2.7A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 58
制造商
Comchip TechnologyDiotec SemiconductorIXYSonsemiSTMicroelectronicsVishay Siliconix
系列
-HiPerFET™, PolarHT™LITTLE FOOT®QFET®SuperMESH3™TrenchFET®TrenchFET® Gen III
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
20 V30 V60 V200 V250 V400 V500 V620 V700 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.5V,4.5V1.8V,4.5V2.5V,10V2.5V,4.5V4V,5V4.5V,10V5V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
80 毫欧 @ 2A,10V90 毫欧 @ 2A,4.5V95 毫欧 @ 1A,4.5V100 毫欧 @ 2A,10V190 毫欧 @ 1.9A,10V200 毫欧 @ 1.6A,10V200 毫欧 @ 1.6A,5V210 毫欧 @ 2A,4.5V1.5 欧姆 @ 1.35A,10V1.5 欧姆 @ 1.35A,5V1.6 欧姆 @ 1A,10V2 欧姆 @ 1.6A,10V2 欧姆 @ 1.8A,10V2.5 欧姆 @ 1.4A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
800mV @ 250µA1V @ 250µA1.5V @ 250µA1.6V @ 250µA2V @ 250µA3V @ 250µA3.5V @ 250µA4V @ 250µA4.5V @ 50µA5V @ 250µA5.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
4.5 nC @ 4.5 V5.8 nC @ 10 V6.2 nC @ 4.5 V8 nC @ 10 V8.2 nC @ 10 V8.4 nC @ 5 V8.5 nC @ 4.5 V9 nC @ 5 V9.3 nC @ 10 V9.8 nC @ 4.5 V10 nC @ 4.5 V11 nC @ 10 V13 nC @ 10 V13.5 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
±8V±10V±12V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
140 pF @ 25 V155 pF @ 15 V209 pF @ 350 V220 pF @ 25 V225 pF @ 25 V240 pF @ 25 V300 pF @ 25 V312 pF @ 10 V365 pF @ 15 V385 pF @ 25 V400 pF @ 25 V409 pF @ 25 V445 pF @ 15 V470 pF @ 10 V
FET 功能
-肖特基二极管(隔离式)
功率耗散(最大值)
900mW(Tc)1W(Ta),2.3W(Tc)1.5W(Ta),2.78W(Tc)1.75W(Ta),2.75W(Tc)2W(Ta),3.1W(Tc)2.3W(Tc)2.5W(Ta),21W(Tc)2.5W(Ta),26W(Tc)2.5W(Ta),50W(Tc)3.1W(Ta),36W(Tc)3.13W(Ta),85W(Tc)20W(Tc)34.4W (Tc)36W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
4-MICRO FOOT®(0.8x0.8)8-SOICD2PAKDPAKIPAKSC-70-6SOT-223SOT-23-3SOT-23-3(TO-236)TO-220TO-220-3TO-220ABTO-220FPTO-251AA
封装/外壳
4-XFBGA6-TSSOP,SC-88,SOT-3638-SOIC(0.154",3.90mm 宽)TO-220-3TO-220-3 整包TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AATO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-261-4,TO-261AATO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AATO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
58结果
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/ 58
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT223-3L
IRLL014TRPBF
MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
Vishay Siliconix
10,560
现货
1 : ¥6.98000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.87605
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
2.7A(Tc)
4V,5V
200 毫欧 @ 1.6A,5V
2V @ 250µA
8.4 nC @ 5 V
±10V
400 pF @ 25 V
-
2W(Ta),3.1W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
SOT-23-3
SI2303CDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3
Vishay Siliconix
13,442
现货
1 : ¥3.53000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.19372
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
2.7A(Tc)
4.5V,10V
190 毫欧 @ 1.9A,10V
3V @ 250µA
8 nC @ 10 V
±20V
155 pF @ 15 V
-
1W(Ta),2.3W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
SI2303CDS-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3
Vishay Siliconix
9,086
现货
1 : ¥4.02000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.34538
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
2.7A(Tc)
4.5V,10V
190 毫欧 @ 1.9A,10V
3V @ 250µA
8 nC @ 10 V
±20V
155 pF @ 15 V
-
2.3W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SC-70-6
SI1469DH-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 2.7A SC70-6
Vishay Siliconix
5,079
现货
1 : ¥5.01000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.89057
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
2.7A(Tc)
2.5V,10V
80 毫欧 @ 2A,10V
1.5V @ 250µA
8.5 nC @ 4.5 V
±12V
470 pF @ 10 V
-
1.5W(Ta),2.78W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SC-70-6
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SOT223-3L
IRFL014TRPBF
MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
Vishay Siliconix
8,496
现货
1 : ¥7.39000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.80397
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
2.7A(Tc)
10V
200 毫欧 @ 1.6A,10V
4V @ 250µA
11 nC @ 10 V
±20V
300 pF @ 25 V
-
2W(Ta),3.1W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
SOT223-3L
IRFL014TRPBF-BE3
MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
Vishay Siliconix
1,995
现货
1 : ¥7.39000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.80397
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
2.7A(Tc)
-
200 毫欧 @ 1.6A,10V
4V @ 250µA
11 nC @ 10 V
±20V
300 pF @ 25 V
-
2W(Ta),3.1W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
D-PAK (TO-252AA)
IRFR9214TRPBF
MOSFET P-CH 250V 2.7A DPAK
Vishay Siliconix
5,821
现货
1 : ¥12.23000
剪切带(CT)
2,000 : ¥5.51417
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
2.7A(Tc)
10V
3 欧姆 @ 1.7A,10V
4V @ 250µA
14 nC @ 10 V
±20V
220 pF @ 25 V
-
50W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
D-PAK (TO-252AA)
IRFR9214TRLPBF
MOSFET P-CH 250V 2.7A DPAK
Vishay Siliconix
4,014
现货
1 : ¥12.23000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.51416
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
2.7A(Tc)
10V
3 欧姆 @ 1.7A,10V
4V @ 250µA
14 nC @ 10 V
±20V
220 pF @ 25 V
-
50W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
D-PAK (TO-252AA)
IRFR9214PBF
MOSFET P-CH 250V 2.7A DPAK
Vishay Siliconix
2,128
现货
1 : ¥12.23000
管件
-
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
2.7A(Tc)
10V
3 欧姆 @ 1.7A,10V
4V @ 250µA
14 nC @ 10 V
±20V
220 pF @ 25 V
-
50W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
4-XFBGA
SI8823EDB-T2-E1
MOSFET P-CH 20V 2.7A 4MICRO FOOT
Vishay Siliconix
3,344
现货
1 : ¥3.20000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.87074
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
2.7A(Tc)
1.5V,4.5V
95 毫欧 @ 1A,4.5V
800mV @ 250µA
10 nC @ 4.5 V
±8V
580 pF @ 10 V
-
900mW(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
4-MICRO FOOT®(0.8x0.8)
4-XFBGA
SC-70-6
SI1469DH-T1-BE3
MOSFET P-CH 20V 3.2A/2.7A SC70-6
Vishay Siliconix
6,568
现货
1 : ¥4.76000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.80549
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
2.7A(Tc)
-
80 毫欧 @ 2A,10V
1.5V @ 250µA
8.5 nC @ 4.5 V
±12V
470 pF @ 10 V
-
1.5W(Ta),2.78W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SC-70-6
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SC-70-6
SI1469DH-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 2.7A SC70-6
Vishay Siliconix
15,000
现货
1 : ¥5.01000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.89057
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
2.7A(Tc)
2.5V,10V
80 毫欧 @ 2A,10V
1.5V @ 250µA
8.5 nC @ 4.5 V
±12V
470 pF @ 10 V
-
1.5W(Ta),2.78W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SC-70-6
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SC-70-6
SI1467DH-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 2.7A SC70-6
Vishay Siliconix
2,445
现货
1 : ¥5.25000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.00874
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
2.7A(Tc)
1.8V,4.5V
90 毫欧 @ 2A,4.5V
1V @ 250µA
13.5 nC @ 4.5 V
±8V
561 pF @ 10 V
-
1.5W(Ta),2.78W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SC-70-6
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SOT223-3L
IRLL014TRPBF-BE3
MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
Vishay Siliconix
2,788
现货
1 : ¥6.98000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.87605
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
2.7A(Tc)
4V,5V
200 毫欧 @ 1.6A,5V
2V @ 250µA
8.4 nC @ 5 V
±10V
400 pF @ 25 V
-
2W(Ta),3.1W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
MFG_DPAK(TO252-3)
STD3N62K3
MOSFET N-CH 620V 2.7A DPAK
STMicroelectronics
