2.7A(Ta) 单 FET,MOSFET

结果 : 51
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesMicro Commercial CoNexperia USA Inc.onsemiToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-FETKY™HEXFET®LITTLE FOOT®PowerTrench®TrenchFET®U-MOSIIU-MOSIII
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
产品状态
不适用于新设计停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
8 V12 V20 V30 V40 V60 V70 V100 V150 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.2V,4.5V1.5V,4.5V1.8V,4.5V2.5V,4.5V2.7V,4.5V3.3V,10V4V,10V4.5V4.5V,10V6V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
42 毫欧 @ 1A,4.5V46 毫欧 @ 2.7A,10V60 毫欧 @ 3.1A,10V60 毫欧 @ 3.3A,4.5V60 毫欧 @ 3.7A,4.5V62 毫欧 @ 2A,4.5V62 毫欧 @ 4.5A,4.5V75 毫欧 @ 2.7A,10V85 毫欧 @ 3.3A,4.5V85 毫欧 @ 3.5A,10V85毫欧 @ 1.35A,10V92 毫欧 @ 2.7A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
450mV @ 250µA(最小)700mV @ 250µA1V @ 250µA1.2V @ 100µA1.2V @ 200µA1.2V @ 250µA1.25V @ 250µA1.4V @ 250µA1.8V @ 250µA2V @ 250µA(最小)2.1V @ 250µA2.2V @ 250µA2.3V @ 25µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
1 nC @ 4.5 V2.5 nC @ 4.5 V3.5 nC @ 4.5 V5 nC @ 10 V5.3 nC @ 4.5 V5.7 nC @ 10 V6 nC @ 10 V6 nC @ 5 V6.2 nC @ 4.5 V6.8 nC @ 10 V7 nC @ 5 V7.4 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
-8V±5V±8V±12V±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
110 pF @ 15 V155 pF @ 25 V160 pF @ 20 V210 pF @ 25 V210 pF @ 50 V227 pF @ 10 V250 pF @ 10 V278 pF @ 15 V287 pF @ 15 V290 pF @ 25 V298 pF @ 40 V298 pF @ 50 V
FET 功能
-肖特基二极管(隔离式)
功率耗散(最大值)
330mW(Ta)485mW(Ta),6.25W(Tc)490mW(Ta)490mW(Ta),6.25W(Tc)500mW(Ta)625mW(Ta)700mW(Ta)740mW(Ta)800mW(Ta)1W(Ta)1.08W(Ta)1.1W(Ta)
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
供应商器件封装
4-WLCSP(0.8x0.8)6-HUSON(2x2)6-TSOP6-WDFN(2x2)8-SO8-SOIC1206-8 ChipFET™Micro3™/SOT-23Micro8™SC-70-6SC-88/SC70-6/SOT-363SOT-223
封装/外壳
4-XFBGA,CSPBGA4-XFBGA,WLBGA4-XFBGA,WLCSP6-TSSOP,SC-88,SOT-3636-UFDFN 裸露焊盘6-WDFN 裸露焊盘8-SMD,扁平引线8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)SC-70,SOT-323SC-74,SOT-457SOT-23-6 细型,TSOT-23-6TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-243AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
51结果
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/ 51
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMP2215L-7
MOSFET P-CH 20V 2.7A SOT23-3
Diodes Incorporated
66,332
现货
54,000
工厂
1 : ¥3.04000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.81749
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
2.7A(Ta)
2.5V,4.5V
100 毫欧 @ 2.7A,4.5V
1.25V @ 250µA
5.3 nC @ 4.5 V
±12V
250 pF @ 10 V
-
1.08W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
FDN359AN
MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3
onsemi
11,809
现货
1 : ¥3.86000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.31226
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
2.7A(Ta)
4.5V,10V
46 毫欧 @ 2.7A,10V
3V @ 250µA
7 nC @ 5 V
±20V
480 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML0060TRPBF
MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT23
Infineon Technologies
35,345
现货
1 : ¥4.19000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.13541
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
2.7A(Ta)
4.5V,10V
92 毫欧 @ 2.7A,10V
2.5V @ 25µA
2.5 nC @ 4.5 V
±16V
290 pF @ 25 V
-
1.25W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
X1-WLB0808-4
DMN1054UCB4-7
MOSFET N-CH 8V 2.7A X1-WLB0808-4
Diodes Incorporated
53,412
现货
660,000
工厂
1 : ¥5.25000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.98497
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
8 V
2.7A(Ta)
1.2V,4.5V
42 毫欧 @ 1A,4.5V
700mV @ 250µA
15 nC @ 4.5 V
±5V
908 pF @ 6 V
-
740mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
X1-WLB0808-4
4-XFBGA,WLBGA
SOT-223-3
ZXMN7A11GTA
MOSFET N-CH 70V 2.7A SOT223
