350mA(Ta) 单 FET,MOSFET

结果 : 47
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesMicro Commercial CoNexperia USA Inc.NXP USA Inc.onsemiPanjit International Inc.Vishay Siliconix
系列
-PowerTrench®SIPMOS®SIPMOS™TrenchFET®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
20 V30 V50 V60 V240 V250 V300 V400 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
0V,10V1.5V,4.5V1.8V,4.5V1.8V,5V2.5V,10V2.5V,4.5V2.8V,10V2.8V,4.5V4.5V,10V5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.2 欧姆 @ 350mA,4.5V1.4 欧姆 @ 350mA,4.5V1.5 欧姆 @ 100mA,4.5V1.6 欧姆 @ 500mA,10V2 欧姆 @ 50mA,5V2.5 欧姆 @ 300mA,10V2.8 欧姆 @ 200mA,10V2.8 欧姆 @ 200mA,4.5V2.8 欧姆 @ 250mA,10V3.6 欧姆 @ 210mA,10V6 欧姆 @ 250mA,10V6 欧姆 @ 350mA,10V6.5 欧姆 @ 170mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
450mV @ 250µA(最小)900mV @ 250µA1V @ 108µA1V @ 250µA1.1V @ 250µA1.2V @ 250µA1.3V @ 1mA1.3V @ 250µA1.4V @ 108µA1.4V @ 250µA1.5V @ 250µA1.8V @ 108µA2V @ 1mA2.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.35 nC @ 4.5 V0.4 nC @ 4.5 V0.6 nC @ 4.5 V0.68 nC @ 4.5 V0.7 nC @ 4.5 V0.87 nC @ 4.5 V0.9 nC @ 10 V1 nC @ 10 V1 nC @ 4.5 V1.4 nC @ 10 V1.4 nC @ 4.5 V1.5 nC @ 10 V1.5 nC @ 4.5 V1.7 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±6V±8V±10V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
13.6 pF @ 15 V22.2 pF @ 30 V23.2 pF @ 25 V23.6 pF @ 10 V28.5 pF @ 30 V29 pF @ 25 V30 pF @ 25 V34 pF @ 15 V35 pF @ 25 V40 pF @ 25 V46 pF @ 25 V50 pF @ 10 V
FET 功能
-耗尽模式
功率耗散(最大值)
150mW(Ta)223mW(Ta)250mW(Ta)250mW(Ta),770mW(Tc)260mW(Ta)260mW(Ta),830mW(Tc)300mW(Ta)320mW350mW(Ta)350mW(Ta),2.8W(Tc)350mW(Ta),3.1W(Tc)370mW(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
3-CPH4-HVMDIPDFN0606-3DFN1006B-3PG-SOT223-4PG-SOT223-4-21SC-75SC-75ASC-89-3SOT-223SOT-23SOT-23-3SOT-323SOT-523 扁平引线
封装/外壳
3-XFDFN4-DIP(0.300",7.62mm)SC-101,SOT-883SC-70,SOT-323SC-75,SOT-416SC-89,SOT-490SOT-523TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-261-4,TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
47结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 47
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMN63D8L-7
MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23
Diodes Incorporated
532,188
现货
1 : ¥1.97000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.32799
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
350mA(Ta)
2.5V,10V
2.8 欧姆 @ 250mA,10V
1.5V @ 250µA
0.9 nC @ 10 V
±20V
23.2 pF @ 25 V
-
350mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SC-101 SOT-883
NX7002BKMYL
MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006-3
Nexperia USA Inc.
