4.4A(Ta) 单 FET,MOSFET

结果 : 37
制造商
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDDiodes IncorporatedGood-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.onsemiPanasonic Electronic ComponentsPanjit International Inc.Toshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-HEXFET®PowerTrench®TrenchFET®TrenchMOS™U-MOSVI
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装
产品状态
停产最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
8 V12 V20 V30 V40 V60 V100 V115 V150 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.5V,4.5V1.8V,10V1.8V,4.5V2V,4.5V2.5V,10V2.5V,4.5V2.5V,8V4.5V,10V6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
12.5 毫欧 @ 3.7A,4.5V24 毫欧 @ 7A,4.5V25 毫欧 @ 2A,10V25.8 毫欧 @ 4A,4.5V30 毫欧 @ 3A,4.5V36 毫欧 @ 3A,4.5V36 毫欧 @ 4.4A,10V37 毫欧 @ 4.4A,10V40 毫欧 @ 4.4A,4.5V42 毫欧 @ 5.8A,4.5V45 毫欧 @ 4.4A,4.5V48 毫欧 @ 4.4A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
950mV @ 250µA1V @ 1mA1V @ 250µA1.05V @ 1mA1.2V @ 250µA1.25V @ 250µA1.3V @ 250µA1.4V @ 250µA1.5V @ 250µA2V @ 250µA2.1V @ 250µA2.5V @ 1mA2.5V @ 250µA2.7V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
5.8 nC @ 10 V7 nC @ 10 V7.2 nC @ 10 V7.5 nC @ 4.5 V7.8 nC @ 4.5 V8 nC @ 10 V9 nC @ 10 V9.2 nC @ 10 V10 nC @ 4.5 V11.3 nC @ 10 V11.5 nC @ 10 V12.4 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
+6V,-8V±8V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
235 pF @ 15 V266 pF @ 15 V281 pF @ 15 V305 pF @ 30 V370 pF @ 15 V447 pF @ 15 V475 pF @ 50 V490 pF @ 15 V522 pF @ 10 V637 pF @ 30 V670 pF @ 15 V674 pF @ 20 V
FET 功能
-肖特基二极管(隔离式)
功率耗散(最大值)
490mW(Ta)500mW(Ta)500mW(Ta),5W(Tc)530mW(Ta),8.33W(Tc)570mW(Ta),6.25W(Tc)660mW(Ta)660mW(Ta),7,5W(Tc)660mW(Ta),8.3W(Tc)1.1W(Ta)1.2W(Ta)1.25W(Ta)1.3W(Ta)1.56W(Ta)1.6W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)150°C150°C(TJ)
供应商器件封装
3-PMCP6-TSOP6-UDFN(1.6x1.6)8-MLP(3.3x3.3)8-PQFN(5x6)8-SO1206-8 ChipFET™DFN2020MD-6Micro6™(TSOP-6)SOT-23SOT-23-6SuperSOT™-8TO-236ABTO-252-3
封装/外壳
3-SMD,扁平引线3-SMD,非标准型6-PowerUFDFN6-SMD,扁平引线6-UDFN 裸露焊盘8-LSOP(0.130",3.30mm 宽)8-PowerTDFN8-PowerWDFN8-SMD,扁平引线8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)SC-74,SOT-457SOT-23-6 细型,TSOT-23-6SOT-23-6TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
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/ 37
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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
123,717
现货
1 : ¥3.53000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.18666
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4.4A(Ta)
1.5V,4.5V
25.8 毫欧 @ 4A,4.5V
1V @ 1mA
24.8 nC @ 4.5 V
±8V
1800 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
UFM
3-SMD,扁平引线
TO-236AB
PMV28ENEAR
MOSFET N-CH 30V 4.4A TO236AB
Nexperia USA Inc.
6,643
现货
1 : ¥3.04000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.82269
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
4.4A(Ta)
4.5V,10V
37 毫欧 @ 4.4A,10V
2.5V @ 250µA
8 nC @ 10 V
±20V
266 pF @ 15 V
-
660mW(Ta),8.3W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-236AB
PMV28ENER
PMV28ENE/SOT23/TO-236AB
Nexperia USA Inc.
