4.1A(Ta) 单 FET,MOSFET

结果 : 42
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedGoford SemiconductorGood-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesMicro Commercial CoNexperia USA Inc.onsemiPanjit International Inc.Vishay SiliconixYAGEO XSEMI
系列
-HEXFET®PowerTrench®TrenchFET®XP3P050A
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装
产品状态
不适用于新设计停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
8 V12 V20 V30 V60 V80 V150 V900 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V2.5V,10V2.5V,4.5V2.7V,4.5V4.5V4.5V,10V6V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
32 毫欧 @ 5.3A,4.5V42 毫欧 @ 4.1A,10V42 毫欧 @ 5.7A,10V45 毫欧 @ 2.5A,4.5V46 毫欧 @ 4.1A,4.5V47 毫欧 @ 1A,4.5V48 毫欧 @ 4.3A,10V50 毫欧 @ 4A,10V52 毫欧 @ 4.1A,10V55 毫欧 @ 2.4A,4.5V55 毫欧 @ 4.1A,10V56 毫欧 @ 4.1A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
900mV @ 250µA1V @ 250µA1.1V @ 5µA1.2V @ 250µA1.25V @ 250µA1.5V @ 250µA2V @ 250µA2.1V @ 250µA2.4V @ 250µA2.7V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 250µA-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
2.3 nC @ 4.5 V3.5 nC @ 4.5 V4.6 nC @ 4.5 V4.8 nC @ 4.5 V6.3 nC @ 10 V6.8 nC @ 10 V10 nC @ 4.5 V10.3 nC @ 10 V10.4 nC @ 4.5 V11 nC @ 10 V11 nC @ 4.5 V12.3 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
-6V8V±8V±12V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
209 pF @ 15 V218 pF @ 10 V290 pF @ 16 V350 pF @ 10 V365 pF @ 10 V452 pF @ 10 V502 pF @ 30 V504 pF @ 40 V520 pF @ 15 V580 pF @ 15 V588 pF @ 30 V650 pF @ 15 V
功率耗散(最大值)
350mW350mW(Ta)510mW(Ta),5W(Tc)530mW(Ta),6.25W(Tc)750mW(Ta)900mW900mW(Ta)960mW(Ta)1W(Ta)1.2W(Ta)1.25W(Ta)1.3W
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
6-TSOP8-SO FLMP8-SOICDFN2020MD-6Micro3™/SOT-23SC75-6 FLMPSOT-223-3SOT-23SOT-23-3SOT-23-3(TO-236)SOT-89SOT-89-3SuperSOT™-6TO-220FI(LS)
封装/外壳
3-SMD,SOT-23-3 变式4-UFBGA,WLBGA6-UDFN 裸露焊盘8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘SC-74,SOT-457SC-75-6 FLMPSOT-23-6 细型,TSOT-23-6TO-220-3 整包TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-243AATO-261-4,TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
42结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 42
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
IRLML6246TRPBF
MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23
Infineon Technologies
242,531
现货
1 : ¥3.53000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.77324
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)20 V4.1A(Ta)2.5V,4.5V46 毫欧 @ 4.1A,4.5V1.1V @ 5µA3.5 nC @ 4.5 V±12V290 pF @ 16 V-1.3W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型Micro3™/SOT-23TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
ZXMN2F30FHTA
MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3
Diodes Incorporated
25,462
现货
159,000
工厂
1 : ¥3.53000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.95373
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)20 V4.1A(Ta)2.5V,4.5V45 毫欧 @ 2.5A,4.5V1.5V @ 250µA4.8 nC @ 4.5 V±12V452 pF @ 10 V-960mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23-3TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-236AB
PMV45EN2R
MOSFET N-CH 30V 4.1A TO236AB
Nexperia USA Inc.
