26A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 146
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedGoford SemiconductorInfineon TechnologiesIXYSLittelfuse Inc.Microchip TechnologyMicrosemi CorporationNexperia USA Inc.onsemiRenesas Electronics CorporationRohm SemiconductorSTMicroelectronicsTaiwan Semiconductor Corporation
系列
-CoolMOS™ P7CoolSiC™CoolSIC™ M1DeepGATE™, STripFET™ VIHEXFET®HiPerFET™HiPerFET™, PolarHiPerFET™, Polar3™HiPerFET™, PolarHT™HiPerFET™, Ultra XHiPerFET™, Ultra X2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)托盘散装管件
产品状态
不适用于新设计停产最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)SiCFET(碳化硅)SiC(碳化硅结晶体管)
漏源电压(Vdss)
12 V30 V40 V55 V60 V80 V100 V150 V200 V250 V300 V400 V500 V550 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V4.5V,10V5V5V,10V6.5V,10V7V,10V8V,10V10V10V,12V12V15V,18V18V-
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
3.8 毫欧 @ 26A,10V4.4 毫欧 @ 13A,10V7.5 毫欧 @ 13A,10V8.5 毫欧 @ 5A,4.5V11.4mOhm @ 13A,10V14 毫欧 @ 5A,10V18 毫欧 @ 10A,10V18 毫欧 @ 12A,10V25 毫欧 @ 13A,10V25 毫欧 @ 17A,10V29 毫欧 @ 5A,10V30 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA2V @ 1mA2V @ 250µA2.1V @ 1mA2.2V @ 20µA2.4V @ 250µA2.5V @ 200µA2.5V @ 250µA2.8V @ 250µA3.75V @ 1mA3.8V @ 250µA4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
3.8 nC @ 4.5 V7.9 nC @ 10 V8 nC @ 10 V11 nC @ 5 V11.9 nC @ 10 V13.5 nC @ 5 V17 nC @ 10 V18.6 nC @ 10 V19 nC @ 10 V19 nC @ 18 V20 nC @ 10 V21 nC @ 18 V
Vgs(最大值)
±8V±10V±15V±16V+18V,-15V+20V,-2V+20V,-7V±20V+21V,-4V+23V,-5V+23V,-7V±25V±30V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
400 pF @ 25 V492 pF @ 25 V624 pF @ 400 V683 pF @ 50 V707 pF @ 800 V740 pF @ 50 V744 pF @ 400 V763 pF @ 800 V840 pF @ 30 V870 pF @ 25 V1020 pF @ 25 V1100 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
610mW(Ta),61W(Tc)700mW(Ta),42W(Tc)800mW(Ta),142W(Tc)1.5W(Ta)1.6W(Ta)1.7W(Ta)2.1W(Ta)2.4W(Ta),36W(Tc)2.5W(Ta),60W(Tc)2.7W(Ta)5.2W(Ta),64W(Tc)20W(Tc)
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)-65°C ~ 175°C(TJ)-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 175°C(TJ)150°C150°C(TJ)175°C175°C(TJ)-
等级
军用汽车级
资质
AEC-Q101MIL-PRF-19500/603
安装类型
底座安装表面贴装型表面贴装,可润湿侧翼通孔
供应商器件封装
8-DFN(4.9x5.75)8-DSOP Advance8-HWSON(3.3x3.3)8-PDFN(3.15x3.1)8-SOIC8-SOP Advance(5x5)8-TSON Advance(3.1x3.1)8-WDFN(3.3x3.3)D2PAKD3PAKI-PAK(LF701)IPAK
封装/外壳
3-SMD,无引线6-UDFN 裸露焊盘8-PowerTDFN8-PowerVDFN8-PowerWDFN8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)ISOTOPPLUS-220SMDPowerPAK® SO-8SC-100,SOT-669SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引线)SOT-227-4,miniBLOC
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
146结果
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/ 146
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
9,997
现货
1 : ¥4.93000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.85723
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
26A(Tc)
4.5V,10V
11.4mOhm @ 13A,10V
2.5V @ 200µA
17 nC @ 10 V
±20V
1625 pF @ 30 V
-
610mW(Ta),61W(Tc)
175°C
-
-
表面贴装型
8-TSON Advance(3.1x3.1)
8-PowerVDFN
38,901
现货
1 : ¥7.22000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.99924
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
26A(Tc)
4.5V,10V
40 毫欧 @ 20A,10V
2.4V @ 250µA
54 nC @ 10 V
±20V
3600 pF @ 30 V
-
2.5W(Ta),60W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252(DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
14,424
现货
1 : ¥22.41000
剪切带(CT)
5,000 : ¥9.72113
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
26A(Tc)
10V
52 毫欧 @ 13A,10V
4V @ 1mA
22 nC @ 10 V
±20V
2200 pF @ 100 V
-
78W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOP Advance(5x5)
8-PowerVDFN
PowerPAK SO-8
SI7430DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
4,330
现货
1 : ¥23.07000
剪切带(CT)
3,000 : ¥11.23077
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
26A(Tc)
8V,10V
45 毫欧 @ 5A,10V
4.5V @ 250µA
43 nC @ 10 V
±20V
1735 pF @ 50 V
-
5.2W(Ta),64W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
TO-263AB
IXTA26P20P-TRL
MOSFET P-CH 200V 26A TO263
Littelfuse Inc.