Diodes Incorporated
8,822
现货
1 : ¥6.98000
剪切带(CT)
1,000 : ¥2.96899
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
70 V
2.7A(Ta)
4.5V,10V
130 毫欧 @ 4.4A,10V
1V @ 250µA
7.4 nC @ 10 V
±20V
298 pF @ 40 V
-
2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-4,TO-261AA
SOT-23-3
FDN8601
MOSFET N-CH 100V 2.7A SUPERSOT3
onsemi
9,194
现货
1 : ¥8.05000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.32517
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
2.7A(Ta)
6V,10V
109 毫欧 @ 1.5A,10V
4V @ 250µA
5 nC @ 10 V
±20V
210 pF @ 50 V
-
1.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
8-SOIC
SI4848DY-T1-E3
MOSFET N-CH 150V 2.7A 8SO
Vishay Siliconix
9,299
现货
1 : ¥12.89000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.31936
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
2.7A(Ta)
6V,10V
85 毫欧 @ 3.5A,10V
2V @ 250µA(最小)
21 nC @ 10 V
±20V
-
-
1.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
SI4848DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 150V 2.7A 8SO
Vishay Siliconix
8,038
现货
1 : ¥12.89000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.31936
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
2.7A(Ta)
6V,10V
85 毫欧 @ 3.5A,10V
2V @ 250µA(最小)
21 nC @ 10 V
±20V
-
-
1.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
SOT-23-3
DMP3160L-7
MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3
Diodes Incorporated
7,449
现货
714,000
工厂
1 : ¥3.53000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.95373
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
2.7A(Ta)
4.5V,10V
122 毫欧 @ 2.7A,10V
2.1V @ 250µA
-
±20V
227 pF @ 10 V
-
1.08W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML2030TRPBF
MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT23
Infineon Technologies
24,360
现货
1 : ¥3.69000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.81034
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
2.7A(Ta)
4.5V,10V
100 毫欧 @ 2.7A,10V
2.3V @ 25µA
1 nC @ 4.5 V
±20V
110 pF @ 15 V
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-323
DMN3061SWQ-13
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT323 T&R
Diodes Incorporated
10,487
现货
80,000
工厂
1 : ¥3.69000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.54657
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
2.7A(Ta)
3.3V,10V
60 毫欧 @ 3.1A,10V
1.8V @ 250µA
3.5 nC @ 4.5 V
±20V
278 pF @ 15 V
-
490mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
SOT-23-3
FDN359BN
MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3
onsemi
121,262
现货
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.28047
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
2.7A(Ta)
4.5V,10V
46 毫欧 @ 2.7A,10V
3V @ 250µA
7 nC @ 5 V
±20V
650 pF @ 15 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-363
NTJS3151PT1G
MOSFET P-CH 12V 2.7A SC88/SC70-6
onsemi
7,372
现货
1 : ¥4.10000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.09907
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
2.7A(Ta)
1.8V,4.5V
60 毫欧 @ 3.3A,4.5V
1.2V @ 100µA
8.6 nC @ 4.5 V
±12V
850 pF @ 12 V
-
625mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
AP7387Q-30Y-13
ZXMN6A11ZTA
MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT89-3
Diodes Incorporated
24,375
现货
1 : ¥6.24000
剪切带(CT)
1,000 : ¥2.66122
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
2.7A(Ta)
4.5V,10V
120 毫欧 @ 2.5A,10V
1V @ 250µA
5.7 nC @ 10 V
±20V
330 pF @ 40 V
-
1.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-89-3
TO-243AA
SG6858TZ
FDC8601
MOSFET N-CH 100V 2.7A SUPERSOT6
onsemi
8,416
现货
1 : ¥11.41000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.71726
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
2.7A(Ta)
6V,10V
109 毫欧 @ 2.7A,10V
4V @ 250µA
5 nC @ 10 V
±20V
210 pF @ 50 V
-
