190mA(Ta) 单 FET,MOSFET

结果 : 28
制造商
Comchip TechnologyGood-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.NXP USA Inc.Taiwan Semiconductor CorporationVishay Siliconix
系列
-OptiMOS™SIPMOS®SIPMOS™TrenchFET®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
60 V100 V250 V800 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
0V,10V2.5V,10V2.8V,10V4.5V,10V5V5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
2.9 欧姆 @ 190mA,10V4 欧姆 @ 500mA,10V4.5 欧姆 @ 100mA,10V4.5 欧姆 @ 190mA,10V5 欧姆 @ 150mA, 10V5.6 欧姆 @ 100mA,10V6 欧姆 @ 190mA,10V10 欧姆 @ 150mA,5V12 欧姆 @ 190mA,10V20 欧姆 @ 190mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250µA1.8V @ 13µA1.8V @ 50µA2V @ 130µA2V @ 1mA2.1V @ 250µA2.3V @ 13µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA3.5V @ 1mA4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.43 nC @ 4.5 V0.6 nC @ 10 V0.63 nC @ 10 V0.74 nC @ 10 V0.9 nC @ 10 V1.4 nC @ 10 V1.7 nC @ 15 V1.9 nC @ 10 V2.1 nC @ 7 V2.8 nC @ 10 V6.1 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
20V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
15 pF @ 50 V17 pF @ 10 V20 pF @ 10 V20 pF @ 30 V20.9 pF @ 25 V23 pF @ 25 V31.6 pF @ 50 V38.2 pF @ 30 V39 pF @ 25 V40 pF @ 10 V51 pF @ 25 V104 pF @ 25 V230 pF @ 25 V
FET 功能
-耗尽模式
功率耗散(最大值)
250mW(Ta)265mW(Ta)265mW(Ta),1.33W(Tc)300mW(Ta)325mW(Ta)360mW(Ta)403mW(Ta)500mW(Ta)830mW(Ta)830mW(Tc)1W(Ta)1.8W(Ta)
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PG-SOT-23-3PG-SOT223-4PG-SOT223-4-21PG-SOT23PG-SOT23-3PG-SOT23-3-5PG-SOT89SC-75ASOT-23SOT-23-3TO-236ABTO-92-3
封装/外壳
SC-75,SOT-416TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-243AATO-261-4,TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
28结果
应用的筛选条件 删除全部

