3.2A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 32
制造商
Diotec SemiconductorGood-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesIXYSonsemiVishay SiliconixYAGEO XSEMI
系列
-CoolMOS™CoolMOS™ C6HiPerFET™, PolarHT™QFET®TrenchFET®XP70SL1K4A
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
20 V60 V200 V300 V500 V560 V600 V650 V700 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,4.5V4.5V,10V5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
75 毫欧 @ 6A,10V115 毫欧 @ 2.4A,4.5V1.35 欧姆 @ 1.6A,10V1.4 欧姆 @ 1.1A,10V1.4 欧姆 @ 1A,10V1.4 欧姆 @ 2.5A,10V1.4 欧姆 @ 2A,10V2.2 欧姆 @ 1.6A,10V2.6 欧姆 @ 2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250µA2V @ 250µA2.5V @ 250µA3.5V @ 100µA3.5V @ 90µA3.9V @ 135µA4V @ 250µA5V @ 250µA5.5V @ 135µA5.5V @ 500µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
1.1 nC @ 10 V5.2 nC @ 5 V5.5 nC @ 4.5 V7 nC @ 10 V9.4 nC @ 10 V10.5 nC @ 10 V12.6 nC @ 10 V14 nC @ 10 V15 nC @ 10 V16 nC @ 10 V16.8 nC @ 10 V17 nC @ 10 V25 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±12V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
200 pF @ 100 V225 pF @ 100 V230 pF @ 25 V310 pF @ 25 V330 pF @ 10 V350 pF @ 25 V400 pF @ 25 V420 pF @ 25 V581 pF @ 25 V608 pF @ 100 V620 pF @ 25 V725 pF @ 15 V
功率耗散(最大值)
1.56W(Tc)2W(Ta),28.4W(Tc)2W(Tc)2.5W(Ta),30W(Tc)28W(Tc)28.4W(Tc)29.7W(Tc)38W(Tc)54W(Tc)55W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-50°C ~ 150°C(TJ)
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PG-TO220-3PG-TO220-3-1PG-TO220-3-31PG-TO251-3PG-TO251-3-11PG-TO251-3-21PG-TO252-3PG-TO252-3-11PG-TO263-3-2SOT-23SOT-23-3(TO-236)TO-220-3TO-251TO-252
封装/外壳
TO-220-3TO-220-3 整包TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-251-3 短引线,IPAKTO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AATO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
32结果
应用的筛选条件 删除全部

显示
/ 32
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO252-3
IPD65R1K4C6ATMA1
MOSFET N-CH 650V 3.2A TO252-3
Infineon Technologies
12,495
现货
1 : ¥8.62000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.56420
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
3.2A(Tc)
10V
1.4 欧姆 @ 1A,10V
3.5V @ 100µA
10.5 nC @ 10 V
±20V
225 pF @ 100 V
-
28W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IPD60R1K4C6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
Infineon Technologies
19,945
现货
1 : ¥7.39000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.04130
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
3.2A(Tc)
10V
1.4 欧姆 @ 1.1A,10V
3.5V @ 90µA
9.4 nC @ 10 V
±20V
200 pF @ 100 V
-
28.4W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
SPD03N60C3ATMA1
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
Infineon Technologies
17,360
现货
1 : ¥12.56000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.20427
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
3.2A(Tc)
10V
1.4 欧姆 @ 2A,10V
3.9V @ 135µA
17 nC @ 10 V
±20V
400 pF @ 25 V
-
38W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
XP9575GH
XP70SL1K4AH
MOSFET N-CH 700V 3.2A TO252
YAGEO XSEMI
998
现货
1 : ¥17.90000
剪切带(CT)
3,000 : ¥8.07162
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
700 V
3.2A(Tc)
10V
1.4 欧姆 @ 1A,10V
5V @ 250µA
16.8 nC @ 10 V
±20V
608 pF @ 100 V
-
2W(Ta),28.4W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
PG-TO251-3
IPU60R1K4C6AKMA1
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO251-3
Infineon Technologies
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
3.2A(Tc)
10V
1.4 欧姆 @ 1.1A,10V
3.5V @ 90µA
9.4 nC @ 10 V
±20V
200 pF @ 100 V
-
28.4W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO251-3
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
TO-220-3
IPP60R1K4C6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO220-3
Infineon Technologies
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
3.2A(Tc)
10V
1.4 欧姆 @ 1.1A,10V
3.5V @ 90µA
1.1 nC @ 10 V
±20V
200 pF @ 100 V
-
28.4W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO220-3
TO-220-3
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
3.2A(Tc)
10V
1.4 欧姆 @ 2A,10V
3.9V @ 135µA
17 nC @ 10 V
±20V
400 pF @ 25 V
-
38W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO220-3-1
TO-220-3
BSS123
SSF7912
MOSFET, N-CH, SINGLE, 3.20A, 60V
Good-Ark Semiconductor
4,476
现货
1 : ¥3.12000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.58044
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
3.2A(Tc)
4.5V,10V
75 毫欧 @ 6A,10V
2.5V @ 250µA
14 nC @ 10 V
±20V
725 pF @ 15 V
-
1.56W(Tc)
-50°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
SPB03N60C3ATMA1
MOSFET N-CH 650V 3.2A TO263-3
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
3.2A(Tc)
10V
1.4 欧姆 @ 2A,10V
3.9V @ 135µA
17 nC @ 10 V
±20V
400 pF @ 25 V
-
38W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3-2
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
SOT-23-3
SQ2351ES-T1_GE3
MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT23-3
Vishay Siliconix
19,629