3,074
现货
1 : ¥8.29000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.42385
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
620 V
2.7A(Tc)
10V
2.5 欧姆 @ 1.4A,10V
4.5V @ 50µA
13 nC @ 10 V
±30V
385 pF @ 25 V
-
45W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
SC-70-6
SI1467DH-T1-BE3
MOSFET P-CH 20V 3A/2.7A SC70-6
Vishay Siliconix
3,000
现货
1 : ¥5.25000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.00874
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
2.7A(Tc)
-
90 毫欧 @ 2A,4.5V
1V @ 250µA
13.5 nC @ 4.5 V
±8V
561 pF @ 10 V
-
1.5W(Ta),2.78W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SC-70-6
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
TO-251AA
IRFU9214PBF
MOSFET P-CH 250V 2.7A TO251AA
Vishay Siliconix
1,441
现货
1 : ¥8.62000
管件
-
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
2.7A(Tc)
10V
3 欧姆 @ 1.7A,10V
4V @ 250µA
14 nC @ 10 V
±20V
220 pF @ 25 V
-
50W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-251AA
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
DI110N06D1
DI2A7N70D1K
MOSFET DPAK N 700V 1.6OHM 150C
Diotec Semiconductor
2,500
现货
1 : ¥7.14000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.72243
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
700 V
2.7A(Tc)
10V
1.6 欧姆 @ 1A,10V
3.5V @ 250µA
5.8 nC @ 10 V
±20V
209 pF @ 350 V
-
34.4W (Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-220FP
STF3N62K3
MOSFET N-CH 620V 2.7A TO220FP
STMicroelectronics
1,970
现货
1 : ¥8.37000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
620 V
2.7A(Tc)
10V
2.5 欧姆 @ 1.4A,10V
4.5V @ 50µA
13 nC @ 10 V
±30V
385 pF @ 25 V
-
20W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220FP
TO-220-3 整包
D²PAK
STB3N62K3
MOSFET N-CH 620V 2.7A D2PAK
STMicroelectronics
2,086
现货
1 : ¥14.86000
剪切带(CT)
1,000 : ¥7.06977
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
620 V
2.7A(Tc)
10V
2.5 欧姆 @ 1.4A,10V
4.5V @ 50µA
13 nC @ 10 V
±30V
385 pF @ 25 V
-
45W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
I-Pak
STU3N62K3
MOSFET N-CH 620V 2.7A IPAK
STMicroelectronics
55
现货
1 : ¥11.74000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
620 V
2.7A(Tc)
10V
2.5 欧姆 @ 1.4A,10V
4.5V @ 50µA
13 nC @ 10 V
±30V
385 pF @ 25 V
-
45W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
通孔
IPAK
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
TO-220-3
STP3N62K3
MOSFET N-CH 620V 2.7A TO220AB
STMicroelectronics
338
现货
1 : ¥12.81000
管件
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
620 V
2.7A(Tc)
10V
2.5 欧姆 @ 1.4A,10V
4.5V @ 50µA
13 nC @ 10 V
±30V
385 pF @ 25 V
-
45W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220
TO-220-3
TO-263AB
IRF614SPBF
MOSFET N-CH 250V 2.7A D2PAK
Vishay Siliconix
10
现货
1 : ¥13.71000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
2.7A(Tc)
10V
2 欧姆 @ 1.6A,10V
4V @ 250µA
8.2 nC @ 10 V
±20V
140 pF @ 25 V
-
3.1W(Ta),36W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
SC-70-6
SI1467DH-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 2.7A SC70-6
Vishay Siliconix
0
现货
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1 : ¥5.25000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.00874
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
2.7A(Tc)
1.8V,4.5V
90 毫欧 @ 2A,4.5V
1V @ 250µA
13.5 nC @ 4.5 V
±8V
561 pF @ 10 V
-
1.5W(Ta),2.78W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SC-70-6
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SOT-23-3
ACMSP2303T-HF
MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3
Comchip Technology
0
现货
查看交期
3,000 : ¥1.07448
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
2.7A(Tc)
-
190 毫欧 @ 1.9A,10V
3V @ 250µA
22 nC @ 15 V
±20V
155 pF @ 15 V
-
1W(Ta),2.3W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
显示
/ 58

2.7A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。