显示
/ 28
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
NX7002AK,215
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
511,135
现货
1 : ¥1.56000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.27176
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
190mA(Ta)
5V,10V
4.5 欧姆 @ 100mA,10V
2.1V @ 250µA
0.43 nC @ 4.5 V
±20V
17 pF @ 10 V
-
265mW(Ta),1.33W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
BSS123NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Infineon Technologies
207,882
现货
1 : ¥3.04000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.54710
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
190mA(Ta)
4.5V,10V
6 欧姆 @ 190mA,10V
1.8V @ 13µA
0.9 nC @ 10 V
±20V
20.9 pF @ 25 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-236AB
NX7002AKVL
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
25,094
现货
1 : ¥1.23000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.17246
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
190mA(Ta)
5V,10V
4.5 欧姆 @ 100mA,10V
2.1V @ 250µA
0.43 nC @ 4.5 V
±20V
20 pF @ 10 V
-
265mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-236AB
NX138AKR
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
43,246
现货
1 : ¥1.56000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.27466
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
190mA(Ta)
2.5V,10V
4.5 欧姆 @ 190mA,10V
1.5V @ 250µA
1.4 nC @ 10 V
±20V
20 pF @ 30 V
-
325mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
BSS123IXTMA1
BSS123IXTSA1
SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3
Infineon Technologies
13,465
现货
1 : ¥2.63000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.43977
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
190mA(Ta)
4.5V,10V
6 欧姆 @ 190mA,10V
1.8V @ 13µA
0.63 nC @ 10 V
±20V
15 pF @ 50 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
BSS119NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Infineon Technologies
38,239
现货
1 : ¥2.96000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.79803
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
190mA(Ta)
4.5V,10V
6 欧姆 @ 190mA,10V
2.3V @ 13µA
0.6 nC @ 10 V
±20V
20.9 pF @ 25 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
BSS123NH6433XTMA1
MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Infineon Technologies
227,632
现货
1 : ¥3.12000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.45902
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
190mA(Ta)
4.5V,10V
6 欧姆 @ 190mA,10V
1.8V @ 13µA
0.9 nC @ 10 V
±20V
20.9 pF @ 25 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-236AB
BST82,215
MOSFET N-CH 100V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
30,326
现货
1 : ¥3.12000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.84346
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
190mA(Ta)
5V
10 欧姆 @ 150mA,5V
2V @ 1mA
-
±20V
40 pF @ 10 V
-
830mW(Tc)
-65°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
BSS127IXTSA1
BSS169IXTSA1
MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Infineon Technologies
5,162
现货
1 : ¥3.69000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.82373
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
190mA(Ta)
0V,10V
2.9 欧姆 @ 190mA,10V
1.8V @ 50µA
2.1 nC @ 7 V
±20V
51 pF @ 25 V
耗尽模式
360mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
Pkg 5868
SI1021R-T1-GE3
MOSFET P-CH 60V 190MA SC75A
Vishay Siliconix
25,525
现货
1 : ¥4.35000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.46759
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
190mA(Ta)
4.5V,10V
4 欧姆 @ 500mA,10V
3V @ 250µA
1.7 nC @ 15 V
±20V
23 pF @ 25 V
-
250mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SC-75A
SC-75,SOT-416
SOT-89 Pkg
BSS192PH6327FTSA1
MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89
Infineon Technologies
20,430
现货
1 : ¥4.60000
剪切带(CT)
1,000 : ¥1.73611
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
190mA(Ta)
2.8V,10V
12 欧姆 @ 190mA,10V
2V @ 130µA
6.1 nC @ 10 V
±20V
104 pF @ 25 V
-
1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT89
TO-243AA
TQM138KCX RFG
TQM84KCX RFG
-60V, -0.19A, SINGLE P-CHANNEL S
Taiwan Semiconductor Corporation
3,000
现货
1 : ¥2.79000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.46544
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
190mA(Ta)
4.5V,10V
6 欧姆 @ 190mA,10V
2.5V @ 250µA
1.9 nC @ 10 V
±20V
38.2 pF @ 30 V
-
403mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-236AB
BST82,235
MOSFET N-CH 100V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
10,973
现货
1 : ¥3.12000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.72758
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
190mA(Ta)
5V
10 欧姆 @ 150mA,5V
2V @ 1mA
-
±20V
40 pF @ 10 V
-
830mW(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-236AB
NX138AKVL
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
0
现货
查看交期
10,000 : ¥0.19236
卷带(TR)
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
190mA(Ta)
2.5V,10V
4.5 欧姆 @ 190mA,10V
1.5V @ 250µA
1.4 nC @ 10 V
±20V
20 pF @ 30 V
-
265mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
BSS123
BSS123
MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.19A, 100
Good-Ark Semiconductor
8,173
现货
1 : ¥1.56000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.27485
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
190mA(Ta)
4.5V,10V
5 欧姆 @ 150mA, 10V
3V @ 250µA
0.74 nC @ 10 V
±20V
31.6 pF @ 50 V
-
300mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-236AB
NX7002AKAR
MOSFET N-CH 60V TO-236AB
Nexperia USA Inc.
0
现货
3,000 : ¥0.21634
卷带(TR)
-
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
190mA(Ta)
-
4.5 欧姆 @ 100mA,10V
2.1V @ 250µA
0.43 nC @ 4.5 V
-
17 pF @ 10 V
-
265mW(Ta),1.33W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23
BSS123T-HF
MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT23-3
Comchip Technology
0
现货
查看交期
3,000 : ¥0.64175
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
190mA(Ta)
4.5V,10V
5.6 欧姆 @ 100mA,10V
2.5V @ 250µA
2.8 nC @ 10 V
±20V
39 pF @ 25 V
-
300mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-89 Pkg
BSS192PE6327T
MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89
Infineon Technologies
0
现货
1,000 : ¥2.26857
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
190mA(Ta)
2.8V,10V
12 欧姆 @ 190mA,10V
2V @ 130µA
6.1 nC @ 10 V
±20V
104 pF @ 25 V
-
1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT89
TO-243AA
SOT-89 Pkg
BSS192PE6327
MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89
Infineon Technologies
0
现货
1,000 : ¥2.28581
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
190mA(Ta)
2.8V,10V
12 欧姆 @ 190mA,10V
2V @ 130µA
6.1 nC @ 10 V
±20V
104 pF @ 25 V
-
1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT89
TO-243AA
Pkg 5868
SI1021R-T1-E3
MOSFET P-CH 60V 190MA SC75A
Vishay Siliconix
0
现货
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.10068
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
190mA(Ta)
4.5V,10V
4 欧姆 @ 500mA,10V
3V @ 250µA
1.7 nC @ 15 V
±20V
23 pF @ 25 V
-
250mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SC-75A
SC-75,SOT-416
SOT-223-4
BSP300 E6327
MOSFET N-CH 800V 190MA SOT223-4
Infineon Technologies
0
现货
1,000 : ¥4.05640
卷带(TR)
卷带(TR)
Digi-Key 停止提供
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
190mA(Ta)
10V
20 欧姆 @ 190mA,10V
4V @ 1mA
-
±20V
230 pF @ 25 V
-
1.8W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT223-4-21
TO-261-4,TO-261AA
SOT-223-4
BSP300H6327XUSA1
MOSFET N-CH 800V 190MA SOT223-4
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
190mA(Ta)
10V
20 欧姆 @ 190mA,10V
4V @ 1mA
-
±20V
230 pF @ 25 V
-
1.8W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT223-4
TO-261-4,TO-261AA
TO-92-3
BST72A,112
MOSFET N-CH 100V 190MA TO92-3
NXP USA Inc.
0
现货
停产
散装
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
190mA(Ta)
5V
10 欧姆 @ 150mA,5V
3.5V @ 1mA
-
20V
40 pF @ 10 V
-
830mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-92-3
TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线
SOT-223-4
BSP300L6327HUSA1
MOSFET N-CH 800V 190MA SOT223-4
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
190mA(Ta)
10V
20 欧姆 @ 190mA,10V
4V @ 1mA
-
±20V
230 pF @ 25 V
-
1.8W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT223-4-21
TO-261-4,TO-261AA
SOT-89 Pkg
BSS192PL6327HTSA1
MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
190mA(Ta)
2.8V,10V
12 欧姆 @ 190mA,10V
2V @ 130µA
6.1 nC @ 10 V
±20V
104 pF @ 25 V
-
1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT89
TO-243AA
显示
/ 28

190mA(Ta) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。