单 FET，MOSFET

结果 : 140
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）散装管件
产品状态
不适用于新设计停产在售
漏源电压（Vdss）
30 V40 V60 V75 V80 V100 V120 V150 V200 V250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.5A（Ta）5.6A（Ta）6A（Ta）7A（Ta）7.2A（Ta）9A（Ta）9.4A（Tc）9.6A（Tc）10A（Ta）11A（Ta）11A（Tc）13A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，10V4.5V，10V6V，10V6.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
0.85 毫欧 @ 50A，10V0.9 毫欧 @ 100A，10V0.9 毫欧 @ 30A，10V0.9 毫欧 @ 50A，10V1.4 毫欧 @ 30A，10V2.1mOhm @ 55A，10V2.3 毫欧 @ 30A，10V2.3 毫欧 @ 50A，10V2.4 毫欧 @ 80A，10V2.5 毫欧 @ 50A，10V2.6 毫欧 @ 50A，10V2.7 毫欧 @ 22.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.3V @ 100µA2.3V @ 1mA2.3V @ 200µA2.3V @ 300µA2.3V @ 500µA2.5V @ 100µA2.5V @ 1mA2.5V @ 200µA2.5V @ 300µA2.5V @ 500µA3V @ 1mA3.5V @ 1mA3.5V @ 500µA4V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.2 nC @ 4.5 V7 nC @ 10 V7.1 nC @ 10 V7.5 nC @ 10 V9.3 nC @ 10 V9.8 nC @ 10 V9.8 nC @ 4.5 V10 nC @ 10 V10.6 nC @ 10 V11 nC @ 10 V11.2 nC @ 10 V12 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
430 pF @ 15 V470 pF @ 10 V550 pF @ 10 V600 pF @ 100 V600 pF @ 75 V610 pF @ 10 V660 pF @ 15 V710 pF @ 30 V820 pF @ 15 V850 pF @ 10 V855 pF @ 10 V880 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
700mW（Ta），18W（Tc）700mW（Ta），19W（Tc）700mW（Ta），22W（Tc）700mW（Ta），27W（Tc）700mW（Ta），30W（Tc）700mW（Ta），32W（Tc）700mW（Ta），34W（Tc）700mW（Ta），39W（Tc）700mW（Ta），42W（Tc）800mW（Ta）800mW（Ta），142W（Tc）800mW（Ta），170W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）150°C150°C（TJ）175°C175°C（TJ）
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
6-TSOP-F6-UDFNB（2x2）8-DSOP Advance8-SOP8-SOP Advance（5x5.75）8-SOP Advance（5x5）8-TSON Advance-WF（3.1x3.1）8-TSON Advance（3.1x3.1）8-TSON Advance（3.3x3.3）D2PAKDPAK+SOT-23FTO-220TO-220-3
封装/外壳
3-SMD，扁平引线6-SMD，扁平引线6-WDFN 裸露焊盘8-PowerTDFN8-PowerVDFN8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）SOT-23-3 扁平引线TO-220-3TO-220-3 整包TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
140结果
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/ 140
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
43,489
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.15106
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
6A（Ta）
4V，10V
36 毫欧 @ 5A，10V
2.5V @ 100µA
9.3 nC @ 10 V
±20V
550 pF @ 10 V
-
1.2W（Ta）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
26,818
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.15106
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
3.5A（Ta）
4.5V，10V
69 毫欧 @ 2A，10V
2.5V @ 100µA
3.2 nC @ 4.5 V
±20V
430 pF @ 15 V
-
1.25W（Ta）
150°C
-
-
表面贴装型
6-UDFNB（2x2）
6-WDFN 裸露焊盘
92,705
现货
1 : ¥3.86000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.30534
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
3.5A（Ta）
4.5V，10V
69 毫欧 @ 2A，10V
2.5V @ 100µA
3.2 nC @ 4.5 V
±20V
430 pF @ 15 V
-
1.2W（Ta）
175°C
-
-
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
AECQ MOSFET NCH 100V 3.5A SOT23F
SSM3K361R,LXHF
AECQ MOSFET NCH 100V 3.5A SOT23F
Toshiba Semiconductor and Storage
10,226
现货
1 : ¥4.93000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.85723