现货
1 : ¥4.76000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.59854
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
3.2A(Tc)
2.5V,4.5V
115 毫欧 @ 2.4A,4.5V
1.5V @ 250µA
5.5 nC @ 4.5 V
±12V
330 pF @ 10 V
-
2W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
SQ2351ES-T1_BE3
MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT23-3
Vishay Siliconix
11,020
现货
1 : ¥4.76000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.59854
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
3.2A(Tc)
2.5V,4.5V
115 毫欧 @ 2.4A,4.5V
1.5V @ 250µA
5.5 nC @ 4.5 V
±12V
330 pF @ 10 V
-
2W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
3.2A(Tc)
10V
1.4 欧姆 @ 2A,10V
5.5V @ 135µA
16 nC @ 10 V
±20V
420 pF @ 25 V
-
38W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO220-3-1
TO-220-3
TO252-3
SPD03N60S5BTMA1
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
3.2A(Tc)
10V
1.4 欧姆 @ 2A,10V
5.5V @ 135µA
16 nC @ 10 V
±20V
420 pF @ 25 V
-
38W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3-11
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
SPD03N50C3ATMA1
MOSFET N-CH 500V 3.2A TO252-3
Infineon Technologies
0
现货
1 : ¥12.15000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.01298
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
3.2A(Tc)
10V
1.4 欧姆 @ 2A,10V
3.9V @ 135µA
15 nC @ 10 V
±20V
350 pF @ 25 V
-
38W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-251-3 Stub
IPS65R1K4C6AKMA1
MOSFET N-CH 650V 3.2A TO251-3
Infineon Technologies
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
3.2A(Tc)
10V
1.4 欧姆 @ 1A,10V
3.5V @ 100µA
10.5 nC @ 10 V
±20V
225 pF @ 100 V
-
28W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO251-3-11
TO-251-3 短引线,IPAK
0
现货
查看交期
6,000 : ¥1.35984
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
3.2A(Tc)
10V
2.6 欧姆 @ 2A,10V
4V @ 250µA
25 nC @ 10 V
±30V
581 pF @ 25 V
-
54W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-251
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
TO-252AA
FQD4N20LTM
MOSFET N-CH 200V 3.2A DPAK
onsemi
0
现货
2,500 : ¥2.46956
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
3.2A(Tc)
5V,10V
1.35 欧姆 @ 1.6A,10V
2V @ 250µA
5.2 nC @ 5 V
±20V
310 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),30W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-252AA
FQD4N20LTF
MOSFET N-CH 200V 3.2A DPAK
onsemi
0
现货
2,000 : ¥2.84768
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
3.2A(Tc)
5V,10V
1.35 欧姆 @ 1.6A,10V
2V @ 250µA
5.2 nC @ 5 V
±20V
310 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),30W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-220-3
SPP03N60S5HKSA1
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO220-3
Infineon Technologies
0
现货
500 : ¥5.80948
管件
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
3.2A(Tc)
10V
1.4 欧姆 @ 2A,10V
5.5V @ 135µA
16 nC @ 10 V
±20V
420 pF @ 25 V
-
38W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO220-3-1
TO-220-3
TO-220-3
SPP03N60C3HKSA1
MOSFET N-CH 650V 3.2A TO220-3
Infineon Technologies
0
现货
500 : ¥5.97318
管件
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
3.2A(Tc)
10V
1.4 欧姆 @ 2A,10V
3.9V @ 135µA
17 nC @ 10 V
±20V
400 pF @ 25 V
-
38W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO220-3-1
TO-220-3
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
SPB03N60S5ATMA1
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO263-3
Infineon Technologies
0
现货
1 : ¥10.75000
剪切带(CT)
1,000 : ¥4.73242
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
3.2A(Tc)
10V
1.4 欧姆 @ 2A,10V
5.5V @ 135µA
16 nC @ 10 V
±20V
420 pF @ 25 V
-
38W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3-2
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO252-3
SPD03N50C3BTMA1
MOSFET N-CH 560V 3.2A TO252-3
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
560 V
3.2A(Tc)
10V
1.4 欧姆 @ 2A,10V
3.9V @ 135µA
15 nC @ 10 V
±20V
350 pF @ 25 V
-
38W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3-11
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
SPD03N60C3BTMA1
MOSFET N-CH 650V 3.2A DPAK
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
3.2A(Tc)
10V
1.4 欧姆 @ 2A,10V
3.9V @ 135µA
17 nC @ 10 V
±20V
400 pF @ 25 V
-
38W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3-11
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-220-3
FQP3N30
MOSFET N-CH 300V 3.2A TO220-3
onsemi
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
300 V
3.2A(Tc)
10V
2.2 欧姆 @ 1.6A,10V
5V @ 250µA
7 nC @ 10 V
±30V
230 pF @ 25 V
-
55W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3
PG-TO251-3
SPU03N60S5BKMA1
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO251-3
Infineon Technologies
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
3.2A(Tc)
10V
1.4 欧姆 @ 2A,10V
5.5V @ 135µA
16 nC @ 10 V
±20V
420 pF @ 25 V
-
38W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO251-3-21
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
显示
/ 32

3.2A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。