单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
onsemiRohm Semiconductor
系列
-PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
20 V80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100mA（Ta）60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，4.5V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
7.8 毫欧 @ 21A，10V3.5 欧姆 @ 100mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 100µA4V @ 120µA
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
7.1 pF @ 10 V2150 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）
150mW（Ta）57W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-PQFN（3.3x3.3），Power33VMT3
封装/外壳
8-PowerWDFNSOT-723
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
显示
/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
VMT3 Pkg
RUM001L02T2CL
MOSFET N-CH 20V 100MA VMT3
Rohm Semiconductor
723,304
现货
此产品有最大采购数量限制
1 : ¥2.22000
剪切带（CT）
8,000 : ¥0.34654
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
100mA（Ta）
1.2V，4.5V
3.5 欧姆 @ 100mA，4.5V
1V @ 100µA
-
±8V
7.1 pF @ 10 V
-
150mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
VMT3
SOT-723
Power33
FDMC008N08C
MOSFET N-CHANNEL 80V 60A 8PQFN
onsemi
899
现货
24,000
工厂
1 : ¥15.43000
剪切带（CT）
3,000 : ¥6.95998
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
60A（Tc）
6V，10V
7.8 毫欧 @ 21A，10V
4V @ 120µA
29 nC @ 10 V
±20V
2150 pF @ 40 V
-
57W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-PQFN（3.3x3.3），Power33
8-PowerWDFN
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。