40,698
现货
1 : ¥2.13000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.27204
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
350mA(Ta)
5V,10V
2.8 欧姆 @ 200mA,10V
2.1V @ 250µA
1 nC @ 10 V
±20V
23.6 pF @ 10 V
-
350mW(Ta),3.1W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-883
SC-101,SOT-883
TO-236AB
2N7002BK,215
MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
826,492
现货
1 : ¥2.22000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.37180
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
350mA(Ta)
10V
1.6 欧姆 @ 500mA,10V
2.1V @ 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
370mW(Ta)
150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
Pkg 5868
SI1013R-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 350MA SC75A
Vishay Siliconix
98,203
现货
1 : ¥3.53000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.18631
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
350mA(Ta)
1.8V,4.5V
1.2 欧姆 @ 350mA,4.5V
450mV @ 250µA(最小)
1.5 nC @ 4.5 V
±6V
-
-
150mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SC-75A
SC-75,SOT-416
SOT-223-4
BSP129H6327XTSA1
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
Infineon Technologies
8,664
现货
1 : ¥6.98000
剪切带(CT)
1,000 : ¥2.99025
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
240 V
350mA(Ta)
0V,10V
6 欧姆 @ 350mA,10V
1V @ 108µA
5.7 nC @ 5 V
±20V
108 pF @ 25 V
耗尽模式
1.8W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT223-4
TO-261-4,TO-261AA
SOT-323
NX3008NBKW,115
MOSFET N-CH 30V 350MA SOT323
Nexperia USA Inc.
641,379
现货
1 : ¥2.05000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.33877
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
350mA(Ta)
1.8V,4.5V
1.4 欧姆 @ 350mA,4.5V
1.1V @ 250µA
0.68 nC @ 4.5 V
±8V
50 pF @ 15 V
-
260mW(Ta),830mW(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
TO-236AB
2N7002BKVL
MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
27,998
现货
1 : ¥2.22000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.28614
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
350mA(Ta)
10V
1.6 欧姆 @ 500mA,10V
2.1V @ 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
370mW(Ta)
150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
DFN0606-3
NX7002BKHH
MOSFET N-CH 60V 350MA DFN0606-3
Nexperia USA Inc.
26,887
现货
1 : ¥2.22000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.28191
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
350mA(Ta)
4.5V,10V
2.8 欧姆 @ 200mA,10V
2.1V @ 250µA
1 nC @ 10 V
±20V
22.2 pF @ 30 V
-
380mW(Ta),2.8W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DFN0606-3
3-XFDFN
3-XQFN
NX7002BKMBYL
MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006B-3
Nexperia USA Inc.
37,948
现货
1 : ¥2.63000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.34083
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
350mA(Ta)
5V,10V
2.8 欧姆 @ 200mA,10V
2.1V @ 250µA
1 nC @ 10 V
±20V
23.6 pF @ 10 V
-
350mW(Ta),3.1W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DFN1006B-3
3-XFDFN
35,439
现货
1 : ¥2.96000
剪切带(CT)
4,000 : ¥0.49476
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
50 V
350mA(Ta)
2.5V,10V
1.6 欧姆 @ 500mA,10V
1.5V @ 250µA
1 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 25 V
-
223mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-523 扁平引线
SC-89,SOT-490
32,482
现货
1 : ¥3.20000
剪切带(CT)
4,000 : ¥0.87380
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
50 V
350mA(Ta)
2.5V,10V
1.6 欧姆 @ 500mA,10V
1.5V @ 250µA
1 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 25 V
-
223mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-523 扁平引线
SC-89,SOT-490
SC-89-3_463C
SI1013X-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3
Vishay Siliconix
19,367
现货
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.16184
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
350mA(Ta)
1.8V,4.5V
1.2 欧姆 @ 350mA,4.5V
450mV @ 250µA(最小)
1.5 nC @ 4.5 V
±6V
-
-
250mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SC-89-3
SC-89,SOT-490
SOT-223-4
BSP89H6327XTSA1
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
Infineon Technologies
7,267
现货
1 : ¥4.68000
剪切带(CT)
1,000 : ¥1.98995
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
240 V
350mA(Ta)
4.5V,10V
6 欧姆 @ 350mA,10V
1.8V @ 108µA
6.4 nC @ 10 V
±20V
140 pF @ 25 V
-
1.8W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT223-4
TO-261-4,TO-261AA
SOT-223-4
BSP88H6327XTSA1
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
Infineon Technologies
23,666
现货
1 : ¥5.17000
剪切带(CT)
1,000 : ¥1.95087
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
240 V
350mA(Ta)
2.8V,10V
6 欧姆 @ 350mA,10V
1.4V @ 108µA
6.8 nC @ 10 V
±20V
95 pF @ 25 V
-
1.8W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT223-4
TO-261-4,TO-261AA
SC-101 SOT-883
NX5008NBKMYL
MOSFET N-CH 50V 350MA DFN1006-3
Nexperia USA Inc.
