4.5A(Tj) 单 FET,MOSFET

结果 : 4
制造商
Micro Commercial CoRenesas Electronics CorporationRohm Semiconductor
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
停产在售
漏源电压(Vdss)
20 V30 V600 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,4.5V4.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
25 毫欧 @ 4.5A,4.5V30 毫欧 @ 4.5A,10V2.5 欧姆 @ 2.25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
900mV @ 250µA2.5V @ 1mA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
4.2 nC @ 4.5 V8.4 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±10V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
330 pF @ 15 V482 pF @ 10 V670 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
1W1.25W(Ta)1.25W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)
供应商器件封装
DPAKSOT-23TSMT6(SC-95)
封装/外壳
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 23
SI2300-TP
MOSFET N-CH 20V 4.5A SOT23
Micro Commercial Co
11,212
现货
1 : ¥3.86000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.86080
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4.5A(Tj)
2.5V,4.5V
25 毫欧 @ 4.5A,4.5V
900mV @ 250µA
4.2 nC @ 4.5 V
±10V
482 pF @ 10 V
-
1W
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
MBRD6100CT-TP
MCU05N60A-TP
MOSFET N-CH 600V 4.5A DPAK
Micro Commercial Co
14,542
现货
1 : ¥9.03000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.73489
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
4.5A(Tj)
10V
2.5 欧姆 @ 2.25A,10V
4V @ 250µA
-
±30V
670 pF @ 25 V
-
1.25W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TSMT6_TSMT6 Pkg
RQ6E045BNTCR
MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT
Rohm Semiconductor
2,760
现货
1 : ¥4.02000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.07701
卷带(TR)
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
4.5A(Tj)
4.5V,10V
30 毫欧 @ 4.5A,10V
2.5V @ 1mA
8.4 nC @ 10 V
±20V
330 pF @ 15 V
-
1.25W(Ta)
150°C(TJ)
表面贴装型
TSMT6(SC-95)
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产
-
-
-
4.5A(Tj)
-
-
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4.5A(Tj) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。