40A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 321
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedDiotec SemiconductorGoford SemiconductorGood-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesIXYSMicro Commercial CoMicrochip TechnologyMicrosemi CorporationNexperia USA Inc.NXP USA Inc.
系列
-AlphaSGT™C2M™CoolMOS™CoolMOS™ CFD7DeepGATE™, STripFET™ VIIEEFFRFET®FRFET®, SuperFET® IIFRFET®, SuperFET® IIIGigaMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)托盘散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)SiCFET(碳化硅)SiC(碳化硅结晶体管)
漏源电压(Vdss)
12 V20 V24 V25 V30 V40 V55 V60 V75 V80 V100 V105 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V2.5V,10V2.5V,4.5V3.5V,10V4V,10V4.5V,10V5V,10V6V,10V7V,10V10V15V15V,18V18V20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
2.1 毫欧 @ 10A,10V2.15 毫欧 @ 15A,10V2.25 毫欧 @ 20A,10V2.3 毫欧 @ 15A,10V2.4 毫欧 @ 20A,10V2.5 毫欧 @ 15A,10V2.5 毫欧 @ 15A,4.5V2.7 毫欧 @ 20A,10V2.8 毫欧 @ 20A,10V3 毫欧 @ 15A,10V3 毫欧 @ 20A,10V3 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
600mV @ 250µA(最小)1V @ 250µA1.1V @ 250µA1.5V @ 250µA1.6V @ 250µA1.8V @ 250µA1.9V @ 105µA2V @ 10µA2V @ 14µA2V @ 15µA2V @ 17µA2V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
3.2 nC @ 4.5 V5 nC @ 4.5 V6.3 nC @ 5 V6.6 nC @ 4.5 V9.1 nC @ 10 V11 nC @ 4.5 V12 nC @ 4.5 V12 nC @ 5 V13 nC @ 4.5 V13.5 nC @ 4.5 V13.6 nC @ 10 V13.7 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±8V±10V±12V±15V+16V,-10V±16V±17V+18V,-5V±18V+19V,-8V+20V,-10V+20V,-16V±20V+22V,-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
670 pF @ 12 V700 pF @ 20 V700 pF @ 25 V770 pF @ 25 V771 pF @ 25 V910 pF @ 12 V920 pF @ 25 V970 pF @ 12 V990 pF @ 25 V1000 pF @ 10 V1000 pF @ 25 V1050 pF @ 15 V
功率耗散(最大值)
630mW(Ta),104W(Tc)700mW(Ta),34W(Tc)1W(Ta),120W(Tc)1.35W(Ta),50W(Tc)1.6W1.6W(Ta)1.6W(Ta),36W(Tc)1.8W(Ta),120W(Tc)2.1W(Ta),36W(Tc)2.1W(Ta),46W(Tc)2.1W(Ta),63W(Tc)2.1W(Ta),69W(Tc)
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)-65°C ~ 175°C(TJ)-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TA)-55°C ~ 175°C(TJ)-55°C ~ 200°C(TJ)-50°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)175°C175°C(TJ)
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
底座安装表面贴装型表面贴装,可润湿侧翼通孔
供应商器件封装
4-TDFN(8x8)8-DFN3333(3.3x3.3)8-DFN(3.15x3.05)8-DFN(4.9x5.75)8-DFN(5x6)8-HPSOF8-HSMT(3.2x3)8-HSON8-MLP(3.3x3.3)8-PPAK(5.1x5.71)8-PQFN(3x3)8-QFN(3x3)
封装/外壳
3-SIP4-PowerTSFN8-PowerBSFN8-PowerLDFN8-PowerSFN8-PowerSMD,扁平引线8-PowerTDFN8-PowerVDFN8-PowerWDFN8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-VDFN 裸露焊盘10-PowerSOP 模块
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
321结果
应用的筛选条件 删除全部

显示
/ 321
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
57,034
现货
1 : ¥4.84000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.63882
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
40A(Tc)
4.5V,10V
22 毫欧 @ 12A,10V
3V @ 250µA
41 nC @ 10 V
±20V
1870 pF @ 20 V
-
2.5W(Ta),62.5W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252(DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
104,856
现货
1 : ¥6.57000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.50484
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
40A(Tc)
4.5V,10V
15 毫欧 @ 20A,10V
3V @ 250µA
55 nC @ 10 V
±20V
2550 pF @ 20 V
-
2.5W(Ta),62.5W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252(DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TSDSON-8
BSZ100N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Infineon Technologies
27,654
现货
1 : ¥6.90000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.72490
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
40A(Tc)
6V,10V
10 毫欧 @ 20A,10V
3.3V @ 14µA
15 nC @ 10 V
±20V
1075 pF @ 30 V
-
2.1W(Ta),36W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TSDSON-8-FL
8-PowerTDFN
PowerPAK 1212-8S
SI7655ADN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 40A PPAK1212-8S
Vishay Siliconix
25,862