5,016
现货
1 : ¥3.12000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.83697
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
4.4A(Ta)
4.5V,10V
37 毫欧 @ 4.4A,10V
2.5V @ 250µA
8 nC @ 10 V
±20V
266 pF @ 15 V
-
660mW(Ta),8.3W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
6,226
现货
1 : ¥3.53000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.94375
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
4.4A(Ta)
1.8V,10V
48 毫欧 @ 4.4A,10V
1.2V @ 250µA
11.3 nC @ 10 V
±12V
447 pF @ 15 V
-
1.2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-236AB
PMV33UPE,215
MOSFET P-CH 20V 4.4A TO236AB
Nexperia USA Inc.
53,330
现货
1 : ¥4.52000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.52874
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4.4A(Ta)
1.8V,4.5V
36 毫欧 @ 3A,4.5V
950mV @ 250µA
22.1 nC @ 4.5 V
±8V
1820 pF @ 10 V
-
490mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
U-DFN2020-6 Type F
DMT12H060LFDF-7
MOSFET BVDSS: 101V~250V U-DFN202
Diodes Incorporated
4,887
现货
3,564,000
工厂
1 : ¥4.93000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.86092
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
115 V
4.4A(Ta)
1.5V,4.5V
65 毫欧 @ 3A,4.5V
1.4V @ 250µA
7.8 nC @ 4.5 V
±8V
475 pF @ 50 V
-
1.1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
U-DFN2020-6(F 类)
6-UDFN 裸露焊盘
8 SO
DMP4050SSS-13
MOSFET P-CH 40V 4.4A 8SO
Diodes Incorporated
53,045
现货
1 : ¥5.91000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.23311
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
4.4A(Ta)
4.5V,10V
50 毫欧 @ 6A,10V
3V @ 250µA
13.9 nC @ 10 V
±20V
674 pF @ 20 V
-
1.56W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-MLP, Power33
FDM3622
MOSFET N-CH 100V 4.4A 8MLP
onsemi
3,056
现货
1 : ¥13.13000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.44047
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
4.4A(Ta)
6V,10V
60 毫欧 @ 4.4A,10V
4V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±20V
1090 pF @ 25 V
-
2.1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-MLP(3.3x3.3)
8-PowerWDFN
TO-236AB
PMV42ENER
MOSFET N-CH 30V 4.4A TO236AB
Nexperia USA Inc.
12,229
现货
1 : ¥3.20000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.86940
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
4.4A(Ta)
4.5V,10V
36 毫欧 @ 4.4A,10V
2V @ 250µA
9 nC @ 10 V
±20V
281 pF @ 15 V
-
500mW(Ta),5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-6
PJS6413_S1_00001
20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Panjit International Inc.
7,565
现货
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.88757
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4.4A(Ta)
1.8V,4.5V
82 毫欧 @ 4.4A,4.5V
1.2V @ 250µA
7 nC @ 10 V
±12V
522 pF @ 10 V
-
2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-6
SOT-23-6
6-TSOP
PMN48XPA2X
MOSFET P-CH 20V 4.4A 6TSOP
Nexperia USA Inc.
5,964
现货
1 : ¥3.61000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.22297
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4.4A(Ta)
2.5V,8V
49毫欧 @ 4,4A,8V
1.3V @ 250µA
10 nC @ 4.5 V
±12V
679 pF @ 10 V
-
660mW(Ta),7,5W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
6-TSOP
SC-74,SOT-457
1,686
现货
1 : ¥3.61000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.22226
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4.4A(Ta)
1.5V,4.5V
25.8 毫欧 @ 4A,4.5V
1V @ 1mA
24.8 nC @ 4.5 V
+6V,-8V
1800 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
150°C
-
-
表面贴装型
UFM
3-SMD,扁平引线
39,798
现货
1 : ¥3.86000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.69309
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
4.4A(Ta)
4.5V,10V
48 毫欧 @ 4.4A,10V
2.1V @ 250µA
5.8 nC @ 10 V
±20V
235 pF @ 15 V
-
1.25W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-252-2
ZXMP6A17KTC
MOSFET P-CH 60V 4.4A TO252-3
Diodes Incorporated
2,741
现货
22,500
工厂
1 : ¥7.14000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.72934
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
4.4A(Ta)
4.5V,10V
125 毫欧 @ 2.3A,10V
1V @ 250µA
17.7 nC @ 10 V
±20V
637 pF @ 30 V
-
2.11W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
8-PQFN
FDMS86252L
MOSFET N-CH 150V 4.4A 8PQFN
onsemi
7,870
现货
1 : ¥16.66000
剪切带(CT)
3,000 : ¥7.51533
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
4.4A(Ta)
4.5V,10V
56 毫欧 @ 4.4A,10V
3V @ 250µA
21 nC @ 10 V
±20V
1335 pF @ 75 V
-
2.5W(Ta),50W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-PQFN(5x6)
8-PowerTDFN
5,865
现货
1 : ¥3.94000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.32907
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
4.4A(Ta)
4.5V,10V
25 毫欧 @ 2A,10V
2.5V @ 1mA
12.4 nC @ 10 V
±20V
490 pF @ 15 V
-
500mW(Ta)
150°C
-
-
表面贴装型
UF6
6-SMD,扁平引线
Automotive, AEC-Q101 Series
PMN70EPEX
MOSFET P-CH 30V 4.4A 6TSOP
Nexperia USA Inc.