57,603
现货
1 : ¥3.58000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.95583
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V4.1A(Ta)4.5V,10V42 毫欧 @ 4.1A,10V2V @ 250µA6.3 nC @ 10 V±20V209 pF @ 15 V-510mW(Ta),5W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型TO-236ABTO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-223-3
DMN6068SE-13
MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT223
Diodes Incorporated
7,596
现货
1 : ¥4.88000
剪切带(CT)
4,000 : ¥1.65320
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V4.1A(Ta)4.5V,10V68 毫欧 @ 12A,10V3V @ 250µA10.3 nC @ 10 V±20V502 pF @ 30 V-2W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-223-3TO-261-4,TO-261AA
SOT-23-3
SI2333DS-T1-E3
MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3
Vishay Siliconix
41,212
现货
1 : ¥6.75000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.56014
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)12 V4.1A(Ta)1.8V,4.5V32 毫欧 @ 5.3A,4.5V1V @ 250µA18 nC @ 4.5 V±8V1100 pF @ 6 V-750mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23-3(TO-236)TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
8-SOIC
SI9435BDY-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 4.1A 8SO
Vishay Siliconix
12,824
现货
1 : ¥6.99000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.88499
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)30 V4.1A(Ta)4.5V,10V42 毫欧 @ 5.7A,10V3V @ 250µA24 nC @ 10 V±20V--1.3W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-SOIC8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
FDS2582
MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC
onsemi
7,581
现货
1 : ¥10.32000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.28712
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)150 V4.1A(Ta)6V,10V66 毫欧 @ 4.1A,10V4V @ 250µA25 nC @ 10 V±20V1290 pF @ 25 V-2.5W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-SOIC8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
SOT 23
SI3407-TP
MOSFET P-CH 30V 4.1A SOT23
Micro Commercial Co
65,694
现货
1 : ¥3.17000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.70551
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)30 V4.1A(Ta)10V87 毫欧 @ 2.9A,4.5V3V @ 250µA-±20V700 pF @ 15 V-1.3W-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT 23
SI2305-TP
MOSFET P-CH 8V 4.1A SOT23
Micro Commercial Co
15,546
现货
1 : ¥3.25000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.72754
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)8 V4.1A(Ta)4.5V90 毫欧 @ 2A,1.8V900mV @ 250µA15 nC @ 4.5 V±8V--350mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
AP7387Q-30Y-13
DMN6070SY-13
MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT89-3
Diodes Incorporated
2,588
现货
52,500
工厂
1 : ¥3.74000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.01262
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V4.1A(Ta)4.5V,10V85 毫欧 @ 2.5A,10V3V @ 250µA12.3 nC @ 10 V±20V588 pF @ 30 V-2.1W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-89-3TO-243AA
MOSFET P-CH 20V 4.1A U-WLB1010-4
DMP2047UCB4-7
MOSFET P-CH 20V 4.1A U-WLB1010-4
Diodes Incorporated
8,985
现货
1 : ¥5.12000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.93532
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)20 V4.1A(Ta)2.5V,4.5V47 毫欧 @ 1A,4.5V1.2V @ 250µA2.3 nC @ 4.5 V-6V218 pF @ 10 V-1W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型U-WLB1010-44-UFBGA,WLBGA
SOT-23-3
SI2333DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3
Vishay Siliconix
7,060
现货
1 : ¥6.75000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.80206
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)12 V4.1A(Ta)1.8V,4.5V32 毫欧 @ 5.3A,4.5V1V @ 250µA18 nC @ 4.5 V±8V1100 pF @ 6 V-750mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23-3(TO-236)TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
8-SOIC
FDS86242
MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC
onsemi
25,828
现货
1 : ¥8.94000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.71553
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)150 V4.1A(Ta)6V,10V67 毫欧 @ 4.1A,10V4V @ 250µA13 nC @ 10 V±20V760 pF @ 75 V-2.5W(Ta),5W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-SOIC8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
16,943
现货
1 : ¥3.09000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.68787
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)20 V4.1A(Ta)1.8V,4.5V56 毫欧 @ 4.1A,4.5V1.2V @ 250µA4.6 nC @ 4.5 V±12V350 pF @ 10 V-1.25W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型SOT-23TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
28,823
现货
1 : ¥3.82000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.68638
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)20 V4.1A(Ta)1.8V,4.5V56 毫欧 @ 4.1A,4.5V1.2V @ 250µA4.6 nC @ 4.5 V±12V350 pF @ 10 V-1.25W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
8-SOIC
SI9435BDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 4.1A 8SO
Vishay Siliconix
2,371
现货
1 : ¥7.32000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.02622
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)30 V4.1A(Ta)10V42 毫欧 @ 5.7A,10V3V @ 250µA24 nC @ 10 V±20V--1.3W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-SOIC8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
SOT-23(TO-236)
SI2333DS-T1-BE3
P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET
Vishay Siliconix
4,040
现货
1 : ¥6.75000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.56014
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)12 V4.1A(Ta)1.8V,4.5V32 毫欧 @ 5.3A,4.5V1V @ 250µA18 nC @ 4.5 V±8V1100 pF @ 6 V-750mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23-3(TO-236)TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
Automotive, AEC-Q101 Series
PMN48XPAX
MOSFET P-CH 20V 4.1A 6TSOP
Nexperia USA Inc.