现货
1 : ¥7.31000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.01053
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
40A(Tc)
2.5V,10V
3.6 毫欧 @ 20A,10V
1.1V @ 250µA
225 nC @ 10 V
±12V
6600 pF @ 10 V
-
4.8W(Ta),57W(Tc)
-50°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8S
PowerPAK® 1212-8S
8-Power TDFN
IPZ40N04S5L7R4ATMA1
MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Infineon Technologies
11,050
现货
1 : ¥7.39000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.64614
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
40A(Tc)
4.5V,10V
7.4 毫欧 @ 20A,10V
2V @ 10µA
17 nC @ 10 V
±16V
920 pF @ 25 V
-
34W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TSDSON-8
8-PowerVDFN
8-Power TDFN
IPZ40N04S58R4ATMA1
MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON-32
Infineon Technologies
9,638
现货
1 : ¥7.39000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.66516
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
40A(Tc)
7V,10V
8.4 毫欧 @ 20A,10V
3.4V @ 10µA
13.7 nC @ 10 V
±20V
771 pF @ 25 V
-
34W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TSDSON-8-32
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
IPZ40N04S5L4R8ATMA1
MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Infineon Technologies
15,612
现货
1 : ¥7.72000
剪切带(CT)
5,000 : ¥3.03426
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
40A(Tc)
4.5V,10V
4.8 毫欧 @ 20A,10V
2V @ 17µA
29 nC @ 10 V
±16V
1560 pF @ 25 V
-
48W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TSDSON-8
8-PowerVDFN
8-Power TDFN
IPZ40N04S55R4ATMA1
MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Infineon Technologies
6,167
现货
1 : ¥7.72000
剪切带(CT)
5,000 : ¥3.03426
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
40A(Tc)
7V,10V
5.4 毫欧 @ 20A,10V
3.4V @ 17µA
23 nC @ 10 V
±20V
1300 pF @ 25 V
-
48W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TSDSON-8
8-PowerVDFN
14,732
现货
1 : ¥8.87000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.67828
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
40A(Tc)
4.5V,10V
6.2 毫欧 @ 20A,10V
2.2V @ 250µA
45 nC @ 10 V
±20V
1650 pF @ 30 V
-
48W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-DFN(5x6)
8-PowerSMD,扁平引线
TSDSON-8
BSZ110N08NS5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON
Infineon Technologies
46,481
现货
1 : ¥9.11000
剪切带(CT)
5,000 : ¥3.60014
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
40A(Tc)
6V,10V
11 毫欧 @ 20A,10V
3.8V @ 22µA
18.5 nC @ 10 V
±20V
1300 pF @ 40 V
-
50W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TSDSON-8-FL
8-PowerTDFN
PowerPAK SO-8
SIR422DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
51,510
现货
1 : ¥9.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.84805
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
40A(Tc)
4.5V,10V
6.6 毫欧 @ 20A,10V
2.5V @ 250µA
48 nC @ 10 V
±20V
1785 pF @ 20 V
-
5W(Ta),34.7W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK 1212-8
SIS476DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
16,397
现货
1 : ¥9.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.84805
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
40A(Tc)
4.5V,10V
2.5 毫欧 @ 15A,10V
2.3V @ 250µA
77 nC @ 10 V
+20V,-16V
3595 pF @ 15 V
-
3.7W(Ta),52W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
8-Power TDFN
IPZ40N04S5L2R8ATMA1
MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Infineon Technologies
32,996
现货
1 : ¥9.69000
剪切带(CT)
5,000 : ¥3.82758
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
40A(Tc)
4.5V,10V
2.8 毫欧 @ 20A,10V
2V @ 30µA
52 nC @ 10 V
±16V
2800 pF @ 25 V
-
71W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TSDSON-8
8-PowerVDFN
8-Power TDFN
IPZ40N04S53R1ATMA1
MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Infineon Technologies
6,785
现货
1 : ¥9.69000
剪切带(CT)
5,000 : ¥3.82758
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
40A(Tc)
7V,10V
3.1 毫欧 @ 20A,10V
3.4V @ 30µA
41 nC @ 10 V
