4.6A(Ta) 单 FET,MOSFET

结果 : 35
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.onsemiPanjit International Inc.Toshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-HEXFET®PowerTrench®TrenchFET®U-MOSV
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
产品状态
Digi-Key 停止提供停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
8 V20 V30 V40 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.2V,4.5V1.5V,4.5V1.8V,10V1.8V,8V2.5V,10V2.5V,4.5V4.5V4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
31 毫欧 @ 4.6A,10V31 毫欧 @ 4.6A,4.5V34 毫欧 @ 6.1A,4.5V35 毫欧 @ 6A,10V40 毫欧 @ 4.6A,4.5V42 毫欧 @ 4.3A,10V45 毫欧 @ 1A,4.5V45 毫欧 @ 4.6A,10V46 毫欧 @ 1A,4.5V46 毫欧 @ 3A,4.5V46 毫欧 @ 4.6A,10V46 毫欧 @ 4.6A,4.5V50 毫欧 @ 3A,10V55 毫欧 @ 4.6A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
600mV @ 1mA(最小)800mV @ 250µA850mV @ 250µA1V @ 1mA1V @ 250µA1.1V @ 250µA1.2V @ 250µA1.3V @ 250µA1.4V @ 250µA1.5V @ 250µA2.1V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
1.4 nC @ 4.5 V2.5 nC @ 4.5 V4.8 nC @ 4.5 V5.2 nC @ 10 V7.7 nC @ 10 V7.9 nC @ 10 V8.1 nC @ 4.5 V9 nC @ 4.5 V10.1 nC @ 4.5 V11 nC @ 4.5 V12 nC @ 4.5 V12.5 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
-6V±5V±6V±8V±12V12V±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
126 pF @ 15 V218 pF @ 10 V281 pF @ 10 V417 pF @ 15 V516 pF @ 15 V535 pF @ 15 V574 pF @ 20 V637 pF @ 15 V640 pF @ 10 V742 pF @ 10 V754 pF @ 10 V793 pF @ 15 V820 pF @ 15 V840 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
500mW(Ta)560mW(Ta),6.25mW(Tc)720mW780mW(Ta),1.8W(Tc)960mW(Ta)970mW(Ta)1W(Ta)1.12W1.13W1.14W(Ta)1.25W(Ta)1.4W1.47W(Ta)1.5W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
供应商器件封装
4-Microfoot6-TSOP8-SO8-TSSOP9-BGA(1.55x1.55)9-BGA(1.5x1.6)9-BGA(2x2.1)SC-59-3SOT-223SOT-223-3SOT-23-3SOT-23-6SOT-26SuperSOT™-6
封装/外壳
3-SMD,扁平引线3-XFDFN4-UFBGA4-UFBGA,WLBGA4-XFBGA,CSPBGA8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)9-VFBGA9-WFBGASC-74,SOT-457SOT-23-6SOT-23-6 细型,TSOT-23-6TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-261-4,TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
35结果
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/ 35
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
IRF7205TRPBF
MOSFET P-CH 30V 4.6A 8SO
Infineon Technologies
23,931
现货
1 : ¥6.40000
剪切带(CT)
4,000 : ¥2.42347
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
4.6A(Ta)
4.5V,10V
70 毫欧 @ 4.6A,10V
3V @ 250µA
40 nC @ 10 V
±20V
870 pF @ 10 V
-
2.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
SC-59-3
DMP2066LSN-7
MOSFET P-CH 20V 4.6A SC59-3
Diodes Incorporated
131,581
现货
84,000
工厂
1 : ¥2.71000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.07755
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4.6A(Ta)
2.5V,4.5V
40 毫欧 @ 4.6A,4.5V
1.2V @ 250µA
10.1 nC @ 4.5 V
±12V
820 pF @ 15 V
-
1.25W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SC-59-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
DMN4035L-7
MOSFET N-CH 40V 4.6A SOT23
Diodes Incorporated
8,791
现货
1 : ¥2.87000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.78122
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
4.6A(Ta)
4.5V,10V
42 毫欧 @ 4.3A,10V
3V @ 250µA
12.5 nC @ 10 V
±20V
574 pF @ 20 V
-
720mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
