37.9A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 9
系列
CoolMOS™CoolMOS™ C6CoolMOS™ P6
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
产品状态
不适用于新设计停产在售
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
99 毫欧 @ 14.5A,10V99 毫欧 @ 18.1A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 1.21mA4.5V @ 1.21mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
70 nC @ 10 V119 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2660 pF @ 100 V3330 pF @ 100 V
功率耗散(最大值)
34W(Tc)35W(Tc)219W(Tc)278W(Tc)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PG-TO220-3PG-TO220-FPPG-TO247-3PG-TO247-3-1PG-TO247-4PG-TO263-3
封装/外壳
TO-220-3TO-220-3 整包TO-247-3TO-247-4TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
9结果
应用的筛选条件 删除全部

显示
/ 9
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-220-3
IPP60R099C6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-3
Infineon Technologies
896
现货
1 : ¥50.49000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
37.9A(Tc)
10V
99 毫欧 @ 18.1A,10V
3.5V @ 1.21mA
119 nC @ 10 V
±20V
2660 pF @ 100 V
-
278W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO220-3
TO-220-3
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB60R099C6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 37.9A D2PAK
Infineon Technologies
4,803
现货
1 : ¥50.24000
剪切带(CT)
1,000 : ¥28.50302
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
37.9A(Tc)
10V
99 毫欧 @ 18.1A,10V
3.5V @ 1.21mA
119 nC @ 10 V
±20V
2660 pF @ 100 V
-
278W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
AUIRFP4310Z BACK
IPW60R099P6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-3
Infineon Technologies
217
现货
1 : ¥52.05000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
37.9A(Tc)
10V
99 毫欧 @ 14.5A,10V
4.5V @ 1.21mA
70 nC @ 10 V
±20V
3330 pF @ 100 V
-
278W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO247-3
TO-247-3
PG-TO-220-FP
IPA60R099P6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-FP
Infineon Technologies
452
现货
1 : ¥48.85000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
37.9A(Tc)
10V
99 毫欧 @ 14.5A,10V
4.5V @ 1.21mA
70 nC @ 10 V
±20V
3330 pF @ 100 V
-
34W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO220-FP
TO-220-3 整包
PG-TO247-3
IPW60R099C6FKSA1
MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-3
Infineon Technologies
654
现货
1 : ¥58.37000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
37.9A(Tc)
10V
99 毫欧 @ 18.1A,10V
3.5V @ 1.21mA
119 nC @ 10 V
±20V
2660 pF @ 100 V
-
278W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO247-3-1
TO-247-3
TO-247-4
IPZ60R099P6FKSA1
MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-4
Infineon Technologies
188
现货
1 : ¥54.84000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
37.9A(Tc)
10V
99 毫欧 @ 14.5A,10V
4.5V @ 1.21mA
70 nC @ 10 V
±20V
3330 pF @ 100 V
-
278W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO247-4
TO-247-4
TO-220-3
IPP60R099P6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-3
Infineon Technologies
0
现货
查看交期
1 : ¥48.85000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
37.9A(Tc)
10V
99 毫欧 @ 14.5A,10V
4.5V @ 1.21mA
70 nC @ 10 V
±20V
3330 pF @ 100 V
-
278W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO220-3
TO-220-3
PG-TO-220-FP
IPA60R099C6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-FP
Infineon Technologies
0
现货
500 : ¥35.45338
管件
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
37.9A(Tc)
10V
99 毫欧 @ 18.1A,10V
3.5V @ 1.21mA
119 nC @ 10 V
±20V
2660 pF @ 100 V
-
35W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO220-FP
TO-220-3 整包
TO-247-4
IPZ60R125P6FKSA1
MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-4
Infineon Technologies
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
37.9A(Tc)
10V
99 毫欧 @ 14.5A,10V
4.5V @ 1.21mA
70 nC @ 10 V
±20V
3330 pF @ 100 V
-
219W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO247-4
TO-247-4
显示
/ 9

37.9A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。