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
3.5A（Ta）
4.5V，10V
69 毫欧 @ 2A，10V
2.5V @ 100µA
3.2 nC @ 4.5 V
±20V
430 pF @ 15 V
-
1.2W（Ta）
175°C
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
33,856
现货
1 : ¥6.16000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.33873
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
17A（Tc）
4.5V，10V
11.4 毫欧 @ 8.5A，10V
2.5V @ 200µA
23 nC @ 10 V
±20V
2000 pF @ 30 V
-
1.6W（Ta），34W（Tc）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOP Advance（5x5）
8-PowerVDFN
8,080
现货
1 : ¥6.90000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.84424
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
19A（Ta）
4.5V，10V
6.2 毫欧 @ 9A，10V
2.3V @ 200µA
17 nC @ 10 V
±20V
1400 pF @ 15 V
-
1W（Tc）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOP
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
13,215
现货
1 : ¥9.69000
剪切带（CT）
5,000 : ¥3.81743
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
18A（Ta）
10V
33 毫欧 @ 9A，10V
4V @ 300µA
10.6 nC @ 10 V
±20V
1100 pF @ 75 V
-
1.6W（Ta），57W（Tc）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOP Advance（5x5）
8-PowerVDFN
121,381
现货
1 : ¥11.66000
剪切带（CT）
5,000 : ¥4.60183
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
75 V
150A（Tc）
10V
2.6 毫欧 @ 50A，10V
4V @ 1mA
72 nC @ 10 V
±20V
6000 pF @ 37.5 V
-
142W（Tc）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOP Advance（5x5）
8-PowerVDFN
22,597
现货
1 : ¥13.22000
剪切带（CT）
5,000 : ¥5.74618
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
13A（Ta）
10V
64 毫欧 @ 6.5A，10V
4V @ 300µA
11.2 nC @ 10 V
±20V
1100 pF @ 100 V
-
1.6W（Ta），57W（Tc）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOP Advance（5x5）
8-PowerVDFN
12,413
现货
1 : ¥15.11000
剪切带（CT）
5,000 : ¥6.57001
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
38A（Tc）
10V
15.4mOhm @ 19A，10V
4V @ 1mA
22 nC @ 10 V
±20V
2200 pF @ 75 V
-
1.6W（Ta），78W（Tc）
150°C
-
-
表面贴装型
8-SOP Advance（5x5）
8-PowerVDFN
8,694
现货
1 : ¥16.58000
剪切带（CT）
5,000 : ¥7.20846
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
110A（Ta）
-
2.1mOhm @ 55A，10V
2.5V @ 1mA
104 nC @ 10 V
±20V
6900 pF @ 10 V
-
960mW（Ta），170W（Tc）
175°C
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-SOP Advance（5x5）
8-PowerVDFN
8-DSOP Advance
TPW2R508NH,L1Q
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DOS
Toshiba Semiconductor and Storage
1,565
现货
1 : ¥18.96000
剪切带（CT）
5,000 : ¥8.23824
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
75 V
150A（Ta）
10V
2.5 毫欧 @ 50A，10V
4V @ 1mA
72 nC @ 10 V
±20V
6000 pF @ 37.5 V
-
800mW（Ta），142W（Tc）
150°C
-
-
表面贴装型
8-DSOP Advance
8-PowerVDFN
17,097
现货
1 : ¥19.78000
剪切带（CT）
5,000 : ¥8.58837
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
33A（Ta）
10V
29 毫欧 @ 16.5A，10V
4V @ 1mA
22 nC @ 10 V
±20V
2200 pF @ 100 V
-
78W（Tc）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOP Advance（5x5）
8-PowerVDFN
8,751
现货
1 : ¥21.43000
剪切带（CT）
5,000 : ¥9.28861
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
92A（Tc）
10V
4.5 毫欧 @ 46A，10V
4V @ 1mA
58 nC @ 10 V
±20V
5200 pF @ 50 V
-
800mW（Ta），142W（Tc）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-DSOP Advance
8-PowerVDFN
14,424
现货
1 : ¥22.41000
