单 FET,MOSFET

结果 : 100
系列
-XP10N3R5XP10N3R8XP10NA1R5XP10NA8R4XP10P500XP10TN028XP10TN135XP1504XP2301XP2302XP2306
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
20 V30 V40 V45 V60 V80 V100 V150 V500 V600 V650 V700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
51mA(Ta)53mA(Ta)200mA(Ta)500mA(Ta)1.2A(Ta)1.6A(Ta)2.1A(Ta),3A(Tc)2.5A(Ta)2.6A(Ta)3A(Ta)3.2A(Ta)3.2A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.2V,2.5V1.8V,4.5V2.5V,10V2.5V,4.5V2.5V,4V2.8V,5V4.5V4.5V,10V5V,10V6V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
0.95 毫欧 @ 20A,10V1.05 毫欧 @ 20A,10V1.2 毫欧 @ 100A,10V1.4 毫欧 @ 20A,10V1.45 毫欧 @ 20A,10V1.5 毫欧 @ 100A,10V1.7 毫欧 @ 20A,10V1.89 毫欧 @ 20A,10V2.1 毫欧 @ 20A,10V2.2 毫欧 @ 20A,10V2.25 毫欧 @ 20A,10V2.4 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 1mA1V @ 250µA1.2V @ 250µA1.25V @ 250µA1.3V @ 250µA1.5V @ 250µA2V @ 250µA2.2V @ 250µA2.3V @ 250µA2.5V @ 250µA2.6V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 250µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.7 nC @ 2.5 V1.8 nC @ 4.5 V3.2 nC @ 10 V3.7 nC @ 10 V4 nC @ 10 V4.4 nC @ 4.5 V7 nC @ 4.5 V8 nC @ 4.5 V8.5 nC @ 4.5 V8.7 nC @ 4.5 V8.8 nC @ 4.5 V9 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
±8V±12V±16V±20V±25V±30V±32V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
44 pF @ 10 V48 pF @ 25 V64 pF @ 100 V64 pF @ 25 V80 pF @ 100 V145 pF @ 10 V270 pF @ 20 V370 pF @ 20 V560 pF @ 20 V570 pF @ 20 V603 pF @ 15 V608 pF @ 100 V
功率耗散(最大值)
150mW(Ta)500mW(Ta)700mW(Ta)830mW(Ta)833mW(Ta)1.13W(Ta),50W(Tc)1.25W(Ta)1.38W(Ta)1.92W(Ta),31.3W(Tc)1.92W(Ta),32.8W(Tc)1.92W(Ta),32.9W(Tc)1.92W(Ta),32W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-SOPMPAK® 3 x 3PMPAK® 5 x 6SOT-223SOT-23SOT-26SOT-723SOT-89TO-220TO-220CFMTO-251STO-252TO-262TOLL
封装/外壳
8-PowerDFN8-PowerLDFN8-PowerSFN8-SOICSOT-23-6SOT-723TO-220-3TO-220-3 整包TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-243AATO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AATO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-261-4,TO-261AATO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
100结果

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/ 100
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
XP3832CMT
XP3N9R5AMT
MOSFET N-CH 30V 18A 38.7A PMPAK
YAGEO XSEMI
998
现货
1 : ¥8.37000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.47909
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
18A(Ta),38.7A(Tc)
4.5V,10V
9.5 毫欧 @ 9.5A,10V
3V @ 250µA
28.8 nC @ 10 V
±20V
1280 pF @ 15 V
-
5W(Ta),22.7W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PMPAK® 5 x 6
8-PowerLDFN
XP3P050AM
XP3P7R0EM
MOSFET P-CH 30V 15.5A 8SO
YAGEO XSEMI
1,000
现货
1 : ¥8.84000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.65627
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
15.5A(Ta)
4.5V,10V
7 毫欧 @ 17A,10V
2V @ 250µA
52.8 nC @ 4.5 V
±25V
6880 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SO
8-SOIC
XP3P050AM
XP3P020M
MOSFET P-CH 30V 9.3A 8SO
YAGEO XSEMI
998
现货
1 : ¥8.54000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.53117
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
9.3A(Ta)
4.5V,10V
20 毫欧 @ 9A,10V
3V @ 250µA
19.2 nC @ 4.5 V
±20V
2080 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SO
8-SOIC
XP3P050AM
XP4459M
MOSFET P-CH 30V 11.3A 8SO
YAGEO XSEMI
1,000
现货
1 : ¥9.18000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.79689
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
11.3A(Ta)
4.5V,10V
13.5 毫欧 @ 10A,10V
3V @ 250µA
64 nC @ 10 V
±20V
3360 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SO
8-SOIC
XP10TN135K
XP10TN135K
MOSFET N-CH 100V 3A SOT223
YAGEO XSEMI
970
现货
1 : ¥9.44000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.89219
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
3A(Ta)
4.5V,10V
135 毫欧 @ 3A,10V
