210mA(Ta) 单 FET,MOSFET

结果 : 21
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.onsemiRohm Semiconductor
系列
-OptiMOS®SIPMOS®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
20 V30 V50 V55 V60 V300 V400 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
0V,10V1.5V,4.5V1.65V,4.5V2.5V,10V4.5V4.5V,10V5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
3.4 欧姆 @ 10mA,4.5V3.5 欧姆 @ 200mA,10V3.5 欧姆 @ 220mA,10V4 欧姆 @ 200mA,4.5V5 欧姆 @ 100mA,4.5V5 欧姆 @ 115mA,10V5 欧姆 @ 500mA,10V5.3 欧姆 @ 210mA, 10V14 欧姆 @ 300mA,10V17 欧姆 @ 170mA,10V18 欧姆 @ 210mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA1V @ 94µA1.3V @ 250µA1.5V @ 1mA1.5V @ 250µA2V @ 250µA2.5V @ 100µA2.5V @ 200µA2.5V @ 250µA2.55V @ 1mA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.35 nC @ 4.5 V0.4 nC @ 4.5 V0.5 nC @ 4.5 V0.7 nC @ 10 V0.82 nC @ 10 V0.821 nC @ 10 V1.1 nC @ 10 V4 nC @ 10 V6.8 nC @ 5 V821 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±10V±12V±20V±30V±40V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
11 pF @ 10 V17 pF @ 15 V20 pF @ 30 V22 pF @ 25 V24 pF @ 25 V30 pF @ 30 V34 pF @ 30 V38 pF @ 25 V90 pF @ 25 V96 pF @ 25 V135 pF @ 25 V
FET 功能
-耗尽模式
功率耗散(最大值)
200mW(Ta)260mW(Ta)266mW(Ta),1.33W(Tc)300mW(Ta)302mW(Ta)310mW(Ta)340mW(Ta)350mW(Ta)570mW(Ta)900mW(Ta)1.5W(Ta)1.8W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)
供应商器件封装
PG-SOT223-4SOT-223SOT-23-3SOT-323SOT-523SOT-723SOT-89-3TO-236ABUMT3X2-DFN0806-3
封装/外壳
3-XFDFNSC-70,SOT-323SOT-523SOT-723TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-243AATO-261-4,TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
21结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 21
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-723_631AA
NTK3043NT1G
MOSFET N-CH 20V 210MA SOT723
onsemi
49,496
现货
1 : ¥2.79000
剪切带(CT)
4,000 : ¥0.50379
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
210mA(Ta)
1.65V,4.5V
3.4 欧姆 @ 10mA,4.5V
1.3V @ 250µA
-
±10V
11 pF @ 10 V
-
310mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-723
SOT-723
SOT-23-3
DMN67D8L-7
MOSFET N-CH 60V 210MA SOT23
Diodes Incorporated
50,180
现货
594,000
工厂
1 : ¥1.64000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.28226
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
210mA(Ta)
5V,10V
5 欧姆 @ 500mA,10V
2.5V @ 250µA
0.82 nC @ 10 V
±30V
22 pF @ 25 V
-
340mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-323
NX138BKWX
MOSFET N-CH 60V 210MA SOT323
Nexperia USA Inc.
50,355
现货
1 : ¥1.81000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.29923
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
210mA(Ta)
2.5V,10V
3.5 欧姆 @ 200mA,10V
1.5V @ 250µA
0.7 nC @ 10 V
±20V
20 pF @ 30 V
-
266mW(Ta),1.33W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
SOT-23-3
DMN67D7L-7
MOSFET N-CH 60V 210MA SOT23-3
Diodes Incorporated
14,720
现货
1 : ¥2.13000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.35916
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
210mA(Ta)
5V,10V
5 欧姆 @ 500mA,10V
2.5V @ 250µA
0.821 nC @ 10 V
±40V
22 pF @ 25 V
-
570mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-236AB
BSH111BKR
MOSFET N-CH 55V 210MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
17,816
现货
1 : ¥2.22000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.37563
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
210mA(Ta)
4.5V
4 欧姆 @ 200mA,4.5V
1.3V @ 250µA
0.5 nC @ 4.5 V
±10V
30 pF @ 30 V
-
302mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-723_631AA
NTK3043NT5G
MOSFET N-CH 20V 210MA SOT723
onsemi
5,775
现货
80,000
工厂
1 : ¥2.63000
剪切带(CT)
8,000 : ¥0.41474
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
210mA(Ta)
1.65V,4.5V
3.4 欧姆 @ 10mA,4.5V
1.3V @ 250µA
-
±10V
11 pF @ 10 V
-
310mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-723
SOT-723
BSS138W
BSS138W
MOSFET N-CH 50V 210MA SC70
onsemi
108,560
现货
1 : ¥3.69000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.65940
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
50 V
210mA(Ta)
4.5V,10V
3.5 欧姆 @ 220mA,10V
1.5V @ 1mA
1.1 nC @ 10 V
±20V
38 pF @ 25 V
-
340mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
SOT-523
DMN65D8LT-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT523 T&R
Diodes Incorporated
9,568
现货
140,000
工厂
1 : ¥1.64000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.21566
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
210mA(Ta)
5V,10V
5 欧姆 @ 115mA,10V
2V @ 250µA
0.4 nC @ 4.5 V
±20V
24 pF @ 25 V
-
300mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-523
SOT-523
SOT-23-3
DMN67D7L-13
MOSFET N-CH 60V 210MA SOT23-3
Diodes Incorporated
10,000
现货
130,000
工厂
1 : ¥2.13000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.27627
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
210mA(Ta)
5V,10V
5 欧姆 @ 500mA,10V
2.5V @ 250µA
0.821 nC @ 10 V
±40V
22 pF @ 25 V
-
570mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
UMT3
BSS84WT106
PCH -60V -0.21A, SOT-323, SMALL
Rohm Semiconductor
2,564
现货
1 : ¥3.04000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.66789
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
210mA(Ta)
4.5V,10V
5.3 欧姆 @ 210mA, 10V
2.5V @ 200µA
-
±20V
34 pF @ 30 V
-
200mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
UMT3
SC-70,SOT-323
SOT-223-4
BSP179H6327XTSA1
MOSFET N-CH 400V 210MA SOT223-4
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
400 V
210mA(Ta)
0V,10V
18 欧姆 @ 210mA,10V
1V @ 94µA
6.8 nC @ 5 V
±20V
135 pF @ 25 V
耗尽模式
1.8W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT223-4
TO-261-4,TO-261AA
SOT223
BSP230,135
MOSFET P-CH 300V 210MA SOT223
Nexperia USA Inc.