±20V
2310 pF @ 25 V
-
71W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TSDSON-8
8-PowerVDFN
TDSON833
IAUZ40N10S5N130ATMA1
MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON-33
Infineon Technologies
20,182
现货
1 : ¥11.41000
剪切带(CT)
5,000 : ¥4.50125
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
40A(Tc)
6V,10V
13 毫欧 @ 20A,10V
3.8V @ 27µA
24 nC @ 10 V
±20V
1525 pF @ 50 V
-
68W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TSDSON-8-33
8-PowerTDFN
TSDSON-8
BSZ075N08NS5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON
Infineon Technologies
60,786
现货
1 : ¥12.56000
剪切带(CT)
5,000 : ¥5.44874
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
40A(Tc)
6V,10V
7.5 毫欧 @ 20A,10V
3.8V @ 36µA
29.5 nC @ 10 V
±20V
2080 pF @ 40 V
-
69W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TSDSON-8-26
8-PowerTDFN
PowerPAK 1212-8S
SI7655DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 40A PPAK1212-8S
Vishay Siliconix
22,636
现货
1 : ¥12.97000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.84464
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
40A(Tc)
2.5V,10V
3.6 毫欧 @ 20A,10V
1.1V @ 250µA
225 nC @ 10 V
±12V
6600 pF @ 10 V
-
4.8W(Ta),57W(Tc)
-50°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8S
PowerPAK® 1212-8S
TSDSON-8
BSZ070N08LS5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON
Infineon Technologies
4,833
现货
1 : ¥12.97000
剪切带(CT)
5,000 : ¥5.62385
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
40A(Tc)
4.5V,10V
7 毫欧 @ 20A,10V
2.3V @ 36µA
5 nC @ 4.5 V
±20V
2340 pF @ 40 V
-
69W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TSDSON-8-FL
8-PowerTDFN
TSDSON-8
BSZ146N10LS5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON
Infineon Technologies
8,765
现货
1 : ¥13.13000
剪切带(CT)
5,000 : ¥5.17171
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
40A(Tc)
4.5V,10V
14.6 毫欧 @ 20A,10V
2.3V @ 23µA
3.2 nC @ 4.5 V
±20V
1300 pF @ 50 V
-
52W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TSDSON-8-FL
8-PowerTDFN
TSDSON-8
BSZ040N06LS5ATMA1
MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Infineon Technologies
32,826
现货
1 : ¥13.22000
剪切带(CT)
5,000 : ¥5.73104
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
40A(Tc)
4.5V,10V
4 毫欧 @ 20A,10V
2.3V @ 36µA
6.6 nC @ 4.5 V
±20V
3100 pF @ 30 V
-
69W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TSDSON-8-FL
8-PowerTDFN
TO-252
SQD40N06-14L_GE3
MOSFET N-CH 60V 40A TO252AA
Vishay Siliconix
6,092
现货
1 : ¥13.46000
剪切带(CT)
2,000 : ¥6.05969
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
40A(Tc)
4.5V,10V
14 毫欧 @ 20A,10V
2.5V @ 250µA
51 nC @ 10 V
±20V
2105 pF @ 25 V
-
75W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-220AB PKG
IRF5210PBF
MOSFET P-CH 100V 40A TO220AB
Infineon Technologies
6,317
现货
1 : ¥19.78000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
40A(Tc)
10V
60 毫欧 @ 24A,10V
4V @ 250µA
180 nC @ 10 V
±20V
2700 pF @ 25 V
-
200W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-252
SUD40N08-16-E3
MOSFET N-CH 80V 40A TO252
Vishay Siliconix
7,374
现货
1 : ¥24.05000
剪切带(CT)
2,000 : ¥11.71848
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
40A(Tc)
10V
16 毫欧 @ 40A,10V
4V @ 250µA
60 nC @ 10 V
±20V
1960 pF @ 25 V
-
3W(Ta),136W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-263
NVB082N65S3F
MOSFET N-CH 650V 40A D2PAK-3
onsemi
800
现货
1 : ¥70.19000
剪切带(CT)
800 : ¥44.22653
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
40A(Tc)
10V
82 毫欧 @ 20A,10V
5V @ 4mA
81 nC @ 10 V
±30V
3410 pF @ 400 V
-
313W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-264
IXTK40P50P
MOSFET P-CH 500V 40A TO264
IXYS
993
现货
1 : ¥169.19000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
40A(Tc)
10V
230 毫欧 @ 20A,10V
4V @ 1mA
205 nC @ 10 V
±20V
11500 pF @ 25 V
-
890W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-264(IXTK)
TO-264-3,TO-264AA
显示
/ 321

40A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。