185A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 12
制造商
Infineon TechnologiesNexperia USA Inc.onsemiTaiwan Semiconductor Corporation
系列
-HEXFET®PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
产品状态
Digi-Key 停止提供停产最后售卖在售
漏源电压(Vdss)
25 V30 V40 V100 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V7V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.7 毫欧 @ 50A,10V1.8 毫欧 @ 29A,10V1.88 毫欧 @ 25A,10V4 毫欧 @ 110A,10V4.1 毫欧 @ 80A,10V4.5 毫欧 @ 110A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA2.2V @ 1mA2.5V @ 250µA3.5V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
47 nC @ 10 V56 nC @ 10 V61 nC @ 10 V69 nC @ 10 V140 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
3240 pF @ 50 V3300 pF @ 25 V3479 pF @ 15 V3698 pF @ 12 V7660 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
3.8W(Ta),106W(Tc)104W(Tc)124W(Tc)300W(Ta)300W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)8-HPSOF8-PDFN(5x6)LFPAK56,Power-SO8SUPER-220™(TO-273AA)超级 D2-封装
封装/外壳
8-PowerSFN8-PowerTDFN8-PowerTDFN,5 引线SC-100,SOT-669TO-273AA超级 D2-封装
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
12结果
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/ 12
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-HPSOF Top View
FDBL86066-F085
MOSFET N-CH 100V 185A 8HPSOF
onsemi
4,480
现货
1 : ¥28.81000
剪切带(CT)
2,000 : ¥14.03951
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
185A(Tc)
10V
4.1 毫欧 @ 80A,10V
4V @ 250µA
69 nC @ 10 V
±20V
3240 pF @ 50 V
-
300W(Ta)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-HPSOF
8-PowerSFN
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
PSMN1R6-25YLEX
PSMN1R6-25YLE/SOT669/LFPAK
Nexperia USA Inc.
1,490
现货
1 : ¥13.38000
剪切带(CT)
1,500 : ¥5.15651
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
25 V
185A(Tc)
7V,10V
1.88 毫欧 @ 25A,10V
2.2V @ 1mA
61 nC @ 10 V
±20V
3698 pF @ 12 V
-
124W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS5C430NT1G
MOSFET N-CH 40V 5DFN
onsemi
0
现货
1,500 : ¥4.74533
卷带(TR)
-
卷带(TR)
最后售卖
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
185A(Tc)
10V
1.7 毫欧 @ 50A,10V
3.5V @ 250µA
47 nC @ 10 V
±20V
3300 pF @ 25 V
-
3.8W(Ta),106W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
69
现货
1 : ¥11.74000
剪切带(CT)
5,000 : ¥4.61227
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
185A(Tc)
4.5V,10V
1.8 毫欧 @ 29A,10V
2.5V @ 250µA
56 nC @ 10 V
±20V
3479 pF @ 15 V
-
104W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-PDFN(5x6)
8-PowerTDFN
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS5C430NWFT1G
MOSFET N-CH 40V 5DFN
onsemi
0
现货
1,500 : ¥4.74533
卷带(TR)
-
卷带(TR)
最后售卖
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
185A(Tc)
10V
1.7 毫欧 @ 50A,10V
3.5V @ 250µA
47 nC @ 10 V
±20V
3300 pF @ 25 V
-
3.8W(Ta),106W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
TO-274AC Pkg
IRLBA1304
MOSFET N-CH 40V 185A SUPER-220
Infineon Technologies
0
现货
100 : ¥40.31280
管件
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
185A(Tc)
4.5V,10V
4 毫欧 @ 110A,10V
1V @ 250µA
140 nC @ 4.5 V
±16V
7660 pF @ 25 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
SUPER-220™(TO-273AA)
TO-273AA
TO-274AC Pkg
IRLBA1304P
MOSFET N-CH 40V 185A SUPER-220
Infineon Technologies
0
现货
50 : ¥56.31940
管件
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
185A(Tc)
4.5V,10V
4 毫欧 @ 110A,10V
1V @ 250µA
140 nC @ 4.5 V
±16V
7660 pF @ 25 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
SUPER-220™(TO-273AA)
TO-273AA
Super D2-Pak
IRLBL1304
MOSFET N-CH 40V 185A SUPER D2PAK
Infineon Technologies
0
现货
50 : ¥59.07620
管件
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
185A(Tc)
4.5V,10V
4.5 毫欧 @ 110A,10V
1V @ 250µA
140 nC @ 4.5 V
±16V
7660 pF @ 25 V
-
300W(Tc)
-
-
-
表面贴装型
超级 D2-封装
超级 D2-封装
TO-274AC Pkg
IRLBA1304PPBF
MOSFET N-CH 40V 185A SUPER-220
Infineon Technologies
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
185A(Tc)
4.5V,10V
4 毫欧 @ 110A,10V
1V @ 250µA
140 nC @ 4.5 V
±16V
7660 pF @ 25 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
SUPER-220™(TO-273AA)
TO-273AA
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS5C430NT3G
MOSFET N-CH 40V 5DFN
onsemi
0
现货
Digi-Key 停止提供
-
卷带(TR)
Digi-Key 停止提供
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
185A(Tc)
10V
1.7 毫欧 @ 50A,10V
3.5V @ 250µA
47 nC @ 10 V
±20V
3300 pF @ 25 V
-
3.8W(Ta),106W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS5C430NWFT3G
MOSFET N-CH 40V 5DFN
onsemi
0
现货
Digi-Key 停止提供
-
卷带(TR)
Digi-Key 停止提供
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
185A(Tc)
10V
1.7 毫欧 @ 50A,10V
3.5V @ 250µA
47 nC @ 10 V
±20V
3300 pF @ 25 V
-
3.8W(Ta),106W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
8-HPSOF Top View
FDBL86066-F085AW
MOSFET N-CH 100V 185A 8HPSOF
onsemi
0
现货
在售
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
185A(Tc)
10V
4.1 毫欧 @ 80A,10V
4V @ 250µA
69 nC @ 10 V
±20V
3240 pF @ 50 V
-
300W(Ta)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-HPSOF
8-PowerSFN
显示
/ 12

185A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。