2,192
现货
1 : ¥5.34000
剪切带(CT)
4,000 : ¥1.79779
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
300 V
210mA(Ta)
10V
17 欧姆 @ 170mA,10V
2.55V @ 1mA
-
±20V
90 pF @ 25 V
-
1.5W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
UMT3
BSS84WAHZGT106
PCH -60V -0.21A, SOT-323, SMALL
Rohm Semiconductor
10
现货
1 : ¥3.94000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.06404
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
210mA(Ta)
4.5V,10V
5.3 欧姆 @ 210mA, 10V
2.5V @ 100µA
-
±20V
34 pF @ 30 V
-
300mW(Ta)
150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
UMT3
SC-70,SOT-323
SOT-323
NX138BKWF
MOSFET N-CHANNEL 60V 210MA SC70
Nexperia USA Inc.
0
现货
查看交期
10,000 : ¥0.21566
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
210mA(Ta)
2.5V,10V
3.5 欧姆 @ 200mA,10V
1.5V @ 250µA
0.7 nC @ 10 V
±20V
20 pF @ 30 V
-
-
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
SBR 3-DFN
DMP32D9UFA-7B
MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN0806
Diodes Incorporated
0
现货
查看交期
10,000 : ¥0.22884
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
210mA(Ta)
1.5V,4.5V
5 欧姆 @ 100mA,4.5V
1V @ 250µA
0.35 nC @ 4.5 V
±12V
17 pF @ 15 V
-
350mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
X2-DFN0806-3
3-XFDFN
SOT-23-3
DMN67D8L-13
MOSFET N-CH 60V 210MA SOT23
Diodes Incorporated
0
现货
150,000
工厂
查看交期
10,000 : ¥0.23050
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
210mA(Ta)
5V,10V
5 欧姆 @ 500mA,10V
2.5V @ 250µA
0.82 nC @ 10 V
±30V
22 pF @ 25 V
-
340mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-523
DMN65D8LT-7
MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT523 T&R
Diodes Incorporated
0
现货
168,000
工厂
查看交期
3,000 : ¥0.28035
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
210mA(Ta)
5V,10V
5 欧姆 @ 115mA,10V
2V @ 250µA
0.4 nC @ 4.5 V
±20V
24 pF @ 25 V
-
300mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-523
SOT-523
SOT-523
DMN67D8LT-13
MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT523 T&R
Diodes Incorporated
0
现货
150,000
工厂
查看交期
10,000 : ¥0.39467
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
210mA(Ta)
5V,10V
5 欧姆 @ 500mA,10V
2.5V @ 250µA
821 nC @ 10 V
±20V
22 pF @ 25 V
-
260mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-523
SOT-523
SOT-523
DMN67D8LT-7
MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT523 T&R
Diodes Incorporated
0
现货
171,000
工厂
查看交期
3,000 : ¥0.51308
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
210mA(Ta)
5V,10V
5 欧姆 @ 500mA,10V
2.5V @ 250µA
821 nC @ 10 V
±20V
22 pF @ 25 V
-
260mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-523
SOT-523
SOT-723_631AA
NTK3043NAT5G
MOSFET N-CH 20V 210MA SOT-723
onsemi
0
现货
8,000 : ¥0.76758
卷带(TR)
-
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
210mA(Ta)
1.65V,4.5V
3.4 欧姆 @ 10mA,4.5V
1.3V @ 250µA
-
±10V
11 pF @ 10 V
-
310mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-723
SOT-723
AP7387Q-30Y-13
DMN30H14DLY-13
MOSFET N-CH 300V 210MA SOT89
Diodes Incorporated
0
现货
2,500 : ¥2.24962
卷带(TR)
-
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
300 V
210mA(Ta)
4.5V,10V
14 欧姆 @ 300mA,10V
3V @ 250µA
4 nC @ 10 V
±20V
96 pF @ 25 V
-
900mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-89-3
TO-243AA
显示
/ 21

210mA(Ta) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。