DMN2058U-13
MOSFET N-CH 20V 4.6A SOT23-3
Diodes Incorporated
8,419
现货
230,000
工厂
1 : ¥3.20000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.60793
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4.6A(Ta)
1.8V,10V
35 毫欧 @ 6A,10V
1.2V @ 250µA
7.7 nC @ 10 V
±12V
281 pF @ 10 V
-
1.13W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
DMN2058U-7
MOSFET N-CH 20V 4.6A SOT23-3
Diodes Incorporated
2,649
现货
2,253,000
工厂
1 : ¥3.20000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.70205
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4.6A(Ta)
1.8V,10V
35 毫欧 @ 6A,10V
1.2V @ 250µA
7.7 nC @ 10 V
±12V
281 pF @ 10 V
-
1.13W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
DMN4035LQ-13
MOSFET N-CH 40V 4.6A SOT23
Diodes Incorporated
5,806
现货
210,000
工厂
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.97340
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
4.6A(Ta)
4.5V,10V
42 毫欧 @ 4.3A,10V
3V @ 250µA
12.5 nC @ 10 V
±20V
574 pF @ 20 V
-
720mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
DMN4035LQ-7
MOSFET N-CH 40V 4.6A SOT23
Diodes Incorporated
5,356
现货
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.10442
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
4.6A(Ta)
4.5V,10V
42 毫欧 @ 4.3A,10V
3V @ 250µA
12.5 nC @ 10 V
±20V
574 pF @ 20 V
-
720mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT 26
DMP2066LDM-7
MOSFET P-CH 20V 4.6A SOT-26
Diodes Incorporated
5,260
现货
57,000
工厂
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.15579
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4.6A(Ta)
2.5V,4.5V
40 毫欧 @ 4.6A,4.5V
1.2V @ 250µA
10.1 nC @ 4.5 V
±12V
820 pF @ 15 V
-
1.25W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-26
SOT-23-6
4-Micro Foot
SI8409DB-T1-E1
MOSFET P-CH 30V 4.6A 4MICROFOOT
Vishay Siliconix
7,488
现货
1 : ¥8.78000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.62192
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
4.6A(Ta)
2.5V,4.5V
46 毫欧 @ 1A,4.5V
1.4V @ 250µA
26 nC @ 4.5 V
±12V
-
-
1.47W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
4-Microfoot
4-XFBGA,CSPBGA
Automotive, AEC-Q101 Series
PMN50EPEX
MOSFET P-CH 30V 4.6A 6TSOP
Nexperia USA Inc.
2,980
现货
1 : ¥4.35000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.46768
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
4.6A(Ta)
4.5V,10V
45 毫欧 @ 4.6A,10V
3V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
793 pF @ 15 V
-
560mW(Ta),6.25mW(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSOP
SC-74,SOT-457
SG6858TZ
FDC30N20DZ
MOSFET N-CH 30V 4.6A SUPERSOT6
onsemi
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
4.6A(Ta)
4.5V,10V
31 毫欧 @ 4.6A,10V
3V @ 250µA
7.9 nC @ 10 V
±20V
535 pF @ 15 V
-
960mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SuperSOT™-6
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
6-TSOP
NTGS1135PT1G
MOSFET P-CH 8V 4.6A 6TSOP
onsemi
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
8 V
4.6A(Ta)
1.2V,4.5V
31 毫欧 @ 4.6A,4.5V
850mV @ 250µA
21 nC @ 4.5 V
±6V
2200 pF @ 6 V
-
970mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSOP
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
SOT-23-6
PJS6405_S1_00001
30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Panjit International Inc.
