265mA（Ta） 单 FET，MOSFET

结果 : 6
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.
系列
-TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）散装
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
60 V250 V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，10V3.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.8 欧姆 @ 200mA，10V3.5 欧姆 @ 200mA，10V14 欧姆 @ 200mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.4V @ 250µA1.5V @ 250µA2V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.49 nC @ 4.5 V0.49 nC @ 30 V3 nC @ 10 V3.45 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±40V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
20.2 pF @ 30 V73 pF @ 25 V82 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
310mW（Ta）2W（Ta）
供应商器件封装
SOT-223SOT-223-3TO-236AB
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-261-4，TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
应用的筛选条件 删除全部
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/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-223-3
ZVP4525GTA
MOSFET P-CH 250V 265MA SOT223
Diodes Incorporated
13,101
现货
32,000
工厂
1 : ¥5.75000
剪切带（CT）
1,000 : ¥2.43834
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
250 V
265mA（Ta）
3.5V，10V
14 欧姆 @ 200mA，10V
2V @ 1mA
3.45 nC @ 10 V
±40V
73 pF @ 25 V
-
2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-4，TO-261AA
TO-236AB
NX138BKR
MOSFET N-CH 60V 265MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
14,737
现货
1 : ¥1.72000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.29135
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
265mA（Ta）
2.5V，10V
3.5 欧姆 @ 200mA，10V
1.5V @ 250µA
0.49 nC @ 4.5 V
±20V
20.2 pF @ 30 V
-
310mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-236AB
BSN20BKR
MOSFET N-CH 60V 265MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
160,121
现货
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.51785
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
265mA（Ta）
10V
2.8 欧姆 @ 200mA，10V
1.4V @ 250µA
0.49 nC @ 4.5 V
±20V
20.2 pF @ 30 V
-
310mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-236AB
NX138BKVL
MOSFET N-CH 60V 265MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
0
现货
查看交期
10,000 : ¥0.20065
卷带（TR）
卷带（TR）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
265mA（Ta）
2.5V，10V
3.5 欧姆 @ 200mA，10V
1.5V @ 250µA
0.49 nC @ 30 V
±20V
20.2 pF @ 30 V
-
310mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-223-3
ZVP4525GTC
MOSFET P-CH 250V 265MA SOT223
Diodes Incorporated
0
现货
4,000 : ¥2.17402
卷带（TR）
-
卷带（TR）
停产
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
250 V
265mA（Ta）
3.5V，10V
14 欧姆 @ 200mA，10V
2V @ 1mA
3.45 nC @ 10 V
±40V
73 pF @ 25 V
-
2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-4，TO-261AA
MOSFET BVDSS: 101V~250V SOT223 T
ZVP4525GQTA
MOSFET BVDSS: 101V~250V SOT223 T
Diodes Incorporated
0
现货
9,000
工厂
查看交期
1,000 : ¥2.54580
散装
-
散装
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
250 V
265mA（Ta）
3.5V，10V
14 欧姆 @ 200mA，10V
2V @ 1mA
3 nC @ 10 V
±40V
82 pF @ 25 V
-
2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
显示
/ 6

265mA（Ta） 单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。