33A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 134
制造商
Diodes IncorporatedGeneSiC SemiconductorGoford SemiconductorInfineon TechnologiesIXYSLittelfuse Inc.Microchip TechnologyMicrosemi CorporationNexperia USA Inc.NXP USA Inc.onsemiQorvoRenesas Electronics CorporationRohm Semiconductor
系列
-CoolMOS™ C7CoolMOS™ CFD7CoolMOS™ P7CoolSiC™CoolSIC™ M1EEFHEXFET®HiPerFET™HiPerFET™, PolarLoRing™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产最后售卖在售
技术
MOSFET(金属氧化物)SiCFET(共源共栅 SiCJFET)SiCFET(碳化硅)SiC(碳化硅结晶体管)
漏源电压(Vdss)
25 V30 V40 V55 V60 V75 V80 V100 V150 V200 V250 V500 V550 V600 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V5V5V,10V8V,10V10V10V,12V10V,15V12V15V18V20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
3.8 毫欧 @ 20A,10V7.5 毫欧 @ 10A,10V10.5毫欧 @ 11A,10V12.6 毫欧 @ 10A,10V13 毫欧 @ 16A,10V14 毫欧 @ 16.5A,10V17 毫欧 @ 10A,10V18 毫欧 @ 12A,10V19 毫欧 @ 15A,10V20 毫欧 @ 19A,10V21 毫欧 @ 10A,10V25 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.95V @ 1mA2V @ 1mA2V @ 250µA2V @ 90µA2.1V @ 1mA2.4V @ 250µA2.5V @ 250µA2.8V @ 1mA2.8V @ 250µA3V @ 250µA3.5V @ 3mA3.5V @ 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
7 nC @ 5 V8.3 nC @ 10 V10 nC @ 10 V10.7 nC @ 10 V11.9 nC @ 10 V15 nC @ 10 V16.7 nC @ 5 V17.5 nC @ 10 V21.5 nC @ 10 V22 nC @ 10 V22 nC @ 18 V26 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±10V±16V+20V,-16V+20V,-5V+20V,-7V±20V+22V,-10V+23V,-5V±25V±30V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
528 pF @ 12 V593 pF @ 25 V617 pF @ 25 V683 pF @ 50 V744 pF @ 400 V750 pF @ 25 V782 pF @ 15 V824 pF @ 25 V860 pF @ 25 V1000 pF @ 15 V1060 pF @ 800 V1190 pF @ 75 V
FET 功能
-温度检测二极管
功率耗散(最大值)
800mW(Ta),142W(Tc)1W(Ta),97W(Tc)1.56W(Ta),211W(Tc)1.56W(Ta),40W(Tc)2.23W(Ta),40W(Tc)3.12W(Ta),156W(Tc)3.3W(Ta),14.7W(Tc)3.4W(Ta),68W(Tc)3.5W(Ta),7.8W(Tc)3.75W(Ta),127W(Tc)3.8W(Ta),170W(Tc)14.7W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-55°C ~ 200°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 175°C(TJ)150°C150°C(TJ)175°C(TJ)-
安装类型
底座安装表面贴装型表面贴装,可润湿侧翼通孔
供应商器件封装
8-DFN(4.9x5.75)8-DSOP Advance8-HSON8-SOICD2PAKDPAKH2PAK-7HiP247™I2PAKIPAK(TO-251AA)ISOTOP®LFPAK33
封装/外壳
4-PowerTSFN8-PowerBSFN8-PowerSFN8-PowerTDFN8-PowerVDFN8-SMD,扁平引线裸焊盘8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)10-PowerSOP 模块PowerPAK® SO-8SC-100,SOT-669SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引线)SOT-227-4,miniBLOC
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
134结果
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/ 134
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-220AB PKG
IRF540NPBF
MOSFET N-CH 100V 33A TO220AB
Infineon Technologies
139,805
现货
1 : ¥10.92000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
33A(Tc)
10V
44 毫欧 @ 16A,10V
4V @ 250µA
71 nC @ 10 V
±20V
1960 pF @ 25 V
-
130W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF540NSTRLPBF
MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Infineon Technologies
16,827
现货
1 : ¥12.31000
剪切带(CT)
800 : ¥6.64290
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
33A(Tc)
10V
44 毫欧 @ 16A,10V
4V @ 250µA
71 nC @ 10 V
±20V
1960 pF @ 25 V
-
130W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO252-3
IRFR4615TRLPBF
MOSFET N-CH 150V 33A DPAK
Infineon Technologies
16,041
现货
1 : ¥13.22000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.94609
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
33A(Tc)
10V
42 毫欧 @ 21A,10V
5V @ 100µA
26 nC @ 10 V
±20V
1750 pF @ 50 V
-
144W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
IPAK (TO-251)
IRFU4615PBF
MOSFET N-CH 150V 33A IPAK
