ¥4.68000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.77348
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
43A(Tc)
4.5V,10V
18 毫欧 @ 6A,10V
3V @ 250µA
55 nC @ 10 V
±20V
2711 pF @ 15 V
-
50W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252(DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-220AB PKG
IRFB3806PBF
MOSFET N-CH 60V 43A TO220AB
Infineon Technologies
3,955
现货
1 : ¥7.06000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
43A(Tc)
10V
15.8 毫欧 @ 25A,10V
4V @ 50µA
30 nC @ 10 V
±20V
1150 pF @ 50 V
-
71W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
LFPAK33
BUK7M17-80EX
MOSFET N-CH 80V 43A LFPAK33
Nexperia USA Inc.
3,843
现货
1 : ¥7.96000
剪切带(CT)
1,500 : ¥3.48607
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
43A(Tc)
10V
17 毫欧 @ 10A,10V
4V @ 1mA
29.6 nC @ 10 V
±20V
2031 pF @ 25 V
-
79W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK33
SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引线)
TO252-3
IPD180N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3
Infineon Technologies
5,076
现货
1 : ¥9.85000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.08799
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
43A(Tc)
6V,10V
18 毫欧 @ 33A,10V
3.5V @ 33µA
25 nC @ 10 V
±20V
1800 pF @ 50 V
-
71W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
PSMN059-150Y,115
MOSFET N-CH 150V 43A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
9,892
现货
1 : ¥10.02000
剪切带(CT)
1,500 : ¥4.39665
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
43A(Tc)
10V
59 毫欧 @ 12A,10V
4V @ 1mA
27.9 nC @ 10 V
±20V
1529 pF @ 30 V
-
113W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
TO-220-3
IPP180N10N3GXKSA1
MOSFET N-CH 100V 43A TO220-3
Infineon Technologies
538
现货
1 : ¥10.10000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
43A(Tc)
6V,10V
18 毫欧 @ 33A,10V
3.5V @ 33µA
25 nC @ 10 V
±20V
1800 pF @ 50 V
-
71W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO220-3
TO-220-3
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRFS3806TRLPBF
MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK
Infineon Technologies
12,480
现货
1 : ¥11.16000
剪切带(CT)
800 : ¥6.00390
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
43A(Tc)
10V
15.8 毫欧 @ 25A,10V
4V @ 50µA
30 nC @ 10 V
±20V
1150 pF @ 50 V
-
71W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF3415STRLPBF
MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Infineon Technologies
2,466
现货
1 : ¥18.72000
剪切带(CT)
800 : ¥10.46589
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
43A(Tc)
10V
42 毫欧 @ 22A,10V
4V @ 250µA
200 nC @ 10 V
±20V
2400 pF @ 25 V
-
3.8W(Ta),200W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRFS38N20DTRLP
MOSFET N-CH 200V 43A D2PAK
Infineon Technologies
231
现货
1 : ¥26.43000
剪切带(CT)
800 : ¥15.41018
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
43A(Tc)
10V
54 毫欧 @ 26A,10V
5V @ 250µA
91 nC @ 10 V
±20V
2900 pF @ 25 V
-
3.8W(Ta),300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
SCT4026DRHRC15
SCT4036KRC15
1200V, 36M, 4-PIN THD, TRENCH-ST
Rohm Semiconductor
4,781
现货
1 : ¥177.32000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
43A(Tc)
18V
47 毫欧 @ 21A,18V
4.8V @ 11.1mA
91 nC @ 18 V
+21V,-4V
2335 pF @ 800 V
-
176W
175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
TO-247N
SCT4036KEC11
1200V, 36M, 3-PIN THD, TRENCH-ST
Rohm Semiconductor
4,713
现货
1 : ¥177.32000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
43A(Tc)
18V
47 毫欧 @ 21A,18V
4.8V @ 11.1mA
91 nC @ 18 V
+21V,-4V
2335 pF @ 800 V
-
176W
