单 FET,MOSFET

结果 : 248
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
Digi-Key 停止提供停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
20 V25 V30 V40 V45 V60 V70 V80 V100 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.1A(Ta),3A(Tc)2.6A(Tc)5.2A(Ta),14.2A(Tc)5.4A(Ta),12A(Tc)5.6A(Ta),7.5A(Tc)6.1A(Ta),7.5A(Tc)6.4A(Ta),8A(Tc)6.6A(Ta),12A(Tc)6.7A(Ta),16A(Tc)6.8A(Ta),20A(Tc)7.2A(Ta),23.5A(Tc)7.4A(Ta),46A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,10V3.3V,4.5V4.5V,10V6V,10V7.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
0.4 毫欧 @ 30A,10V0.52 毫欧 @ 20A,10V0.53 毫欧 @ 20A,10V0.58 毫欧 @ 20A,10V0.62 毫欧 @ 20A,10V0.67 毫欧 @ 20A,10V0.76 毫欧 @ 15A,10V0.8 毫欧 @ 20A,10V0.88 毫欧 @ 20A,10V0.9 毫欧 @ 20A,10V0.92 欧姆 @ 10A,10V0.92mOhm @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250µA1.6V @ 250µA2V @ 250µA2.1V @ 250µA2.2V @ 1mA2.2V @ 250µA2.3V @ 250µA2.4V @ 250µA2.5V @ 250µA2.6V @ 250µA2.8V @ 250µA3V @ 250µA3.3V @ 250µA3.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
4 nC @ 10 V10.2 nC @ 10 V12 nC @ 4.5 V12.5 nC @ 4.5 V13 nC @ 10 V13.5 nC @ 10 V14 nC @ 10 V14.5 nC @ 10 V15 nC @ 4.5 V16 nC @ 4.5 V17 nC @ 10 V18 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
+12V,-8V±12V+16V,-12V+16V,-20V+20V,-16V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
105 pF @ 30 V395 pF @ 40 V540 pF @ 30 V545 pF @ 40 V550 pF @ 50 V580 pF @ 15 V582 pF @ 15 V680 pF @ 15 V740 pF @ 30 V745 pF @ 15 V790 pF @ 30 V905 pF @ 30 V
FET 功能
-肖特基二极管(体)
功率耗散(最大值)
1.3W(Ta),2.5W(Tc)1.6W(Tc)2W(Ta),3W(Tc)2.3W(Ta),4.8W(Tc)2.5W(Ta),4.5W(Tc)3.1W(Ta),5.6W(Tc)3.2W(Ta), 36.8W(Tc)3.2W(Ta),19.8W(Tc)3.2W(Ta),24W(Tc)3.2W(Ta),83.3W(Tc)3.3W(Ta), 27.1W(Tc)3.3W(Ta),333W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
表面贴装,可润湿侧翼表面贴装型
供应商器件封装
6-TSOP8-SO8-SOICPowerPAK® 1212-8PowerPAK® 1212-8PTPowerPAK® 1212-8SPowerPAK® 1212-8SHPowerPAK® 1212-8SLWPowerPAK® 1212-8WPowerPAK® 8 x 8PowerPAK® SC-70-6PowerPAK® SC-70-6 单PowerPAK® SO-8PowerPAK® SO-8DC
封装/外壳
8-PowerSMD,鸥翼8-PowerWDFN8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)PowerPAK® 1212-8PowerPAK® 1212-8SPowerPAK® 1212-8SHPowerPAK® 1212-8SLWPowerPAK® 1212-8WPowerPAK® 8 x 8PowerPAK® SC-70-6PowerPAK® SO-8SOT-23-6 细型,TSOT-23-6TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
248结果
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/ 248
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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPAK 1212-8
SIS110DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 5.2A/14.2A PPAK
Vishay Siliconix
11,108
现货
1 : ¥5.25000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.99456
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
5.2A(Ta),14.2A(Tc)
7.5V,10V
54 毫欧 @ 4A,10V
4V @ 250µA
13 nC @ 10 V
±20V
550 pF @ 50 V
-
3.2W(Ta),24W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK 1212-8S
SISS50DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 45V 29.7A/108A PPAK
Vishay Siliconix
11,945
现货
1 : ¥6.98000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.87264
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
45 V
29.7A(Ta),108A(Tc)
4.5V,10V
2.83毫欧 @ 15A,10V
2.3V @ 250µA
70 nC @ 10 V
+20V,-16V
4000 pF @ 20 V
-
5W(Ta),65.7W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8S
PowerPAK® 1212-8S
PowerPAK 1212-8
SIS176LDN-T1-GE3
N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET POWE
Vishay Siliconix
18,688
现货
1 : ¥7.39000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.05714
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
70 V
12.9A(Ta),42.3A(Tc)
3.3V,4.5V
10.9 毫欧 @ 10A,4.5V
1.6V @ 250µA
19 nC @ 4.5 V
±12V
1660 pF @ 35 V
-
3.6W(Ta),39W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK 1212-8S
SISS10ADN-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 31.7A/109A PPAK
Vishay Siliconix
29,629
现货
1 : ¥7.64000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.15109
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
31.7A(Ta),109A(Tc)
4.5V,10V
2.65 毫欧 @ 15A,10V
2.4V @ 250µA
61 nC @ 10 V
+20V,-16V
3030 pF @ 20 V
-
4.8W(Ta),56.8W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8S
PowerPAK® 1212-8S
PowerPAK 1212-8
