320mA（Tj） 单 FET，MOSFET

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系列
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产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
TP0606N3-G
MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3
Microchip Technology
922
现货
1 : ¥9.11000
袋
-
袋
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
320mA（Tj）
5V，10V
3.5 欧姆 @ 750mA，10V
2.4V @ 1mA
±20V
150 pF @ 25 V
-
1W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
TP0606N3-G-P002
MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3
Microchip Technology
0
现货
查看交期
2,000 : ¥7.47055
卷带（TR）
-
卷带（TR）
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
320mA（Tj）
5V，10V
3.5 欧姆 @ 750mA，10V
2.4V @ 1mA
±20V
150 pF @ 25 V
-
1W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
TP0606N3-G-P003
MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3
Microchip Technology
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卷带（TR）
-
卷带（TR）
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
320mA（Tj）
5V，10V
3.5 欧姆 @ 750mA，10V
2.4V @ 1mA
±20V
150 pF @ 25 V
-
1W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
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320mA（Tj） 单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。