1,224
现货
1 : ¥54.35000
剪切带(CT)
800 : ¥34.25813
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
26A(Tc)
10V
170 毫欧 @ 13A,10V
4V @ 250µA
56 nC @ 10 V
±20V
2740 pF @ 25 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263AB
IXTA26P20P
MOSFET P-CH 200V 26A TO263
Littelfuse Inc.
228
现货
1 : ¥54.35000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
26A(Tc)
10V
170 毫欧 @ 13A,10V
4V @ 250µA
56 nC @ 10 V
±20V
2740 pF @ 25 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263AA
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
U-DFN2020-6 Type F
DMP1005UFDF-7
MOSFET P-CH 12V 26A 6UDFN
Diodes Incorporated
395,373
现货
1 : ¥3.12000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.12879
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
26A(Tc)
1.8V,4.5V
8.5 毫欧 @ 5A,4.5V
1V @ 250µA
47 nC @ 8 V
±8V
2475 pF @ 6 V
-
2.1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
U-DFN2020-6(F 类)
6-UDFN 裸露焊盘
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
BUK9Y40-55B,115
MOSFET N-CH 55V 26A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
10,192
现货
1 : ¥6.57000
剪切带(CT)
1,500 : ¥2.78883
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
26A(Tc)
5V
36 毫欧 @ 15A,10V
2V @ 1mA
11 nC @ 5 V
±15V
1020 pF @ 25 V
-
59W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
PowerPak SO-8L
SQJ474EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 100V 26A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
27,060
现货
1 : ¥7.72000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.20408
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
26A(Tc)
4.5V,10V
30 毫欧 @ 10A,10V
2.5V @ 250µA
30 nC @ 10 V
±20V
1100 pF @ 25 V
-
45W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
TO-252AA
FDD390N15A
MOSFET N-CH 150V 26A DPAK
onsemi
21,049
现货
1 : ¥10.59000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.39358
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
26A(Tc)
10V
40 毫欧 @ 26A,10V
4V @ 250µA
18.6 nC @ 10 V
±20V
1285 pF @ 75 V
-
63W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-252AA
FDD390N15ALZ
MOSFET N-CH 150V 26A DPAK
onsemi
530
现货
1 : ¥11.99000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.96964
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
26A(Tc)
4.5V,10V
42 毫欧 @ 26A,10V
2.8V @ 250µA
39 nC @ 10 V
±20V
1760 pF @ 75 V
-
63W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-220AB Full Pack
IRFI4227PBF
MOSFET N-CH 200V 26A TO220AB FP
Infineon Technologies
5,522
现货
1 : ¥25.04000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
26A(Tc)
10V
25 毫欧 @ 17A,10V
5V @ 250µA
110 nC @ 10 V
±30V
4600 pF @ 25 V
-
46W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB 整包
TO-220-3 整包
PG-TO220 Full Pack
IPA60R120P7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 26A TO220
Infineon Technologies
661
现货
1 : ¥28.08000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
26A(Tc)
10V
120 毫欧 @ 8.2A,10V
4V @ 410µA
36 nC @ 10 V
±20V
1544 pF @ 400 V
-
28W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO220 整包
TO-220-3 整包
TO-247-3 HiP
STW33N60M2
MOSFET N-CH 600V 26A TO247
STMicroelectronics
696
现货
1 : ¥42.11000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
26A(Tc)
10V
125 毫欧 @ 13A,10V
4V @ 250µA
45.5 nC @ 10 V
±25V
1781 pF @ 100 V
-
190W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-AD-EP-(H)
IXTH26P20P
MOSFET P-CH 200V 26A TO247
IXYS
318
现货
1 : ¥51.72000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
26A(Tc)
10V
170 毫欧 @ 13A,10V
4V @ 250µA
56 nC @ 10 V
±20V
2740 pF @ 25 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247(IXTH)
TO-247-3
TO-247_IXFH
IXFH26N50P
MOSFET N-CH 500V 26A TO247AD
Littelfuse Inc.