SIS862ADN-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 15.8A/52A PPAK
Vishay Siliconix
11,936
现货
1 : ¥7.64000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.91267
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
15.8A(Ta),52A(Tc)
4.5V,10V
7,2 毫欧 @ 10A,10V
2.5V @ 250µA
30 nC @ 10 V
±20V
1235 pF @ 30 V
-
3.6W(Ta),39W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK 1212-8
SISA24DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
5,040
现货
1 : ¥7.64000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.89494
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
25 V
60A(Tc)
4.5V,10V
1.4 毫欧 @ 15A,10V
2.1V @ 250µA
26 nC @ 4.5 V
+20V,-16V
2650 pF @ 10 V
-
52W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK SO-8 Single
SIR186LDP-T1-RE3
N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE
Vishay Siliconix
9,846
现货
1 : ¥7.96000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.28239
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
23.8A(Ta),80.3A(Tc)
4.5V,10V
4.4 毫欧 @ 15A,10V
2.5V @ 250µA
48 nC @ 10 V
±20V
1980 pF @ 30 V
-
5W(Ta),57W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK 1212-8S
SISS06DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 47.6/172.6A PPAK
Vishay Siliconix
9,650
现货
1 : ¥9.03000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.73511
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
47,6A(Ta),172,6A(Tc)
4.5V,10V
1,38 毫欧 @ 15A,10V
2.2V @ 250µA
77 nC @ 10 V
+20V,-16V
3660 pF @ 15 V
-
5W(Ta),65.7W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8S
PowerPAK® 1212-8S
8-SOIC
SI4459BDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 20.5A/27.8A 8SO
Vishay Siliconix
13,640
现货
1 : ¥9.28000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.84830
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
20.5A(Ta),27.8A(Tc)
4.5V,10V
4.9 毫欧 @ 15A,10V
2.2V @ 250µA
84 nC @ 10 V
+20V,-16V
3490 pF @ 15 V
-
3.1W(Ta),5.6W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
PowerPak SO-8L
SIRA58ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 40V 32.3A/109A PPAK
Vishay Siliconix
16,560
现货
1 : ¥9.44000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.89698
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
32.3A(Ta),109A(Tc)
4.5V,10V
2.65 毫欧 @ 15A,10V
2.4V @ 250µA
61 nC @ 10 V
+20V,-16V
3030 pF @ 20 V
-
5W(Ta),56.8W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK-1212-8SH_Bottom
SISS32LDN-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 17.4A/63A PPAK
Vishay Siliconix
23,615
现货
1 : ¥9.52000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.93885
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
17,4A(Ta),63A(Tc)
4.5V,10V
7.2 毫欧 @ 15A,10V
2.5V @ 250µA
57 nC @ 10 V
±20V
2550 pF @ 40 V
-
5W(Ta),65.7W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8SH
PowerPAK® 1212-8SH
PowerPAK 1212-8S
SISS22LDN-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 25.5A/92.5A PPAK
Vishay Siliconix
14,380
现货
1 : ¥9.52000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.93885
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
25.5A(Ta),92.5A(Tc)
4.5V,10V
3.65 毫欧 @ 15A,10V
2.5V @ 250µA
56 nC @ 10 V
±20V
2540 pF @ 30 V
-
5W(Ta),65.7W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8S
PowerPAK® 1212-8S
PowerPAK SO-8
SIR184DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 60V 20.7A/73A PPAK
Vishay Siliconix
29,299
现货
1 : ¥9.85000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.07467
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
20.7A(Ta),73A(Tc)
7.5V,10V
5.8 毫欧 @ 10A,10V
3.4V @ 250µA
32 nC @ 10 V
±20V
1490 pF @ 30 V
-
5W(Ta),62.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8 Pkg
SIRC16DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
762
现货
1 : ¥9.93000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.12560
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
25 V
60A(Tc)
4.5V,10V
0.96 毫欧 @ 15A,10V
2.4V @ 250µA
48 nC @ 4.5 V
+20V,-16V
5150 pF @ 10 V
-
54.3W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK 1212-8S
SISS32DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 17.4A/63A PPAK
Vishay Siliconix
15,543
现货
1 : ¥10.26000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.24445
