单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Diodes IncorporatedMicrochip Technology
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
30 V400 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
170mA（Tj）2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
0V1.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
150 毫欧 @ 4.5A，4.5V25 欧姆 @ 120mA，0V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA-
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
193 pF @ 10 V300 pF @ 25 V
FET 功能
-耗尽模式
功率耗散（最大值）
700mW（Ta）1.6W（Tc）
供应商器件封装
SOT-23-3TO-243AA（SOT-89）
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-243AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
C04-029 MB
DN2540N8-G
MOSFET N-CH 400V 170MA TO243AA
Microchip Technology
26,169
现货
1 : ¥8.70000
剪切带（CT）
2,000 : ¥6.56794
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
400 V
170mA（Tj）
0V
25 欧姆 @ 120mA，0V
-
±20V
300 pF @ 25 V
耗尽模式
1.6W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-243AA（SOT-89）
TO-243AA
SOT-23-3
DMN3300U-7
MOSFET N-CH 30V 2A SOT23-3
Diodes Incorporated
10,487
现货
564,000
工厂
1 : ¥3.78000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.02259
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
2A（Ta）
1.5V，4.5V
150 毫欧 @ 4.5A，4.5V
1V @ 250µA
±12V
193 pF @ 10 V
-
700mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。