3V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
980 pF @ 25 V
-
2.78W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
XP6NA3R0H
XP3N9R5AH
MOSFET N-CH 30V 38.5A TO252
YAGEO XSEMI
994
现货
1 : ¥9.52000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.95217
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
38.5A(Ta)
4.5V,10V
9.5 毫欧 @ 20A,10V
3V @ 250µA
14.4 nC @ 4.5 V
±20V
1280 pF @ 15 V
-
2W(Ta),22.7W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-252
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
XP3P055N
XP6P250N
MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23
YAGEO XSEMI
1,000
现货
1 : ¥10.18000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.21700
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
1.6A(Ta)
4.5V,10V
250 毫欧 @ 1.6A,10V
3V @ 250µA
8 nC @ 4.5 V
±20V
720 pF @ 25 V
-
1.25W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
XP3P050AM
XP9565GEM
MOSFET P-CH 40V 6.5A 8SO
YAGEO XSEMI
1,000
现货
1 : ¥10.63000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.39453
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
6.5A(Ta)
4.5V,10V
38 毫欧 @ 6A,10V
2.5V @ 250µA
20 nC @ 4.5 V
±16V
1570 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SO
8-SOIC
XP3832CMT
XP3NA7R2MT
FET N-CH 30V 20.4A 43.5A PMPAK
YAGEO XSEMI
1,000
现货
1 : ¥10.71000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.42383
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
20.4A(Ta),43.5A(Tc)
4.5V,10V
7.2 毫欧 @ 9.5A,10V
2.5V @ 250µA
38.4 nC @ 10 V
±20V
1600 pF @ 15 V
-
5W(Ta),22.7W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PMPAK® 5 x 6
8-PowerLDFN
XP1504YT
XP3N5R0AYT
MOSFET N-CH 30V 20A 63.5A PMPAK
YAGEO XSEMI
1,000
现货
1 : ¥10.92000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.50677
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
20A(Ta),63.5A(Tc)
4.5V,10V
5 毫欧 @ 19A,10V
2.3V @ 250µA
64 nC @ 10 V
±20V
2800 pF @ 15 V
-
3.12W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PMPAK® 3 x 3
8-PowerDFN
XP3832CMT
XP3N1R8MT
FET N-CH 30V 40.6A 165A PMPAK
YAGEO XSEMI
985
现货
1 : ¥11.16000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.61768
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
40.6A(Ta),165A(Tc)
4.5V,10V
1.89 毫欧 @ 20A,10V
3V @ 250µA
60 nC @ 4.5 V
±20V
4850 pF @ 25 V
-
5W(Ta),83.3W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PMPAK® 5 x 6
8-PowerLDFN
XP1504YT
XP4459YT
MOSFET P-CH 30V 12.7A PMPAK
YAGEO XSEMI
995
现货
1 : ¥11.74000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.84176
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
12.7A(Ta)
4.5V,10V
13.5 毫欧 @ 10A,10V
3V @ 250µA
64 nC @ 10 V
±20V
3360 pF @ 15 V
-
3.13W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PMPAK® 3 x 3
8-PowerDFN
XP60PN72REN
XP10P500N
MOSFET P-CH 100V 1.2A SOT23
YAGEO XSEMI
991
现货
1 : ¥12.56000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.19036
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
1.2A(Ta)
4.5V,10V
500 毫欧 @ 1A,10V
3V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±20V
670 pF @ 50 V
-
1.38W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
XP3832CMT
XP4024GEMT
MOSFET N-CH 30V 26.1A 60A PMPAK
YAGEO XSEMI
1,000
现货
1 : ¥12.64000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.70347
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
26.1A(Ta),60A(Tc)
4.5V,10V
4.5 毫欧 @ 20A,10V
2.5V @ 250µA
24 nC @ 4.5 V
±20V
2400 pF @ 15 V
-
5W(Ta),36.7W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PMPAK® 5 x 6
8-PowerLDFN
XP3832CMT
XP3NA3R4MT
MOSFET N-CH 30V 29.2A 73A PMPAK
YAGEO XSEMI
1,000
现货
1 : ¥13.18000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.93522
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
29.2A(Ta),73A(Tc)
4.5V,10V
3.4 毫欧 @ 19A,10V
2.3V @ 250µA
36.8 nC @ 4.5 V
±20V
3360 pF @ 15 V
-
5W(Ta),31.25W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PMPAK® 5 x 6