463
现货
1 : ¥64.36000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
26A(Tc)
10V
230 毫欧 @ 13A,10V
5.5V @ 4mA
60 nC @ 10 V
±30V
3600 pF @ 25 V
-
400W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247AD(IXFH)
TO-247-3
TO-220-3
IXFP26N50P3
MOSFET N-CH 500V 26A TO220AB
Littelfuse Inc.
300
现货
1 : ¥72.57000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
26A(Tc)
10V
230 毫欧 @ 13A,10V
5V @ 4mA
42 nC @ 10 V
±30V
2220 pF @ 25 V
-
500W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3
TO-247-3 AC EP
IMW120R090M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 26A TO247-3
Infineon Technologies
254
现货
1 : ¥77.00000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
26A(Tc)
15V,18V
117 毫欧 @ 8.5A,18V
5.7V @ 3.7mA
21 nC @ 18 V
+23V,-7V
707 pF @ 800 V
-
115W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO247-3-41
TO-247-3
CoolSiC_MOSFET
IMBG120R090M1HXTMA1
SICFET N-CH 1.2KV 26A TO263
Infineon Technologies
2,647
现货
1 : ¥85.46000
剪切带(CT)
1,000 : ¥48.45945
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
26A(Tc)
-
125 毫欧 @ 8.5A,18V
5.7V @ 3.7mA
23 nC @ 18 V
+18V,-15V
763 pF @ 800 V
-
136W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-7-12
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
PG-TO247-4-1
IMZ120R090M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 26A TO247-4
Infineon Technologies
440
现货
1 : ¥88.66000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
26A(Tc)
15V,18V
117 毫欧 @ 8.5A,18V
5.7V @ 3.7mA
21 nC @ 18 V
+23V,-7V
707 pF @ 800 V
-
115W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO247-4-1
TO-247-4
TO-247N
SCT4062KEC11
1200V, 62M, 3-PIN THD, TRENCH-ST
Rohm Semiconductor
4,744
现货
1 : ¥119.20000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
26A(Tc)
18V
81 毫欧 @ 12A,18V
4.8V @ 6.45mA
64 nC @ 18 V
+21V,-4V
1498 pF @ 800 V
-
115W
175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247N
TO-247-3
LFPAK33
BUK9M35-80EX
MOSFET N-CH 80V 26A LFPAK33
Nexperia USA Inc.
1,099
现货
1 : ¥7.06000
剪切带(CT)
1,500 : ¥2.99844
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
26A(Tc)
5V
31 毫欧 @ 5A,10V
2.1V @ 1mA
13.5 nC @ 5 V
±10V
1804 pF @ 25 V
-
62W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK33
SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引线)
PowerPAK-SO-8-Single
SQJ474EP-T1_BE3
N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Vishay Siliconix
18,000
现货
1 : ¥7.72000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.20408
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
26A(Tc)
4.5V,10V
30 毫欧 @ 10A,10V
2.5V @ 250µA
30 nC @ 10 V
±20V
1100 pF @ 25 V
-
45W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
7,720
现货
1 : ¥7.80000
剪切带(CT)
5,000 : ¥3.08532
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
26A(Tc)
6.5V,10V
7.5 毫欧 @ 13A,10V
4V @ 200µA
22 nC @ 10 V
±20V
1800 pF @ 30 V
-
700mW(Ta),42W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-TSON Advance(3.1x3.1)
8-PowerVDFN
TO-220-3
STP24NF10
MOSFET N-CH 100V 26A TO220AB
STMicroelectronics
695
现货
1 : ¥13.22000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
26A(Tc)
10V
60 毫欧 @ 12A,10V
4V @ 250µA
41 nC @ 10 V
±20V
870 pF @ 25 V
-
85W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220
TO-220-3
显示
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26A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。