2,865
现货
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.93428
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
4.4A(Ta)
4.5V,10V
80 毫欧 @ 3.3A,10V
3V @ 250µA
11.5 nC @ 10 V
±20V
370 pF @ 15 V
-
570mW(Ta),6.25W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSOP
SC-74,SOT-457
6-DFN2020MD_View 2
PMPB85ENEA/FX
MOSFET N-CH 60V 4.4A 6DFN
Nexperia USA Inc.
0
现货
查看交期
3,000 : ¥1.15878
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
4.4A(Ta)
4.5V,10V
95 毫欧 @ 3A,10V
2.7V @ 250µA
9.2 nC @ 10 V
±20V
305 pF @ 30 V
-
1.6W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DFN2020MD-6
6-UDFN 裸露焊盘
AS3401
AS3401
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
50,623
现货
1 : ¥2.30000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.38297
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
4.4A(Ta)
2.5V,10V
55 毫欧 @ 4.4A,10V
1.4V @ 250µA
7.2 nC @ 10 V
±12V
680 pF @ 15 V
-
1.2W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
BSS123
GSFC3401
MOSFET, P-CH, SINGLE, -4.40A, -3
Good-Ark Semiconductor
5,725
现货
1 : ¥2.71000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.47674
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
4.4A(Ta)
2.5V,10V
55 毫欧 @ 4.4A,10V
1.4V @ 250µA
16 nC @ 10 V
±12V
800 pF @ 15 V
-
1.2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
6-UDFN_517AU
NTLUS3C18PZTBG
MOSFET P-CH 12V 4.4A 6UDFN
onsemi
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
4.4A(Ta)
1.8V,4.5V
24 毫欧 @ 7A,4.5V
1V @ 250µA
15.8 nC @ 4.5 V
±8V
1570 pF @ 6 V
-
660mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-UDFN(1.6x1.6)
6-PowerUFDFN
900
现货
1 : ¥3.86000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.69309
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
4.4A(Ta)
1.8V,10V
48 毫欧 @ 4.4A,10V
1.2V @ 250µA
11.3 nC @ 10 V
±12V
447 pF @ 15 V
-
1.25W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
123
现货
1 : ¥4.27000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.42399
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4.4A(Ta)
1.5V,4.5V
25.8 毫欧 @ 4A,4.5V
1V @ 1mA
24.8 nC @ 4.5 V
+6V,-8V
1800 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
150°C
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
UFM
3-SMD,扁平引线
U-DFN2020-6 Type F
DMT12H060LFDF-13
MOSFET BVDSS: 101V~250V U-DFN202
Diodes Incorporated
0
现货
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10,000 : ¥1.63238
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
115 V
4.4A(Ta)
1.5V,4.5V
65 毫欧 @ 3A,4.5V
1.4V @ 250µA
7.8 nC @ 4.5 V
±8V
475 pF @ 50 V
-
1.1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
U-DFN2020-6(F 类)
6-UDFN 裸露焊盘
Automotive, AEC-Q101 Series
PMN27XPE,115
MOSFET P-CH 20V 4.4A 6TSOP
Nexperia USA Inc.
0
现货
停产
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4.4A(Ta)
2.5V,4.5V
30 毫欧 @ 3A,4.5V
1.25V @ 250µA
22.5 nC @ 4.5 V
±12V
1770 pF @ 10 V
-
530mW(Ta),8.33W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSOP
SC-74,SOT-457
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/ 37

4.4A(Ta) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。