30A 单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon TechnologiesMicro Commercial Co
系列
-CoolSiC™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
60 V1200 V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
55 欧姆 @ 20A，10V-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.7V @ 250µA-
Vgs（最大值）
±20V-
功率耗散（最大值）
72W（Tj）-
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C
供应商器件封装
PG-TO263-7-12TO-252（DPAK）
封装/外壳
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
MBRD6100CT-TP
MCU30P06Y-TP
P-CHANNEL MOSFET, DPAK
Micro Commercial Co
4,075
现货
1 : ¥7.47000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.09676
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
30A
4.5V，10V
55 欧姆 @ 20A，10V
2.7V @ 250µA
19.3 nC @ 10 V
±20V
1050 pF @ 30 V
-
72W（Tj）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252（DPAK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
967
现货
1 : ¥87.85000
剪切带（CT）
1,000 : ¥55.64235
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
30A
-
-
-
-
-
-
-
-
-55°C ~ 175°C
表面贴装型
PG-TO263-7-12
TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
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30A 单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。