17A(Ta),40A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 6
制造商
Infineon TechnologiesonsemiRohm Semiconductor
系列
-Dual Cool™, PowerTrench®OptiMOS™PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
停产在售
漏源电压(Vdss)
30 V60 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V6V,10V8V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
4 毫欧 @ 20A,10V4.2 毫欧 @ 20A,10V6.25 毫欧 @ 12A,10V6.3 毫欧 @ 17A,10V6.7 毫欧 @ 17A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.3V @ 36µA2.5V @ 1mA2.8V @ 36µA3V @ 250µA4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
12 nC @ 10 V22 nC @ 4.5 V23 nC @ 10 V27 nC @ 10 V40 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
720 pF @ 15 V1385 pF @ 15 V2000 pF @ 30 V2790 pF @ 30 V3100 pF @ 30 V
功率耗散(最大值)
2.1W(Ta),69W(Tc)3W(Ta),23W(Tc)3W(Ta),50W(Tc)3W(Ta),73W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)
供应商器件封装
8-HSOP8-PQFN(3.3x3.3)Dual Cool ™ 33PG-TDSON-8 FLPG-TSDSON-8-FL
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TSDSON-8
BSZ042N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 17A/40A TSDSON
Infineon Technologies
15,799
现货
1 : ¥14.78000
剪切带(CT)
5,000 : ¥6.42831
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
17A(Ta),40A(Tc)
6V,10V
4.2 毫欧 @ 20A,10V
2.8V @ 36µA
27 nC @ 10 V
±20V
2000 pF @ 30 V
-
2.1W(Ta),69W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TSDSON-8-FL
8-PowerTDFN
8-PowerTDFN, Power56
FDMC86520DC
MOSFET N-CH 60V 17A/40A DLCOOL33
onsemi
5,935
现货
9,000
工厂
1 : ¥23.07000
剪切带(CT)
3,000 : ¥11.23077
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
17A(Ta),40A(Tc)
8V,10V
6.3 毫欧 @ 17A,10V
4.5V @ 250µA
40 nC @ 10 V
±20V
2790 pF @ 30 V
-
3W(Ta),73W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
Dual Cool ™ 33
8-PowerTDFN
HSOP8
RS1E170GNTB
MOSFET N-CH 30V 17A 8-HSOP
Rohm Semiconductor
1,970
现货
1 : ¥5.01000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.90227
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
17A(Ta),40A(Tc)
4.5V,10V
6.7 毫欧 @ 17A,10V
2.5V @ 1mA
12 nC @ 10 V
±20V
720 pF @ 15 V
-
3W(Ta),23W(Tc)
150°C(TJ)
表面贴装型
8-HSOP
8-PowerTDFN
PG-TDSON-8 FL
BSZ0702LSATMA1
MOSFET N-CH 60V 17A/40A TSDSON
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
17A(Ta),40A(Tc)
4.5V,10V
4 毫欧 @ 20A,10V
2.3V @ 36µA
22 nC @ 4.5 V
±20V
3100 pF @ 30 V
-
2.1W(Ta),69W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TDSON-8 FL
8-PowerTDFN
FDMC3020DC
FDMC3020DC
MOSFET N-CH 30V 17A/40A DLCOOL33
onsemi
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
17A(Ta),40A(Tc)
4.5V,10V
6.25 毫欧 @ 12A,10V
3V @ 250µA
23 nC @ 10 V
±20V
1385 pF @ 15 V
-
3W(Ta),50W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
Dual Cool ™ 33
8-PowerTDFN
MOSFET N-CH 30V 17A/40A DLCOOL33
FDMC3020DC-P
MOSFET N-CH 30V 17A/40A DLCOOL33
onsemi
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
17A(Ta),40A(Tc)
4.5V,10V
6.25 毫欧 @ 12A,10V
3V @ 250µA
23 nC @ 10 V
±20V
1385 pF @ 15 V
-
3W(Ta),50W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-PQFN(3.3x3.3)
8-PowerTDFN
显示
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17A(Ta),40A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。