剪切带（CT）
5,000 : ¥9.72113
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
250 V
26A（Tc）
10V
52 毫欧 @ 13A，10V
4V @ 1mA
22 nC @ 10 V
±20V
2200 pF @ 100 V
-
78W（Tc）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOP Advance（5x5）
8-PowerVDFN
8-DSOP Advance
TPW2900ENH,L1Q
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO
Toshiba Semiconductor and Storage
4,998
现货
1 : ¥22.82000
剪切带（CT）
5,000 : ¥9.91679
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
33A（Tc）
10V
29 毫欧 @ 16.5A，10V
4V @ 1mA
22 nC @ 10 V
±20V
2200 pF @ 100 V
-
800mW（Ta），142W（Tc）
150°C
-
-
表面贴装型
8-DSOP Advance
8-PowerVDFN
6,188
现货
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.12733
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
6A（Ta）
4V，10V
36 毫欧 @ 4A，10V
2.5V @ 100µA
9.3 nC @ 10 V
±20V
550 pF @ 10 V
-
1.8W（Ta）
175°C
-
-
表面贴装型
UFM
3-SMD，扁平引线
18,688
现货
1 : ¥3.53000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.18666
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
6A（Ta）
4V，10V
36 毫欧 @ 4A，10V
2.5V @ 100µA
9.3 nC @ 10 V
±20V
550 pF @ 10 V
-
2.5W（Ta）
150°C
-
-
表面贴装型
6-UDFNB（2x2）
6-WDFN 裸露焊盘
8,681
现货
1 : ¥3.53000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.19854
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
3.5A（Ta）
4.5V，10V
69 毫欧 @ 2A，10V
2.5V @ 100µA
3.2 nC @ 4.5 V
±20V
430 pF @ 15 V
-
1W（Ta）
175°C
-
-
表面贴装型
UFM
3-SMD，扁平引线
29,518
现货
1 : ¥4.60000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.75404
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
6A（Ta）
4V，10V
36 毫欧 @ 5A，10V
2.5V @ 100µA
9.3 nC @ 10 V
±20V
550 pF @ 10 V
-
1.2W（Ta）
175°C
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
5,505
现货
1 : ¥5.66000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.14384
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
20A（Tc）
4.5V，10V
8.9 毫欧 @ 10A，10V
2.3V @ 100µA
9.8 nC @ 4.5 V
±20V
820 pF @ 15 V
-
700mW（Ta），22W（Tc）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-TSON Advance（3.1x3.1）
8-PowerVDFN
18,890
现货
1 : ¥6.73000
剪切带（CT）
5,000 : ¥2.65651
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
17A（Tc）
10V
16 毫欧 @ 8.5A，10V
4V @ 200µA
19 nC @ 10 V
±20V
1600 pF @ 50 V
-
700mW（Ta），42W（Tc）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-TSON Advance（3.1x3.1）
8-PowerVDFN
1,275
现货
1 : ¥7.22000
剪切带（CT）
2,000 : ¥2.74000
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
11A（Ta）
4.5V，10V
28 毫欧 @ 5.5A，10V
2.5V @ 100µA
15 nC @ 10 V
±20V
850 pF @ 10 V
-
65W（Tc）
175°C
-
-
表面贴装型
DPAK+
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
4,122
现货
1 : ¥7.39000
剪切带（CT）
5,000 : ¥3.96101
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
9A（Ta）
10V
59 毫欧 @ 4.5A，10V
4V @ 200µA
7 nC @ 10 V
±20V
600 pF @ 75 V
-
700mW（Ta），39W（Tc）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-TSON Advance（3.1x3.1）
8-PowerVDFN
3,838
现货
1 : ¥7.47000
剪切带（CT）
2,000 : ¥3.07485
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
11A（Ta）
4.5V，10V
28 毫欧 @ 5.5A，10V
2.5V @ 100µA
15 nC @ 10 V
±20V
850 pF @ 10 V
-
65W（Tc）
175°C
-
-
表面贴装型
DPAK+
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
/ 140

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。