16A 单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Micro Commercial CoToshiba Semiconductor and Storage
包装
卷带（TR）管件
产品状态
停产在售
技术
GaNFET（氮化镓）MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V450 V650 V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
12 毫欧 @ 10A，10V90 毫欧 @ 6A，6V270 毫欧 @ 8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.3V @ 5mA3V @ 250µA-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
6.9 nC @ 6 V13 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
6V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
203 pF @ 400 V1550 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
2.5W125W-
工作温度
-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C（TJ）-
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-DFN（8x8）8-SOPTO-220SIS
封装/外壳
8-PowerTDFN8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）TO-220-3 整包
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
ESD2V8P8U-TP
MCQ16N03-TP
MOSFET N-CH 30V 8-SOP
Micro Commercial Co
4,000
现货
4,000 : ¥2.87584
卷带（TR）
-
卷带（TR）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
16A
4.5V，10V
12 毫欧 @ 10A，10V
3V @ 250µA
13 nC @ 5 V
±20V
1550 pF @ 15 V
-
2.5W
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOP
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
0
现货
3,500 : ¥62.04385
管件
-
管件
停产
N 通道
GaNFET（氮化镓）
650 V
16A
6V
90 毫欧 @ 6A，6V
2.3V @ 5mA
6.9 nC @ 6 V
6V
203 pF @ 400 V
-
125W
-55°C ~ 150°C
表面贴装型
8-DFN（8x8）
8-PowerTDFN
0
现货
在售
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
450 V
16A
-
270 毫欧 @ 8A，10V
-
-
-
-
-
-
-
通孔
TO-220SIS
TO-220-3 整包
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16A 单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。