2,355
现货
1 : ¥3.74000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.27170
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)20 V4.1A(Ta)2.5V,4.5V55 毫欧 @ 2.4A,4.5V1.25V @ 250µA13 nC @ 4.5 V±12V1000 pF @ 10 V-530mW(Ta),6.25W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型6-TSOPSC-74,SOT-457
Automotive, AEC-Q101 Series
PMN48XP,125
MOSFET P-CH 20V 4.1A 6TSOP
Nexperia USA Inc.
6,000
现货
1 : ¥4.15000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.39280
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)20 V4.1A(Ta)2.5V,4.5V55 毫欧 @ 2.4A,4.5V1.25V @ 250µA13 nC @ 4.5 V±12V1000 pF @ 10 V-530mW(Ta),6.25W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型6-TSOPSC-74,SOT-457
SOT-223-3
DMN6068SEQ-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT223 T&R
Diodes Incorporated
2,467
现货
660,000
工厂
1 : ¥5.04000
剪切带(CT)
4,000 : ¥1.90490
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V4.1A(Ta)4.5V,10V68 毫欧 @ 12A,10V3V @ 250µA10.3 nC @ 10 V±20V502 pF @ 30 V-2W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型SOT-223-3TO-261-4,TO-261AA
GSFKW0202
GSF3407
MOSFET, P-CH, SINGLE, -4.1A, -30
Good-Ark Semiconductor
17,761
现货
1 : ¥2.52000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.43438
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)30 V4.1A(Ta)4.5V,10V55 毫欧 @ 4.1A,10V2.4V @ 250µA6.8 nC @ 10 V±20V580 pF @ 15 V-1.2W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
BAT54
GSF0304
MOSFET, P-CH, SINGLE, -4.1A, -30
Good-Ark Semiconductor
5,955
现货
1 : ¥2.76000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.48348
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)30 V4.1A(Ta)4.5V,10V65 毫欧 @ 4.1A,10V2.1V @ 250µA13 nC @ 10 V±20V650 pF @ 15 V-1.4W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
GSFKW0202
GSFC0301
MOSFETS, P-CH, SINGLE, -30V, -4.
Good-Ark Semiconductor
6,000
现货
1 : ¥3.09000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.57478
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)30 V4.1A(Ta)2.5V,10V65 毫欧 @ 4A,10V-11 nC @ 4.5 V±12V1175 pF @ 15 V-1.56W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
G6N02L
G3035L
P30V,RD(MAX)<59M@-10V,RD(MAX)<75
Goford Semiconductor
2,885
现货
1 : ¥3.33000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.60378
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)30 V4.1A(Ta)4.5V,10V59 毫欧 @ 2.1A,10V2V @ 250µA12.5 nC @ 10 V±20V650 pF @ 15 V-1.4W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23-3TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-220AB Full Pack
BFL4001
MOSFET N-CH 900V 4.1A TO220FI
onsemi
0
现货
停产
-
停产N 通道MOSFET(金属氧化物)900 V4.1A(Ta)10V2.7 欧姆 @ 3.25A,10V-44 nC @ 10 V±30V850 pF @ 30 V-2W(Ta),37W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--通孔TO-220FI(LS)TO-220-3 整包
显示
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4.1A(Ta) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。