4.3A(Ta) 单 FET,MOSFET

结果 : 57
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.onsemiPanjit International Inc.Texas InstrumentsVishay SiliconixYAGEO XSEMI
系列
-FemtoFET™FETKY™HEXFET®PowerTrench®TrenchFET®XP3N045
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
不适用于新设计停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
12 V20 V30 V35 V40 V45 V60 V115 V800 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,10V1.8V,4.5V2.5V,4.5V2.7V,4.5V3V,10V4.5V,10V6V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
19 毫欧 @ 900mA,4.5V38 毫欧 @ 3.5A,10V40 毫欧 @ 4.3A,4.5V42 毫欧 @ 4.3A,10V42 毫欧 @ 5.6A,4.5V45 毫欧 @ 4.3A,10V45 毫欧 @ 4A,10V45 毫欧 @ 4A,4.5V45 毫欧 @ 5A,10V46 毫欧 @ 4.3A,10V47 毫欧 @ 4.3A,10V47 毫欧 @ 4.3A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
700mV @ 250µA(最小)850mV @ 250µA950mV @ 250µA1V @ 250µA1V @ 800µA1.1V @ 10µA1.2V @ 250µA1.4V @ 250µA2.1V @ 250µA2.2V @ 250µA2.4V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
4.8 nC @ 4.5 V5 nC @ 4.5 V5.5 nC @ 10 V6.8 nC @ 4.5 V6.9 nC @ 4.5 V7.6 nC @ 4.5 V9.1 nC @ 4.5 V11.5 nC @ 4.5 V11.8 nC @ 10 V14.5 nC @ 4.5 V15 nC @ 5 V15 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±8V8V±10V±12V±20V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
216 pF @ 15 V252 pF @ 50 V325 pF @ 10 V410 pF @ 20 V505 pF @ 15 V520 pF @ 15 V570 pF @ 16 V610 pF @ 15 V634 pF @ 10 V642 pF @ 25 V650 pF @ 25 V674 pF @ 6 V
FET 功能
-肖特基二极管(隔离式)
功率耗散(最大值)
500mW(Ta)800mW(Ta)1W(Ta)1.1W(Ta)1.2W(Ta)1.25W(Ta)1.3W(Ta)1.38W1.38W(Ta)1.4W(Ta)1.5W(Ta),8.3W(Tc)1.56W(Ta)1.6W(Ta)2W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-
安装类型
-表面贴装型通孔
供应商器件封装
3-PICOSTAR6-TSOP8-SO8-SOIC1206-8 ChipFET™-DFN2020MD-6Micro3™/SOT-23Micro8™PG-SOT23-3-901PowerPAK® 1212-8SOT-23SOT-23-3SOT-23-6
封装/外壳
3-SMD,SOT-23-3 变式3-SMD,无引线6-UDFN 裸露焊盘8-SMD,扁平引线8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)-PowerPAK® 1212-8SOT-23-6SOT-23-6 细型,TSOT-23-6TO-220-3 整包TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
57结果
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/ 57
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
AO3407A
MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23-3L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
867,952
现货
1 : ¥2.54000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.56341
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
4.3A(Ta)
4.5V,10V
48 毫欧 @ 4.3A,10V
3V @ 250µA
16 nC @ 10 V
±20V
830 pF @ 15 V
-
1.4W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
3-SMD,SOT-23-3 变式
SOT-23-3
IRLML6401TRPBF
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23
Infineon Technologies
50,193
现货
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.88628
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
4.3A(Ta)
1.8V,4.5V
50 毫欧 @ 4.3A,4.5V
950mV @ 250µA
15 nC @ 5 V
±8V
830 pF @ 10 V
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
DMP3056L-7
MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23
Diodes Incorporated
116,147
现货
1 : ¥3.37000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.89925
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
4.3A(Ta)
4.5V,10V
50 毫欧 @ 6A,10V
2.1V @ 250µA
11.8 nC @ 10 V
±25V
642 pF @ 25 V
-
1.38W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
DMP2045U-7
MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23
Diodes Incorporated
80,756
现货
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.67385
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4.3A(Ta)
1.8V,4.5V
45 毫欧 @ 4A,4.5V
1V @ 250µA
6.8 nC @ 4.5 V
±8V
634 pF @ 10 V
-
800mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SG6858TZ
FDC5612
MOSFET N-CH 60V 4.3A SUPERSOT6
onsemi
24,990
现货
1 : ¥4.68000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.77229