1,392
现货
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.88762
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
4.6A(Ta)
4.5V,10V
72 毫欧 @ 4.6A,10V
2.1V @ 250µA
5.2 nC @ 10 V
±20V
417 pF @ 15 V
-
2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-6
SOT-23-6
SOT-223-3
ZXMP4A16GQTA
MOSFET P-CH 40V SOT223
Diodes Incorporated
1,679
现货
60,000
工厂
1 : ¥7.14000
剪切带(CT)
1,000 : ¥3.15612
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
4.6A(Ta)
4.5V,10V
60 毫欧 @ 3.8A,10V
1V @ 250µA
26.1 nC @ 10 V
±20V
1007 pF @ 20 V
-
2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-4,TO-261AA
SOT-23-3
DMN4035L-13
MOSFET N-CH 40V 4.6A SOT23
Diodes Incorporated
0
现货
10,000
工厂
查看交期
10,000 : ¥0.67389
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
4.6A(Ta)
4.5V,10V
42 毫欧 @ 4.3A,10V
3V @ 250µA
12.5 nC @ 10 V
±20V
574 pF @ 20 V
-
720mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
MOSFET BVDSS: 25V~30V X4-DSN1006
DMN3061LCA3-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V X4-DSN1006
Diodes Incorporated
0
现货
查看交期
10,000 : ¥0.98849
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
4.6A(Ta)
1.8V,8V
58 毫欧 @ 500mA,8V
1.1V @ 250µA
1.4 nC @ 4.5 V
12V
126 pF @ 15 V
-
1.12W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
X4-DSN1006-3(C 类)
3-XFDFN
SOT 26
DMP2066LDMQ-7
MOSFET P-CH 20V 4.6A SOT-26
Diodes Incorporated
0
现货
6,381,000
工厂
查看交期
3,000 : ¥1.15579
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4.6A(Ta)
2.5V,4.5V
40 毫欧 @ 4.6A,4.5V
1.2V @ 250µA
10.1 nC @ 4.5 V
±12V
820 pF @ 15 V
-
1.25W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-26
SOT-23-6
FDZ493P
FDZ493P
MOSFET P-CH 20V 4.6A 9BGA
onsemi
0
现货
3,000 : ¥2.35139
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4.6A(Ta)
2.5V,4.5V
46 毫欧 @ 4.6A,4.5V
1.5V @ 250µA
11 nC @ 4.5 V
±12V
754 pF @ 10 V
-
1.7W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
9-BGA(1.55x1.55)
9-WFBGA
MOSFET P-CH 20V 4.6A 9BGA
FDZ299P
MOSFET P-CH 20V 4.6A 9BGA
onsemi
0
现货
3,000 : ¥2.59952
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4.6A(Ta)
2.5V,4.5V
55 毫欧 @ 4.6A,4.5V
1.5V @ 250µA
9 nC @ 4.5 V
±12V
742 pF @ 10 V
-
1.7W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
9-BGA(2x2.1)
9-WFBGA
SOT-23-6
PJS6401_S1_00001
30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Panjit International Inc.
0
现货
查看交期
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.88762
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
4.6A(Ta)
2.5V,10V
71 毫欧 @ 4.6A,10V
1.3V @ 250µA
15.5 nC @ 10 V
±12V
637 pF @ 15 V
-
2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-6
SOT-23-6
TO-261-4, TO-261AA
PJW5P03_R2_00001
30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Panjit International Inc.
0
现货
查看交期
1 : ¥3.37000
剪切带(CT)
2,500 : ¥0.74020
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
4.6A(Ta)
4.5V,10V
50 毫欧 @ 3A,10V
2.5V @ 250µA
4.8 nC @ 4.5 V
±20V
516 pF @ 15 V
-
1.6W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4.6A(Ta)
1.5V,4.5V
46 毫欧 @ 3A,4.5V
1V @ 1mA
8.1 nC @ 4.5 V
±8V
640 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
UFM
3-SMD,扁平引线
Pkg 5540
SI3434DV-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 4.6A 6TSOP
Vishay Siliconix
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
4.6A(Ta)
2.5V,4.5V
34 毫欧 @ 6.1A,4.5V
600mV @ 1mA(最小)
12 nC @ 4.5 V
±12V
-
-
1.14W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSOP
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
SOT223-3L
IRLL3303TRPBF
MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
4.6A(Ta)
4.5V,10V
31 毫欧 @ 4.6A,10V
1V @ 250µA
50 nC @ 10 V
±16V
840 pF @ 25 V
-
1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
8-TSSOP
IRF7704
MOSFET P-CH 40V 4.6A 8TSSOP
Infineon Technologies
0
现货
100 : ¥7.13930
管件
管件
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
4.6A(Ta)
4.5V,10V
46 毫欧 @ 4.6A,10V
3V @ 250µA
38 nC @ 4.5 V
±20V
3150 pF @ 25 V
-
1.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-TSSOP
8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
显示
/ 35

4.6A(Ta) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。