31,123
现货
1 : ¥2.96000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.27707
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
50 V
350mA(Ta)
-
2.8 欧姆 @ 200mA,4.5V
900mV @ 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±8V
29 pF @ 25 V
-
350mW(Ta),2.8W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-883
SC-101,SOT-883
4-DIP
IRFD310PBF
MOSFET N-CH 400V 350MA 4DIP
Vishay Siliconix
2,215
现货
1 : ¥12.89000
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
400 V
350mA(Ta)
10V
3.6 欧姆 @ 210mA,10V
4V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±20V
170 pF @ 25 V
-
1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
4-HVMDIP
4-DIP(0.300",7.62mm)
SOT-23-3
DMN63D8L-13
MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23-3
Diodes Incorporated
8,387
现货
1 : ¥1.97000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.25231
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
350mA(Ta)
2.5V,10V
2.8 欧姆 @ 250mA,10V
1.5V @ 250µA
0.9 nC @ 10 V
±20V
23.2 pF @ 25 V
-
350mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-523
DMN31D6UT-7
MOSFET N-CH 30V 350MA SOT523
Diodes Incorporated
2,995
现货
960,000
工厂
1 : ¥2.54000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.43427
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
350mA(Ta)
2.5V,4.5V
1.5 欧姆 @ 100mA,4.5V
1.4V @ 250µA
0.35 nC @ 4.5 V
±12V
13.6 pF @ 15 V
-
320mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-523
SOT-523
DFN0606-3
NX5008NBKHH
MOSFET N-CH 50V 350MA DFN0606-3
Nexperia USA Inc.
17,945
现货
1 : ¥2.96000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.38763
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
50 V
350mA(Ta)
-
2.8 欧姆 @ 200mA,4.5V
900mV @ 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±8V
30 pF @ 25 V
-
380mW(Ta),2.8W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DFN0606-3
3-XFDFN
SOT-523
DMN52D0LT-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT523 T&R
Diodes Incorporated
10,000
现货
300,000
工厂
1 : ¥3.12000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.40313
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
50 V
350mA(Ta)
1.8V,5V
2 欧姆 @ 50mA,5V
1.2V @ 250µA
1.5 nC @ 10 V
±12V
40 pF @ 25 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-523
SOT-523
SOT-523
DMN52D0LT-7
MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT523 T&R
Diodes Incorporated
3,000
现货
135,000
工厂
1 : ¥3.12000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.52406
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
50 V
350mA(Ta)
1.8V,5V
2 欧姆 @ 50mA,5V
1.2V @ 250µA
1.5 nC @ 10 V
±12V
40 pF @ 25 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-523
SOT-523
SOT-223-4
BSP88E6327
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
240 V
350mA(Ta)
2.8V,4.5V
6 欧姆 @ 350mA,10V
1.4V @ 108µA
6.8 nC @ 10 V
±20V
95 pF @ 25 V
-
1.7W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT223-4
TO-261-4,TO-261AA
SOT-223-4
BSP129L6327HTSA1
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
240 V
350mA(Ta)
0V,10V
6 欧姆 @ 350mA,10V
1V @ 108µA
5.7 nC @ 5 V
±20V
108 pF @ 25 V
耗尽模式
1.8W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT223-4-21
TO-261-4,TO-261AA
PowerTrench Series SC-89-3
FDY100PZ
MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3
onsemi
20,052
现货
1 : ¥3.37000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.13738
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
350mA(Ta)
1.8V,4.5V
1.2 欧姆 @ 350mA,4.5V
1.5V @ 250µA
1.4 nC @ 4.5 V
±8V
100 pF @ 10 V
-
625mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SC-89-3
SC-89,SOT-490
SBA120CS-AUR1A1XXX
PJE8412_R1_00001
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Panjit International Inc.
0
现货
1 : ¥3.86000
剪切带(CT)
4,000 : ¥0.85488
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
350mA(Ta)
1.5V,4.5V
1.2 欧姆 @ 350mA,4.5V
1.1V @ 250µA
0.87 nC @ 4.5 V
±10V
34 pF @ 15 V
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300mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
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表面贴装型
SOT-523
SOT-523
显示
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350mA(Ta) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。