8-PowerLDFN
XP6NA3R0H
XP3N5R0H
MOSFET N-CH 30V 62A TO252
YAGEO XSEMI
998
现货
1 : ¥12.81000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.28994
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
62A(Tc)
4.5V,10V
5 毫欧 @ 4A,10V
3V @ 250µA
36 nC @ 4.5 V
±20V
3200 pF @ 15 V
-
2W(Ta),31.25W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-252
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
XP3832CMT
XP3N5R0AMT
MOSFET N-CH 30V 25A 63.5A PMPAK
YAGEO XSEMI
1,000
现货
1 : ¥12.89000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.31599
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
25A(Ta),63.5A(Tc)
4.5V,10V
5 毫欧 @ 19A,10V
2.3V @ 250µA
64 nC @ 10 V
±20V
2800 pF @ 15 V
-
5W(Ta),31.2W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PMPAK® 5 x 6
8-PowerLDFN
XP9575GH
XP10TN135H
MOSFET N-CH 100V 8.1A TO252
YAGEO XSEMI
1,000
现货
1 : ¥13.43000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.54064
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
8.1A(Tc)
4.5V,10V
135 毫欧 @ 5A,10V
3V @ 250µA
17.6 nC @ 10 V
±20V
928 pF @ 50 V
-
2W(Ta),20.8W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-252
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
XP6NA3R0H
XP50AN1K5H
MOSFET N-CH 500V 5A TO252
YAGEO XSEMI
1,000
现货
1 : ¥13.52000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.57697
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
5A(Tc)
10V
1.5 欧姆 @ 2.5A,10V
4V @ 250µA
24.6 nC @ 10 V
±30V
800 pF @ 100 V
-
2W(Ta),50W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-252
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
XP6NA3R0H
XP9561GH
MOSFET P-CH 40V 45A TO252
YAGEO XSEMI
1,000
现货
1 : ¥13.60000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.62502
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
45A(Tc)
4.5V,10V
16 毫欧 @ 30A,10V
3V @ 250µA
40 nC @ 4.5 V
±20V
2720 pF @ 25 V
-
54.3W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-252
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
MOSFET N-CH 30V 75A TO251S
XP83T03GJB
MOSFET N-CH 30V 75A TO251S
YAGEO XSEMI
980
现货
1 : ¥13.22000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
75A(Tc)
4.5V,10V
6 毫欧 @ 40A,10V
3V @ 250µA
34 nC @ 4.5 V
±20V
1840 pF @ 25 V
-
60W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-251S
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
XP3832CMT
XP4062CMT
MOSFET N-CH 30V 26A 58A PMPAK
YAGEO XSEMI
1,000
现货
1 : ¥13.30000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.50273
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
26A(Ta),58A(Tc)
4.5V,10V
4.5 毫欧 @ 20A,10V
3V @ 250µA
30.4 nC @ 10 V
±20V
1488 pF @ 25 V
-
5W(Ta),25W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PMPAK® 5 x 6
8-PowerLDFN
XP3832CMT
XP4072CMT
MOSFET N-CH 30V 23.4A 52A PMPAK
YAGEO XSEMI
1,000
现货
1 : ¥13.30000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.50273
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
23.4A(Ta),52A(Tc)
4.5V,10V
5.5 毫欧 @ 20A,10V
3V @ 250µA
25.6 nC @ 10 V
±20V
1232 pF @ 25 V
-
5W(Ta),25W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PMPAK® 5 x 6
8-PowerLDFN
XP3832CMT
XP4064CMT
MOSFET N-CH 30V 31.5A 78A PMPAK
YAGEO XSEMI
1,000
现货
1 : ¥13.79000
剪切带(CT)
3,000 : ¥6.21185
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
31.5A(Ta),78A(Tc)
4.5V,10V
3.1 毫欧 @ 19A,10V
2.3V @ 250µA
40 nC @ 10 V
±20V
2048 pF @ 25 V
-
5W(Ta),31.2W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PMPAK® 5 x 6
8-PowerLDFN
XP3P050AM
XP3P010M
MOSFET P-CH 30V 13.3A 8SO
YAGEO XSEMI
1,000
现货
1 : ¥15.30000
剪切带(CT)
3,000 : ¥6.88636
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
13.3A(Ta)
4.5V,10V
10 毫欧 @ 12A,10V
3V @ 250µA
54.4 nC @ 4.5 V
±20V
6080 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SO
8-SOIC
显示
/ 100

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。