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
17,4A(Ta),63A(Tc)
7.5V,10V
7,2 毫欧 @ 10A,10V
3.8V @ 250µA
42 nC @ 10 V
±20V
1930 pF @ 40 V
-
5W(Ta),65.7W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8S
PowerPAK® 1212-8S
PowerPAK SO-8
SIR606BDP-T1-RE3
MOSFET N-CH 100V 10.9A PPAK
Vishay Siliconix
22,123
现货
1 : ¥11.49000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.75379
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
10.9A(Ta),38.7A(Tc)
7.5V,10V
17.4 毫欧 @ 10A,10V
4V @ 250µA
30 nC @ 10 V
±20V
1470 pF @ 50 V
-
5W(Ta),62.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK 1212-8
SIS606BDN-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 9.4A/35.3A PPAK
Vishay Siliconix
8,490
现货
1 : ¥11.74000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.86698
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
9.4A(Ta),35.3A(Tc)
7.5V,10V
17.4 毫欧 @ 10A,10V
4V @ 250µA
30 nC @ 10 V
±20V
1470 pF @ 50 V
-
3.7W(Ta),52W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK 1212-8S
SISS22DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 25A/90.6A PPAK
Vishay Siliconix
8,647
现货
1 : ¥12.23000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.51416
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
25A(Ta),90.6A(Tc)
7.5V,10V
4 毫欧 @ 15A,10V
3.6V @ 250µA
44 nC @ 10 V
±20V
1870 pF @ 30 V
-
5W(Ta),65.7W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8S
PowerPAK® 1212-8S
PowerPak SO-8L
SIJ188DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 25.5A/92.4A PPAK
Vishay Siliconix
9,281
现货
1 : ¥12.31000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.09335
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
25,5A(Ta),92,4A(Tc)
7.5V,10V
3.85 毫欧 @ 10A,10V
3.6V @ 250µA
44 nC @ 10 V
±20V
1920 pF @ 30 V
-
5W(Ta),65.7W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8
SIRA80DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
15,396
现货
1 : ¥12.56000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.65753
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
100A(Tc)
4.5V,10V
0.62 毫欧 @ 20A,10V
2.2V @ 250µA
188 nC @ 10 V
+20V,-16V
9530 pF @ 15 V
-
104W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
MOSFET N-CH 40V 330A PPAK SO-8
SQJ138EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 330A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
28,764
现货
1 : ¥12.97000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.36272
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
330A(Tc)
10V
1.8 毫欧 @ 15A,10V
3.5V @ 250µA
81 nC @ 10 V
±20V
4715 pF @ 25 V
-
312W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPak SO-8L
SIJ438ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 45.3A/169A PPAK
Vishay Siliconix
4,752
现货
1 : ¥12.97000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.37517
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
45.3A(Ta),169A(Tc)
4.5V,10V
1.35 毫欧 @ 20A,10V
2.4V @ 250µA
162 nC @ 10 V
+20V,-16V
7800 pF @ 20 V
-
5W(Ta),69.4W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8
SIR182DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
16,484
现货
1 : ¥13.14000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.91119
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
60A(Tc)
7.5V,10V
2.8 毫欧 @ 15A,10V
3.6V @ 250µA
64 nC @ 10 V
±20V
3250 pF @ 30 V
-
69.4W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK 1212-8S
SISS26DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK1212-8S
Vishay Siliconix
12,677
现货
1 : ¥13.30000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.50081
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
60A(Tc)
6V,10V
4.5 毫欧 @ 15A,10V
3.6V @ 250µA
37 nC @ 10 V
±20V
1710 pF @ 30 V
-
57W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8S
PowerPAK® 1212-8S
PowerPAK SO-8
SIR878BDP-T1-RE3
MOSFET N-CH 100V 12A/42.5A PPAK
Vishay Siliconix
11,340
现货
1 : ¥13.38000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.54610
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
12A(Ta),42.5A(Tc)
7.5V,10V
14.4 毫欧 @ 15A,10V
3.4V @ 250µA
38 nC @ 10 V
±20V
1850 pF @ 50 V
-
5W(Ta),62.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。