1.6W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SuperSOT™-6
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
SOT223-3L
NDT014
MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT-223-4
onsemi
19,555
现货
1 : ¥8.13000
剪切带(CT)
4,000 : ¥3.35574
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
2.7A(Ta)
10V
200 毫欧 @ 1.6A,10V
4V @ 250µA
11 nC @ 10 V
±20V
155 pF @ 25 V
-
3W(Ta)
-65°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223-4
TO-261-4,TO-261AA
SOT 23
SI2307-TP
MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23
Micro Commercial Co
32,837
现货
1 : ¥3.37000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.73764
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
2.7A(Ta)
10V
135 毫欧 @ 2.6A,4.5V
3V @ 250µA
6.2 nC @ 4.5 V
±20V
340 pF @ 15 V
-
1.1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
MOSFET N-CH 12V 2.7A X3DSN0808-4
DMN1053UCP4-7
MOSFET N-CH 12V 2.7A X3DSN0808-4
Diodes Incorporated
3,000
现货
51,000
工厂
1 : ¥3.37000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.14717
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
2.7A(Ta)
1.2V,4.5V
42 毫欧 @ 1A,4.5V
700mV @ 250µA
15 nC @ 4.5 V
±8V
908 pF @ 6 V
-
1.34W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
X3-DSN0808-4
4-XFBGA,CSPBGA
SOT-323
DMN3061SW-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT323 T&R
Diodes Incorporated
2,935
现货
72,000
工厂
1 : ¥3.35000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.60325
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
2.7A(Ta)
3.3V,10V
60 毫欧 @ 3.1A,10V
1.8V @ 250µA
3.5 nC @ 4.5 V
±20V
278 pF @ 15 V
-
490mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
SOT-323
DMN3061SWQ-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT323 T&R
Diodes Incorporated
6,598
现货
87,000
工厂
1 : ¥3.69000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.66102
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
2.7A(Ta)
3.3V,10V
60 毫欧 @ 3.1A,10V
1.8V @ 250µA
3.5 nC @ 4.5 V
±20V
278 pF @ 15 V
-
490mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
SOT-363
NTJS3151PT2G
MOSFET P-CH 12V 2.7A SC88/SC70-6
onsemi
2,972
现货
6,000
工厂
1 : ¥3.86000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.04976
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
2.7A(Ta)
1.8V,4.5V
60 毫欧 @ 3.3A,4.5V
1.2V @ 100µA
8.6 nC @ 4.5 V
±12V
850 pF @ 12 V
-
625mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
TO-236AB
PMV65ENEAR
MOSFET N-CH 40V 2.7A TO236AB
Nexperia USA Inc.
5,363
现货
1 : ¥4.10000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.10427
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
2.7A(Ta)
4.5V,10V
75 毫欧 @ 2.7A,10V
2.5V @ 250µA
6 nC @ 10 V
±20V
160 pF @ 20 V
-
490mW(Ta),6.25W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-223
ZXMN7A11GQTA
MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT223 T&
Diodes Incorporated
980
现货
1 : ¥8.37000
剪切带(CT)
1,000 : ¥3.68493
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
70 V
2.7A(Ta)
4.5V,10V
130 毫欧 @ 4.4A,10V
1V @ 250µA
7.4 nC @ 10 V
±20V
298 pF @ 50 V
-
2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
6-TSOP
NTGS3443BT1G
MOSFET P-CH 20V 2.7A 6TSOP
onsemi
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
2.7A(Ta)
2.5V,4.5V
60 毫欧 @ 3.7A,4.5V
1.4V @ 250µA
11 nC @ 4.5 V
±12V
819 pF @ 10 V
-
700mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSOP
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
6-WDFN
NTLJS4149PTBG
MOSFET P-CH 30V 2.7A 6WDFN
onsemi
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
2.7A(Ta)
2.5V,4.5V
62 毫欧 @ 4.5A,4.5V
1V @ 250µA
15 nC @ 4.5 V
±12V
960 pF @ 15 V
-
700mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-WDFN(2x2)
6-WDFN 裸露焊盘
显示
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2.7A(Ta) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。