Infineon Technologies
6,433
现货
1 : ¥15.11000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
33A(Tc)
10V
42 毫欧 @ 21A,10V
5V @ 100µA
26 nC @ 10 V
±20V
1750 pF @ 50 V
-
144W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
IPAK(TO-251AA)
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
PG-TDSON-8-1
BSC360N15NS3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 33A 8TDSON
Infineon Technologies
18,789
现货
1 : ¥15.60000
剪切带(CT)
5,000 : ¥6.76370
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
33A(Tc)
8V,10V
36 毫欧 @ 25A,10V
4V @ 45µA
15 nC @ 10 V
±20V
1190 pF @ 75 V
-
74W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
TO-263AB
SIHB33N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 33A D2PAK
Vishay Siliconix
4,156
现货
1 : ¥48.76000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
33A(Tc)
10V
99 毫欧 @ 16.5A,10V
4V @ 250µA
150 nC @ 10 V
±30V
3508 pF @ 100 V
-
278W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-247-3L
UF3C120080K3S
SICFET N-CH 1200V 33A TO247-3
Qorvo
17,644
现货
1 : ¥84.31000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(共源共栅 SiCJFET)
1200 V
33A(Tc)
12V
100 毫欧 @ 20A,12V
6V @ 10mA
51 nC @ 15 V
±25V
1500 pF @ 100 V
-
254.2W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3L
UJ3C120080K3S
SICFET N-CH 1200V 33A TO247-3
Qorvo
5,670
现货
1 : ¥84.47000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(共源共栅 SiCJFET)
1200 V
33A(Tc)
12V
100 毫欧 @ 20A,12V
6V @ 10mA
51 nC @ 15 V
±25V
1500 pF @ 100 V
-
254.2W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
D²PAK
STB42N65M5
MOSFET N-CH 650V 33A D2PAK
STMicroelectronics
3,292
现货
1 : ¥96.30000
剪切带(CT)
1,000 : ¥54.60390
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
33A(Tc)
10V
79 毫欧 @ 16.5A,10V
5V @ 250µA
100 nC @ 10 V
±25V
4650 pF @ 100 V
-
190W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-247-3 AC EP
AIMW120R080M1XKSA1
1200V COOLSIC MOSFET PG-TO247-3
Infineon Technologies
106
现货
1 : ¥119.12000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
33A(Tc)
15V
104 毫欧 @ 13A,15V
5.7V @ 5.6mA
28 nC @ 15 V
+20V,-7V
1060 pF @ 800 V
-
150W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
通孔
PG-TO247-3-41
TO-247-3
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
BUK7Y21-40EX
MOSFET N-CH 40V 33A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
4,461
现货
1 : ¥4.93000
剪切带(CT)
1,500 : ¥2.10231
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
33A(Tc)
10V
21 毫欧 @ 10A,10V
4V @ 1mA
10 nC @ 10 V
±20V
617 pF @ 25 V
-
45W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
PowerDI5060 UX
DMTH10H032LPSWQ-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Diodes Incorporated
2,472
现货
10,000
工厂
1 : ¥5.50000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.08777
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
33A(Tc)
4.5V,10V
32 毫欧 @ 5A,10V
2.5V @ 250µA
11.9 nC @ 10 V
±20V
683 pF @ 50 V
-
3.4W(Ta),68W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装,可润湿侧翼
PowerDI5060-8(UX 类)
8-PowerTDFN
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
BUK9Y21-40E,115
MOSFET N-CH 40V 33A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
10,611
现货
1 : ¥5.58000
剪切带(CT)
1,500 : ¥2.37332
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
33A(Tc)
5V
17 毫欧 @ 10A,10V
2.1V @ 1mA
7 nC @ 5 V
±10V
824 pF @ 25 V
-
45W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRFS4615TRLPBF
MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK
Infineon Technologies
1,823
现货
1 : ¥15.76000
剪切带(CT)
800 : ¥8.82966
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