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
4.3A(Ta)
6V,10V
55 毫欧 @ 4.3A,10V
4V @ 250µA
18 nC @ 10 V
±20V
650 pF @ 25 V
-
1.6W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SuperSOT™-6
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
SG6858TZ
FDC5661N-F085
MOSFET N-CH 60V 4.3A SUPERSOT6
onsemi
24,137
现货
1 : ¥5.25000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.76476
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
4.3A(Ta)
4.5V,10V
47 毫欧 @ 4.3A,10V
3V @ 250µA
19 nC @ 10 V
±20V
763 pF @ 25 V
-
1.6W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SuperSOT™-6
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
SOT-23-3
DMP2045UQ-13
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 1
Diodes Incorporated
5,546
现货
1 : ¥3.04000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.70071
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4.3A(Ta)
1.8V,4.5V
45 毫欧 @ 4A,4.5V
1V @ 250µA
6.8 nC @ 4.5 V
±8V
634 pF @ 10 V
-
800mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT 26
DMP3056LDM-7
MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT-26
Diodes Incorporated
134,798
现货
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.15571
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
4.3A(Ta)
4.5V,10V
45 毫欧 @ 5A,10V
2.1V @ 250µA
21.1 nC @ 10 V
±20V
948 pF @ 25 V
-
1.25W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-26
SOT-23-6
SOT-23-3
DMP2100U-7
MOSFET P CH 20V 4.3A SOT23
Diodes Incorporated
221,235
现货
315,000
工厂
1 : ¥3.53000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.62892
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4.3A(Ta)
1.8V,10V
38 毫欧 @ 3.5A,10V
1.4V @ 250µA
9.1 nC @ 4.5 V
±10V
216 pF @ 15 V
-
800mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
AOSS21311C
MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23-3
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
7,595
现货
1 : ¥3.61000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.80145
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
4.3A(Ta)
4.5V,10V
45 毫欧 @ 4.3A,10V
2.2V @ 250µA
23 nC @ 10 V
±20V
720 pF @ 15 V
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
3-SMD,SOT-23-3 变式
SOT-23-3
IRLML2244TRPBF
MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23
Infineon Technologies
12,447
现货
1 : ¥3.86000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.84896
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4.3A(Ta)
2.5V,4.5V
54 毫欧 @ 4.3A,4.5V
1.1V @ 10µA
6.9 nC @ 4.5 V
±12V
570 pF @ 16 V
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
DMP2045UQ-7
MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23
Diodes Incorporated
41,239
现货
1 : ¥4.02000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.88160
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4.3A(Ta)
1.8V,4.5V
45 毫欧 @ 4A,4.5V
1V @ 250µA
6.8 nC @ 4.5 V
±8V
634 pF @ 10 V
-
800mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
DMP2045U-13
MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23
Diodes Incorporated
16,575
现货
160,000
工厂
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.55719
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4.3A(Ta)
1.8V,4.5V
45 毫欧 @ 4A,4.5V
1V @ 250µA
6.8 nC @ 4.5 V
±8V
634 pF @ 10 V
-
800mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
CSDxxxxxF5x
CSD13385F5
MOSFET N-CH 12V 4.3A 3PICOSTAR
Texas Instruments
47,181
现货
1 : ¥3.86000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.82124
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
4.3A(Ta)
1.8V,4.5V
19 毫欧 @ 900mA,4.5V
1.2V @ 250µA
5 nC @ 4.5 V
8V
674 pF @ 6 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
3-PICOSTAR
3-SMD,无引线
CSDxxxxxF5x
CSD13385F5T
MOSFET N-CH 12V 4.3A 3PICOSTAR
Texas Instruments
22,565