175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247N
TO-247-3
SCT4026DRHRC15
SCT4036KRHRC15
1200V, 43A, 4-PIN THD, TRENCH-ST
Rohm Semiconductor
236
现货
1 : ¥182.58000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
43A(Tc)
18V
47 毫欧 @ 21A,18V
4.8V @ 11.1mA
91 nC @ 18 V
+21V,-4V
2335 pF @ 800 V
-
176W
175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
TO-247-3 AC EP
IRFP3415PBF
MOSFET N-CH 150V 43A TO247AC
Infineon Technologies
3,800
现货
1 : ¥18.64000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
43A(Tc)
10V
42 毫欧 @ 22A,10V
4V @ 250µA
200 nC @ 10 V
±20V
2400 pF @ 25 V
-
200W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247AC
TO-247-3
TO252-3
AUIRFR3806TRL
MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
Infineon Technologies
6,549
现货
1 : ¥18.80000
剪切带(CT)
3,000 : ¥8.46148
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
43A(Tc)
10V
15.8 毫欧 @ 25A,10V
4V @ 50µA
30 nC @ 10 V
±20V
1150 pF @ 50 V
-
71W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-220AB Full Pack
IRFI4410ZPBF
MOSFET N-CH 100V 43A TO220AB FP
Infineon Technologies
684
现货
1 : ¥21.51000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
43A(Tc)
10V
9.3 毫欧 @ 26A,10V
4V @ 150µA
110 nC @ 10 V
±30V
4910 pF @ 50 V
-
47W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB 整包
TO-220-3 整包
TO-220AB PKG
IRFB38N20DPBF
MOSFET N-CH 200V 43A TO220AB
Infineon Technologies
1,905
现货
1 : ¥22.49000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
43A(Tc)
10V
54 毫欧 @ 26A,10V
5V @ 250µA
91 nC @ 10 V
±20V
2900 pF @ 25 V
-
3.8W(Ta),300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB
SIHP38N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 43A TO220AB
Vishay Siliconix
939
现货
1 : ¥36.70000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
43A(Tc)
10V
65 毫欧 @ 19A,10V
4V @ 250µA
183 nC @ 10 V
±30V
3600 pF @ 100 V
-
313W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
PG-TO-220-FP
IPA075N15N3GXKSA1
MOSFET N-CH 150V 43A TO220-3
Infineon Technologies
776
现货
1 : ¥58.86000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
43A(Tc)
8V,10V
7.5 毫欧 @ 43A,10V
4V @ 270µA
93 nC @ 10 V
±20V
7280 pF @ 75 V
-
39W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO220-FP
TO-220-3 整包
UF3C120080B7S
UF3SC065040B7S
650V/40MOHM, SIC, STACKED FAST C
Qorvo
8,461
现货
1 : ¥71.75000
剪切带(CT)
800 : ¥60.13348
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET(共源共栅 SiCJFET)
650 V
43A(Tc)
12V
52 毫欧 @ 30A,12V
6V @ 10mA
43 nC @ 12 V
±25V
1500 pF @ 100 V
-
195W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK-7
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
TO-247-3 AC EP
SIHG47N60AE-GE3
MOSFET N-CH 600V 43A TO247AC
Vishay Siliconix
3,768
现货
1 : ¥43.26000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
43A(Tc)
10V
65 毫欧 @ 24A,10V
4V @ 250µA
182 nC @ 10 V
±30V
3600 pF @ 100 V
-
313W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247AC
TO-247-3
TO-247N
SCT4036KEHRC11
1200V, 43A, 3-PIN THD, TRENCH-ST
Rohm Semiconductor
400
现货
1 : ¥182.58000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
43A(Tc)
18V
47 毫欧 @ 21A,18V
4.8V @ 11.1mA
91 nC @ 18 V
+21V,-4V
2335 pF @ 800 V
-
176W
175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
通孔
TO-247N
TO-247-3
TO-220-3
HUF75842P3
MOSFET N-CH 150V 43A TO220-3
onsemi
800
现货
1 : ¥37.68000
管件
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
43A(Tc)
10V
42 毫欧 @ 43A,10V
4V @ 250µA
175 nC @ 20 V
±20V
2730 pF @ 25 V
-
230W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3
显示
/ 75

43A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。