33A(Tc)
10V
42 毫欧 @ 21A,10V
5V @ 100µA
40 nC @ 10 V
±20V
1750 pF @ 50 V
-
144W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-220F
FDPF33N25T
MOSFET N-CH 250V 33A TO220F
onsemi
3,497
现货
1 : ¥19.54000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
33A(Tc)
10V
94 毫欧 @ 16.5A,10V
5V @ 250µA
48 nC @ 10 V
±30V
2135 pF @ 25 V
-
37W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220F-3
TO-220-3 整包
PG-TO263-3
IPB65R065C7ATMA2
MOSFET N-CH 650V 33A TO263-3
Infineon Technologies
4,932
现货
1 : ¥46.55000
剪切带(CT)
1,000 : ¥34.40948
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
33A(Tc)
10V
65 毫欧 @ 17.1A,10V
4.5V @ 200µA
64 nC @ 10 V
±20V
3020 pF @ 400 V
-
171W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263AB
SIHB33N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 33A D2PAK
Vishay Siliconix
732
现货
1 : ¥51.31000
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
33A(Tc)
10V
98 毫欧 @ 16.5A,10V
4V @ 250µA
155 nC @ 10 V
±30V
3454 pF @ 100 V
-
278W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-247-3 HiP
SCTW40N120G2VAG
SICFET N-CH 1200V 33A HIP247
STMicroelectronics
603
现货
1 : ¥174.28000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
33A(Tc)
18V
105毫欧 @ 20A,18V
5V @ 1mA
63 nC @ 18 V
+22V,-10V
1230 pF @ 800 V
-
290W(Tc)
-55°C ~ 200°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
通孔
HiP247™
TO-247-3
PowerPAK SO-8
SIRA18DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 33A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
2,608
现货
1 : ¥5.01000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.89045
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
33A(Tc)
4.5V,10V
7.5 毫欧 @ 10A,10V
2.4V @ 250µA
21.5 nC @ 10 V
+20V,-16V
1000 pF @ 15 V
-
3.3W(Ta),14.7W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
2,500
现货
2,500 : ¥5.71229
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
33A(Tc)
5V,10V
14 毫欧 @ 16.5A,10V
2.5V @ 250µA
78 nC @ 10 V
±20V
3900 pF @ 25 V
-
1W(Ta),97W(Tc)
175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-HSON
8-SMD,扁平引线裸焊盘
TO-220-3
FDP33N25
MOSFET N-CH 250V 33A TO220-3
onsemi
763
现货
1 : ¥16.42000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
33A(Tc)
10V
94 毫欧 @ 16.5A,10V
5V @ 250µA
48 nC @ 10 V
±30V
2135 pF @ 25 V
-
235W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3
8-SOIC
SI4456DY-T1-E3
MOSFET N-CH 40V 33A 8SO
Vishay Siliconix
2,500
现货
1 : ¥22.00000
剪切带(CT)
2,500 : ¥9.92484
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
33A(Tc)
4.5V,10V
3.8 毫欧 @ 20A,10V
2.8V @ 250µA
122 nC @ 10 V
±20V
5670 pF @ 20 V
-
3.5W(Ta),7.8W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
R6004KNXC7G
RCX330N25
MOSFET N-CH 250V 33A TO220FM
Rohm Semiconductor
353
现货
1 : ¥28.08000
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
33A(Tc)
10V
-
-
-
±30V
-
-
2.23W(Ta),40W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220FM
TO-220-3 整包
PG-VSON-4
IPL60R105P7AUMA1
MOSFET N-CH 600V 33A 4VSON
Infineon Technologies
10,236
现货
1 : ¥36.20000
剪切带(CT)
3,000 : ¥17.62801
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
33A(Tc)
10V
105 毫欧 @ 10.5A,10V
4V @ 530µA
45 nC @ 10 V
±20V
1952 pF @ 400 V
-
137W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-VSON-4
4-PowerTSFN
TO-247-3
NTHL099N60S5
NTHL099N60S5
onsemi
302
现货
900
工厂
1 : ¥50.24000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
33A(Tc)
10V
99 毫欧 @ 13.5A,10V
4V @ 2.8mA
48 nC @ 10 V
±30V
2500 pF @ 400 V
-
184W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
显示
/ 134

33A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。