现货
1 : ¥5.42000
剪切带(CT)
250 : ¥3.40688
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
4.3A(Ta)
1.8V,4.5V
19 毫欧 @ 900mA,4.5V
1.2V @ 250µA
5 nC @ 4.5 V
8V
674 pF @ 6 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
3-PICOSTAR
3-SMD,无引线
SOT-23-6
ZXMN2B03E6TA
MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT23-6
Diodes Incorporated
2,453
现货
18,000
工厂
1 : ¥6.40000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.42096
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4.3A(Ta)
1.8V,4.5V
40 毫欧 @ 4.3A,4.5V
1V @ 250µA
14.5 nC @ 4.5 V
±8V
1160 pF @ 10 V
-
1.1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-6
SOT-23-6
SOT-23-3
DMP2100UQ-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Diodes Incorporated
3,000
现货
3,000 : ¥0.75693
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4.3A(Ta)
1.8V,10V
38 毫欧 @ 3.5A,10V
1.4V @ 250µA
9.1 nC @ 4.5 V
±10V
216 pF @ 15 V
-
800mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT 26
DMP3056LDMQ-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT26 T&R
Diodes Incorporated
3,000
现货
15,000
工厂
3,000 : ¥1.28903
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
4.3A(Ta)
4.5V,10V
45 毫欧 @ 5A,10V
2.1V @ 250µA
21.1 nC @ 10 V
±20V
948 pF @ 25 V
-
1.25W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-26
SOT-23-6
6-DFN2020MD_View 2
PMPB33XN,115
MOSFET N-CH 30V 4.3A DFN2020MD-6
Nexperia USA Inc.
2,830
现货
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.88628
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
4.3A(Ta)
2.5V,4.5V
47 毫欧 @ 4.3A,4.5V
1.2V @ 250µA
7.6 nC @ 4.5 V
±12V
505 pF @ 15 V
-
1.5W(Ta),8.3W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DFN2020MD-6
6-UDFN 裸露焊盘
SOT-23-6
FDC5661N
FET 60V 50.0 MOHM SSOT6
onsemi
3,000
现货
1 : ¥4.84000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.74057
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
4.3A(Ta)
4.5V,10V
47 毫欧 @ 4.3A,10V
3V @ 250µA
19 nC @ 10 V
±20V
763 pF @ 25 V
-
1.6W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TSOT-23-6
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
U-DFN2020-6 Type F
DMT12H065LFDF-7
MOSFET N-CH 115V 4.3A 6UDFN
Diodes Incorporated
2,739
现货
72,000
工厂
1 : ¥7.72000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.93728
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
115 V
4.3A(Ta)
3V,10V
65 毫欧 @ 3A,10V
2.2V @ 250µA
5.5 nC @ 10 V
±12V
252 pF @ 50 V
-
1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
U-DFN2020-6(F 类)
6-UDFN 裸露焊盘
24,331
现货
1 : ¥3.12000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.67111
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4.3A(Ta)
1.8V,4.5V
52 毫欧 @ 4.3A,4.5V
1V @ 250µA
24 nC @ 10 V
±8V
907 pF @ 10 V
-
1.25W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
9,600
现货
1 : ¥3.61000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.80145
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
4.3A(Ta)
4.5V,10V
42 毫欧 @ 4.3A,10V
2.5V @ 250µA
4.8 nC @ 4.5 V
±20V
410 pF @ 20 V
-
1.25W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
29,335
现货
1 : ¥4.02000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.88160
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4.3A(Ta)
1.8V,4.5V
50 毫欧 @ 4.3A,4.5V
1V @ 250µA
24 nC @ 4.5 V
±8V
907 pF @ 10 V
-
1.25W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-220AB Full Pack
BFL4004
MOSFET N-CH 800V 4.3A TO220FI
onsemi
0
现货
停产
-
散装
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
4.3A(Ta)
10V
2.5 欧姆 @ 3.25A,10V
4V @ 1mA
36 nC @ 10 V
±30V
710 pF @ 30 V
-
2W(Ta),36W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220FI(LS)
TO-220-3 整包
显示
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4.3A(Ta) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。